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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2011年度)
「from:2011-07-04 to:2011-07-04」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2011-07-04 09:00 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 高温熱処理とMIPS構造によるLa-silicate/Si界面特性の改善と低EOTの実現 ○川那子高暢・角嶋邦之・Parhat Ahmet・筒井一生・西山 彰・杉井信之・名取研二・服部健雄・岩井 洋（東工大）  SDM2011-50 |
本論文では、低EOTと良好な界面特性の両立に向けた直接接合La-silicate/Si構造の界面制御について報告する。8... [more] | SDM2011-50 pp.1-5 |
| SDM | 2011-07-04 09:20 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの構造と形成 ○影島博之・日比野浩樹・山口浩司（NTT）・永瀬雅夫（徳島大） SDM2011-51 |
SiC(0001)面上のエピタキシャルグラフェンの成長機構について、第一原理計算を用いて検討した。界面グラフェン1層はバ... [more] | SDM2011-51 pp.7-10 |
| SDM | 2011-07-04 09:40 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Al2O3堆積膜をゲート絶縁膜に用いたSiC-MOSFETの作製と評価 ○山田泰之・石黒暁夫（東工大）・日野史郎・三浦成久・今泉昌之・炭谷博昭（三菱電機）・徳光永輔（東工大） SDM2011-52 |
[more] | SDM2011-52 pp.11-15 |
| SDM | 2011-07-04 10:00 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | コンダクタンス法を用いたHfO2/In0.53Ga0.47Asの界面解析 ○ザデ ダリューシュ・細井隆司・アヘメト パルハット・角嶋邦之・筒井一生・西山 彰・杉井信之・名取研二・服部健雄・岩井 洋（東工大） SDM2011-53 |
[more] | SDM2011-53 pp.17-22 |
| SDM | 2011-07-04 10:40 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Si高指数面酸化過程のリアルタイム光電子分光による評価 ○大野真也・井上 慧・森本真弘・新江定憲・豊島弘明（横浜国大）・吉越章隆・寺岡有殿（原子力機構）・尾形祥一（横浜国大）・安田哲二（産総研）・田中正俊（横浜国大） SDM2011-54 |
面方位(113)、(120)のシリコン高指数面の初期酸化過程を光電子分光法を用いて調べた。酸化状態Sin+(n=1-4)... [more] | SDM2011-54 pp.23-27 |
| SDM | 2011-07-04 11:00 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | XPS時間依存測定法によるSiO2/Si界面の電荷トラップ密度の面方位依存性の評価 ○石原由梨（芝浦工大）・渋谷寧浩・五十嵐 智（東京都市大）・小林大輔（JAXA）・野平博司（東京都市大）・上野和良（芝浦工大）・廣瀬和之（JAXA） SDM2011-55 |
「シリコンテクノロジー分科会研究集会発表」 MOSFETの微細化に伴うゲート酸化膜の薄膜化によるSiO2/Si界面近傍... [more] |
SDM2011-55 pp.29-34 |
| SDM | 2011-07-04 11:20 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Siナノワイヤー、ナノレイヤの発光と界面 櫻井蓉子・大毛利健治・山田啓作（筑波大）・角嶋邦之・岩井 洋（東工大）・白石賢二・○野村晋太郎（筑波大） SDM2011-56 |
発光顕微分光法によりSiナノワイヤー、ナノレイヤの発光特性を評価した．膜厚2.7~25.2 nmの極薄SOI試料の発光ス... [more] | SDM2011-56 pp.35-39 |
| SDM | 2011-07-04 11:40 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Evaluation of Light Induced Damages in Plasma Process on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure ○Kusuman Dari・Wakana Takeuchi・Kimihiko Kato・Shigehisa Shibayama・Mitsuo Sakashita・Osamu Nakatsuka・Shigeaki Zaima（Nagoya Univ.） SDM2011-57 |
We have investigated the effect of light induced damages on ... [more] | SDM2011-57 pp.41-46 |
| SDM | 2011-07-04 12:00 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Ge(100)表面の極薄TiOxキャッピングによるHfO2原子層堆積/熱処理時の界面反応制御 ○村上秀樹・藤岡知宏・大田晃生・三嶋健斗・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大） SDM2011-58 |
High-k/Ge界面制御手法として、極薄TiO2層の挿入に着目し、塩酸処理したGe(100)表面上へのTiO2の原子層... [more] | SDM2011-58 pp.47-50 |
| SDM | 2011-07-04 13:20 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Al2O3/Ge構造に対する酸素熱処理の界面特性に及ぼす効果 ○柴山茂久（名大）・加藤公彦（名大/学振）・坂下満男・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2011-59 |
次世代CMOSの実現に向けて，低い界面準位密度（<1011 cm－2-eV－1）と低SiO2等価膜厚（1 nm）とを同時... [more] | SDM2011-59 pp.51-56 |
| SDM | 2011-07-04 13:40 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Pr酸化膜/Ge構造におけるPrの価数制御に基づく界面反応制御 ○加藤公彦（名大/学振）・坂下満男・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2011-60 |
プラセオジム（Pr）酸化膜/GeおよびPr酸化膜/Pr酸窒化膜/Ge構造において化学結合状態および電気的特性を評価し，P... [more] | SDM2011-60 pp.57-62 |
| SDM | 2011-07-04 14:00 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 金属/GeO2界面における化学結合状態の光電子分光分析 ○松井真史・藤岡知宏・大田晃生・村上秀樹・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大） SDM2011-61 |
熱酸化により形成したGeO2/Ge(100)界面および金属(Al, AuおよびPt)薄膜形成後のGeO2との界面化学結合... [more] | SDM2011-61 pp.63-68 |
| SDM | 2011-07-04 14:20 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 金属/Si界面の構造乱れによるショットキーバリア変調：第一原理計算による理論的検討 ○小日向恭祐・中山隆史（千葉大） SDM2011-62 |
金属(Au)/Si(111)界面に構造乱れを形成した際のショットキーバリア変調を、界面近傍の半導体に原子空孔や格子間原子... [more] | SDM2011-62 pp.69-73 |
| SDM | 2011-07-04 14:40 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | ハフニウム酸化物への元素添加効果 ～ 第一原理計算による検討 ～ 中山利紀・川崎 裕・○丸泉琢也（東京都市大） SDM2011-63 |
[more] | SDM2011-63 pp.75-80 |
| SDM | 2011-07-04 15:00 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | ITO/HfO2 MOSキャパシタで、酸化・還元熱処理がVfbシフトへ及ぼす影響 ○生田目俊秀（物質・材料研究機構）・山田博之（芝浦工大）・大井暁彦（物質・材料研究機構）・大石知司（芝浦工大）・知京豊裕（物質・材料研究機構） SDM2011-64 |
ITO/HfO2/SiO2 MOSキャパシタで、酸化・還元熱処理がフラットバンド電圧(Vfb)へ及ぼす影響を調べた。Cu... [more] | SDM2011-64 pp.81-85 |
| SDM | 2011-07-04 15:40 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 高温熱処理によるTiN/HfLaSiO/SiO2ゲートスタック中Hf及びLa原子のTiN電極中への拡散とMIPS構造による抑制 ○大嶽祐輝・有村拓晃・佐伯雅之・力石薫介・北野尚武・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2011-65 |
ゲートファーストプロセスによるMetal/High-kスタックの実現に向け、TiN/HfLaSiO/SiO2ゲートスタッ... [more] | SDM2011-65 pp.87-92 |
| SDM | 2011-07-04 16:00 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Evaluation of Electrical Property at SrTiO3 Bicrystal Interface by EBIC Tetsuji Kato・○Son Phu Thanh Pham・Yoshiaki Nakamura・Jun Kikkawa・Akira Sakai（Osaka Univ.） SDM2011-66 |
[more] | SDM2011-66 pp.93-96 |
| SDM | 2011-07-04 16:20 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | RFスパッタ形成したSi酸化膜を用いたMIMキャパシタの抵抗変化特性 ○大田晃生・後藤優太・西垣慎吾・Guobin Wei・村上秀樹・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大） SDM2011-67 |
RFスパッタにより形成したSiOx (厚さ：8~40nm)をPt電極で挟んだMIMキャパシタにおいて、電圧掃引による電流... [more] | SDM2011-67 pp.97-102 |
| SDM | 2011-07-04 16:40 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | グリーンレーザーによる積層構造シリコン薄膜の同時結晶化と薄膜デバイスへの応用 ○堀田昌宏（奈良先端大/JST）・山崎浩司・町田絵美（奈良先端大）・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大/JST） SDM2011-68 |
ガラス基板上に形成された2層積層構造シリコン薄膜に対して, グリーンレーザーアニール(GLA)による同時結晶化を行った.... [more] | SDM2011-68 pp.103-108 |
| SDM | 2011-07-04 17:00 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 相変化チャネルトランジスタを用いた積層型NOR PRAMの設計 ○加藤 翔・渡辺重佳（湘南工科大） SDM2011-69 |
本論文では、相変化チャネルトランジスタを使用した積層型NOR PRAM新たに提案した。 積層型NOR PRAMはDRAM... [more] | SDM2011-69 pp.109-113 |
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