電子情報通信学会 研究会発表申込システム
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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 榎木 孝知
副委員長 和保 孝夫
幹事 中島 成, 田中 毅
幹事補佐 江川 孝志

マイクロ波研究会(MW) [schedule] [select]
専門委員長 高山 洋一郎
副委員長 荒木 純道
幹事 尾崎 寿一, 豊田 一彦
幹事補佐 河合 正, 和田 光司

日時 2005年 1月17日(月) 10:20 - 17:00
2005年 1月18日(火) 09:20 - 17:05
議題 超高速・超高周波デバイスおよびIC/一般 
会場名 機械振興会館 
他の共催 ◆IEEE MTT-S Japan Chapter 共催
お知らせ ◎なお,最新のプログラムは MW 研究会ホームページhttp://www.ieice.org/es/mw/jpn/ をご覧下さい.
◎平成17年1月のMW研究会発表申込より、電子情報通信学会の研究会発表申込システムを御利用頂くことになりました.投稿のページ[http://www.ieice.org/jpn/ken/kenmoushikomi.html]の[研究会発表申込(Webによる)]からお申込み下さいますようお願いいたします.

1月17日(月) 午前 
10:20 - 17:00
(1) 10:20-10:45 GaAs 1チップ逆直列バラクタ対の3次混変調歪の測定と寄生インピーダンスの抽出 薮崎宗久東京理科大)・韓 青大平 孝ATR)・赤池正 巳志村 敦東京理科大
(2) 10:45-11:10 重畳パルス方式を用いたハーモニックミクサ形高速パルス変調回路 川上憲司濱野 聡津留正臣小野政好三菱電機)・西口光浩三菱スペース・ソフトウエア)・宮崎守泰三菱電機
(3) 11:10-11:35 ポリマー分散液晶の層厚変化に対する応答時間特性 齊藤勝彦亀井利久森 武洋内海要三防衛大
(4) 11:35-12:00 損失性チップによるマイクロストリップスタブからの放射の抑止 大隅康弘森田長吉千葉工大
  12:00-13:40 昼食 ( 100分 )
(5) 13:40-14:05 厚みのあるミリ波誘電体イメージ線路アンテナの動作について 田中 聡福山大
(6) 14:05-14:30 60MHz帯疎結合マイクロストリップ方向性結合器 平島隆洋藤井亮一中国職能開発大)・藤井修逸アドテックプラズマテクノロジー)・田中 聡福山大
(7) 14:30-14:55 LCPを用いた低損失溝付きGSG線路 湯浅 健西野 有大橋英征犬塚隆之村上 治椋田宗明三菱電機
(8) 14:55-15:20 周波数選択板装荷導波管フィルタの設計及び実験的検討 大平昌敬出口博之辻 幹男繁沢 宏同志社大
  15:20-15:30 休憩 ( 10分 )
(9) 15:30-17:00 [特別講演]第34回欧州マイクロ波会議出席報告 関 智弘NTT)・増田 哲富士通研)・西野 有三菱電機)・真田篤志山口大)・平田明史ATR)・河合邦浩NTTドコモ)・木村巧一電通大
1月18日(火) 午前 
09:20 - 17:05
(10) 09:20-09:45 ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET 引田正洋柳原 学中澤一志上野弘明廣瀬 裕上田哲三上本康裕田中 毅上田大助松下電器)・江川孝志名工大
(11) 09:45-10:10 選択再成長オーミックス構造を有するAl2O3/Si3N4薄層絶縁ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造FET 前田就彦王 成新牧村隆司廣木正伸牧本俊樹小林 隆榎木孝知NTT
(12) 10:10-10:35 超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET 村田智洋引田正洋廣瀬 裕井上 薫上本康裕田中 毅上田大助松下電器
  10:35-10:45 休憩 ( 10分 )
(13) 10:45-11:10 高出力AlGaN/GaN-HEMTにおける熱設計の検討 伊藤正紀海部勝晶見田充郎大来英之戸田典彦佐野芳明関 昇平OKI)・石川博康江川孝志名工大
(14) 11:10-11:35 Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT 國井徹郎戸塚正裕加茂宣卓山本佳嗣竹内日出雄島田好治志賀俊彦巳浪裕之北野俊明宮国晋一中塚茂典井上 晃奥 友希南條拓真大石敏之三菱電機
(15) 11:35-12:00 100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT 三好実人名工大/日本ガイシ)・今西 敦石川博康江川孝志名工大)・浅井圭一郎柴田智彦田中光浩小田 修日本ガイシ
  12:00-13:00 昼食 ( 60分 )
(16) 13:00-13:25 AlGaNショットキー接合の漏れ電流のふるまい 橋詰 保金子昌充北大
(17) 13:25-13:50 5W出力1.9GHz動作のAlGaN/GaN-HEMT SPDTスイッチ 広瀬真由美高田賢治蔵口雅彦佐々木忠寛鈴木 隆津田邦男東芝
(18) 13:50-14:15 導電性N-SiC基板上高出力AlGaN/GaN HEMT 金村雅仁吉川俊英常信和清富士通研
  14:15-14:25 休憩 ( 10分 )
(19) 14:25-14:50 ダブルリセス構造0.1umゲートpseudomorphic InP-HEMTの評価 荻窪光慈大島知之角谷昌紀市岡俊彦OKI
(20) 14:50-15:15 C帯,高利得5.5GHz, 26V動作 25W GaAs FET 前川 新山本高史井上和孝五十嵐 勉佐野征吾高瀬信太郎ユーディナデバイス
(21) 15:15-15:40 高速アクセス用10Gbit/s CMOSバーストモードクロックデータ再生IC 木村俊二野河正史西村和好吉田智暁雲崎清美西原 晋大友祐輔NTT
  15:40-15:50 休憩 ( 10分 )
(22) 15:50-16:15 広帯域整合技術を用いた90GHzInP-HEMT抵抗整合型増幅器 井上雄介佐藤 優多木俊裕牧山剛三高橋 剛重松寿生廣瀬達哉富士通研
(23) 16:15-16:40 衛星搭載用C帯80WGaAs-FET増幅器 分島彰男NEC)・浅野貴弘平野孝文舟橋政弘NEC東芝スペースシステム)・松永高治NEC
(24) 16:40-17:05 5GHz帯無線通信用InGaP/GaAs HBT MMIC低雑音増幅器 山本和也鈴木 敏小川喜之長明健一郎紫村輝之前村公正三菱電機

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 中島 成(ユーディナ デバイス)
TEL: 045-853-8161, FAX: 045-853-8170
E-: sheudy
田中 毅(松下電器)
TEL: 075-956-9083, FAX: 075-956-9110
E-: erlci
江川 孝志(名工大)
TEL: 052-735-5544、FAX: 052-735-5546
E-: eelcom 
MW マイクロ波研究会(MW)   [今後の予定はこちら]
問合先 和田光司 (電通大)
TEL:0424-43-5212,FAX:0424-43-5212
E-:eec 


Last modified: 2004-11-25 02:05:04


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