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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 遠藤 哲郎 (東北大)
副委員長 奈良 安雄 (富士通セミコンダクター)
幹事 小野 行徳 (NTT), 野村 晋太郎 (筑波大)
幹事補佐 笹子 佳孝 (日立)

有機エレクトロニクス研究会(OME) [schedule] [select]
専門委員長 臼井 博明 (東京農工大)
副委員長 加藤 景三 (新潟大)
幹事 松田 直樹 (産総研), 中村 二朗 (NTT)
幹事補佐 酒井 正俊 (千葉大)

日時 2012年 4月27日(金) 13:00 - 17:30
2012年 4月28日(土) 09:00 - 12:10
議題 薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術および一般 
会場名 沖縄県青年会館 
住所 〒900-0033 沖縄県那覇市久米2-15-23
交通案内 モノレール 旭橋駅下車 徒歩5分
http://www.okiseikan.or.jp/new/news.php
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.
(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

4月27日(金) 午後 
13:00 - 17:30
(1) 13:00-13:30 [招待講演]有機薄膜太陽電池の研究開発 SDM2012-1 OME2012-1 當摩哲也金沢大/JST
(2) 13:30-14:00 [招待講演]有機―無機ハイブリッド光学材料創製とその光デバイス応用 SDM2012-2 OME2012-2 杉原興浩東北大
(3) 14:00-14:20 高移動度を有する正孔輸送性アモルファス分子材料を用いる有機薄膜太陽電池の作製と評価 SDM2012-3 OME2012-3 景山 弘琉球大)・大森 裕阪大)・城田靖彦福井工大
(4) 14:20-14:40 固液界面におけるチトクロームcの吸着過程と機能のその場観察 ~ スラブ光導波路分光法を用いた紫外可視吸収スペクトルのその場測定 ~ 松田直樹岡部浩隆産総研
(5) 14:40-15:00 バイオナノプロセスを用いたフィラメント制御および抵抗変化メモリにおける効果 ~ 薄膜中の局所欠陥制御 ~ SDM2012-4 OME2012-4 上沼睦典番 貴彦鄭 彬山下一郎浦岡行治奈良先端大
  15:00-15:10 休憩 ( 10分 )
(6) 15:10-15:40 [招待講演]連続発振レーザ横方向結晶化法によるガラス基板上SiとSiGe薄膜の成長 SDM2012-5 OME2012-5 北原邦紀島根大)・原 明人東北学院大
(7) 15:40-16:10 [招待講演]ダブルラインビーム連続発振レーザラテラル結晶化によるシリコン薄膜の3軸結晶制御とTFT SDM2012-6 OME2012-6 黒木伸一郎東北大
(8) 16:10-16:30 青色半導体レーザアニールによる薄膜シリコンの結晶状態の制御 SDM2012-7 OME2012-7 白井克弥ムジラネザ ジャン ドュ デュ鈴木俊治岡田竜弥野口 隆琉球大)・松島英樹橋本隆夫荻野義明佐保田英司日立コンピュータ機器
(9) 16:30-16:50 青色半導体レーザアニールによるポリイミド基板上薄膜シリコンの結晶化 SDM2012-8 OME2012-8 岡田竜弥ムジラネザ ジャン ドュ デュ白井克弥鈴木俊治野口 隆琉球大)・松島英紀橋本隆夫荻野義明佐保田英司日立コンピュータ機器
(10) 16:50-17:10 埋め込みゲート構造を有するガラス上の自己整合メタルダブルゲート低温poly-Si TFT SDM2012-9 OME2012-9 尾形浩之一條賢治近藤健二岡部泰典鹿 裕将加茂慎哉原 明人東北学院大
(11) 17:10-17:30 低温成膜nc-Si膜を用いたbottom gate TFT SDM2012-10 OME2012-10 宿久明日香高橋英治安東靖典日新電機
4月28日(土) 午前 
09:00 - 12:10
(12) 09:00-09:30 [招待講演]軟X線照射のみによる半導体非晶質膜の低温結晶化 SDM2012-11 OME2012-11 松尾直人部家 彰望月孝晏宮本修治神田一浩兵庫県立大
(13) 09:30-10:00 [招待講演]Ge膜のエキシマレーザ誘起スーパーラテラル成長 SDM2012-12 OME2012-12 葉 文昌島根大
(14) 10:00-10:20 絶縁膜上におけるGe(Si)薄膜の溶融成長 ~ Si偏析効果による大粒径化 ~ SDM2012-13 OME2012-13 加藤立奨黒澤昌志横山裕之佐道泰造宮尾正信九大
(15) 10:20-10:40 マイクロ熱プラズマジェット照射によるポーラスシリコン層上Si膜のエピタキシャル成長 SDM2012-14 OME2012-14 林 将平松原良平藤田悠二池田弥央東 清一郎広島大
  10:40-10:50 休憩 ( 10分 )
(16) 10:50-11:10 マイクロ熱プラズマジェット結晶化におけるアモルファスシリコン細線及びスリットマスクを用いた結晶成長制御 SDM2012-15 OME2012-15 藤田悠二林 将平東 清一郎広島大
(17) 11:10-11:30 界面酸化膜挿入型Au誘起層交換成長法による大粒径Ge(111)/絶縁膜の低温成長 ~ 界面酸化膜厚依存性 ~ SDM2012-16 OME2012-16 鈴木恒晴パク ジョンヒョク黒澤昌志宮尾正信佐道泰造九大
(18) 11:30-11:50 RFスパッタ法により製膜したSiO2及びSiN薄膜の電気特性評価 SDM2012-17 OME2012-17 屋宜佳佑岡田竜弥野口 隆琉球大
(19) 11:50-12:10 高性能ポリシリコンTFTに向けたスパッタ成膜したリンドープシリコン膜の結晶化 SDM2012-18 OME2012-18 西ノ原拓磨ジャン デデュウ ムジラネザ白井克弥鈴木俊治岡田竜弥野口 隆琉球大)・大鉢 忠同志社大)・松島英紀橋本隆夫荻野義明佐保田英司日立コンピュータ機器

講演時間
一般講演発表 15 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 25 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 小野 行徳(NTT)
Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317
E-: o 
OME 有機エレクトロニクス研究会(OME)   [今後の予定はこちら]
問合先 松田 直樹(産総研)
E-: oaist

中村 二朗(NTT)
E-: jaecl

酒井 正俊(千葉大)
E-: ifultyba-u 


Last modified: 2012-04-06 14:06:38


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