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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2010年度)
「from:2010-11-11 to:2010-11-11」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2010-11-11 10:05 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］2010 SISPADレビュー ○鎌倉良成（阪大）  SDM2010-171 |
2010 International Conference on Simulation of Semiconductor... [more] | SDM2010-171 pp.1-4 |
| SDM | 2010-11-11 10:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］ばらつき・信頼性シミュレーション技術の最新動向 ～ SISPAD2010併設ワークショップ1のレビュー ～ ○鳥山周一（東芝） SDM2010-172 |
2010年9月、イタリアボローニャで開催されたSISPAD2010において併設されたワークショップ“Simulation... [more] | SDM2010-172 pp.5-10 |
| SDM | 2010-11-11 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］磁性体メモリ最新動向と多値スピン注入MRAM（MLC-SPRAM） ○石垣隆士・河原尊之・竹村理一郎・小埜和夫・伊藤顕知（日立）・大野英男（東北大） SDM2010-173 |
本稿では、スピン注入型磁性体メモリの最新動向と多値スピン注入MRAM（MLC-SPRAM）について述べる。2つの直列接続... [more] | SDM2010-173 pp.11-15 |
| SDM | 2010-11-11 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］MOSFETにおけるランダムテレグラフシグナルの統計的評価方法 ○寺本章伸・阿部健一・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2010-174 |
MOSFETにおけるRandom Telegraph Signal (RTS)の振幅，時定数等，重要なパラメータは一つ一... [more] | SDM2010-174 pp.17-22 |
| SDM | 2010-11-11 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］金属電極／高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたHigh-k/Metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解 ○細井卓治・佐伯雅之・喜多祐起・奥 雄大・有村拓晃・北野尚武（阪大）・白石賢二・山田啓作（筑波大）・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2010-175 |
p型電極／高誘電率絶縁膜ゲートスタックでは，電極材料がpoly-Siもしくは金属に関わらず，ソース／ドレイン活性化アニー... [more] | SDM2010-175 pp.23-28 |
| SDM | 2010-11-12 10:30 |
東京 | 機械振興会館 | 高速応答の低ドロップアウト(LDO)レギュレータに関する研究 ○Fouzhiwei Tong・範 公可（電通大） SDM2010-176 |
ここ数年間、携帯電話やノートPC などのモバイル機器は低消費電力で高速化している。そのため、モバイル機器に適用できる高速... [more] | SDM2010-176 pp.29-33 |
| SDM | 2010-11-12 10:55 |
東京 | 機械振興会館 | 形状シミュレーションによるSiO2及びSiエッチングのモデル化と、BiCSメモリホールエッチング ○市川尚志・一之瀬大吾・川端研二・玉置直樹（東芝） SDM2010-177 |
大容量メモリを実現するBiCS技術のキーとなる、メモリホールエッチングプロセスにおいて、形状シミュレーションを行った。S... [more] | SDM2010-177 pp.35-39 |
| SDM | 2010-11-12 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | 自動化超高速化量子分子動力学法の開発とシリコン表面のドライ・ウェットおよびラジカル酸化反応シミュレーション ○坪井秀行・稲葉賢二・伊勢真理子・林 由紀江・鈴木裕佳・佐藤裕美・小原幸子・南雲 亮・三浦隆治・鈴木 愛・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・宮本 明（東北大） SDM2010-178 |
シリコン表面における酸化膜の形成メカニズムの解明,とくにドライ酸化・ウエット酸化・ラジカル酸化の初期過程における反応分子... [more] | SDM2010-178 pp.41-43 |
| SDM | 2010-11-12 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］VLSI設計自動化の現状と将来展望 ○高橋篤司（阪大） SDM2010-179 |
たゆまないＶＬＳＩ製造技術の進歩により，素子の微細化，回路の大規模化が留まるところを知らずに進んでおり，ＶＬＳＩ自動設計... [more] | SDM2010-179 pp.45-46 |
| SDM | 2010-11-12 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | インバータセルにおけるSingle-Event-Transientパルス発生のモデリング ○田中克彦・中村英之・上村大樹・竹内 幹・福田寿一・熊代成孝・最上 徹（MIRAI-Selete） SDM2010-180 |
宇宙線中性子起因の二次イオンが発生させた電荷によって生じたエラー信号パルスが組み合わせ回路中を伝播する Single E... [more] | SDM2010-180 pp.47-52 |
| SDM | 2010-11-12 14:15 |
東京 | 機械振興会館 | HV-MOSFETのオーバーラップ領域における2次元効果のモデル化 ○田中昭洋・折附泰典・菊地原秀行・三宅正尭・マタウシュ ハンス ユルゲン・三浦道子（広島大）・リウ ヨン・グリーン キース（Texas Instruments） SDM2010-181 |
高耐圧MOSFETは数Vから数100Vまでの広い耐圧をMOSFET部分とドレイン側のドリフト部分を調整することによって実... [more] | SDM2010-181 pp.53-57 |
| SDM | 2010-11-12 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | SPICEモデルを用いた特性合わせ込みにおける誤差指標の提案 ○坂本浩則・飯塚貴弘（ルネサス エレクトロニクス） SDM2010-182 |
SPICEモデルを用いた特性合わせ込みにおける誤差指標を提案する。提案する指標は、特性のばらつき幅(コーナーモデルとTy... [more] | SDM2010-182 pp.59-64 |
| SDM | 2010-11-12 15:05 |
東京 | 機械振興会館 | シリコンナノワイヤにおけるホール電流のひずみ依存性 ○三成英樹（阪大/JST）・北山達郎・山本将央（阪大）・森 伸也（阪大/JST） SDM2010-183 |
直径が1.5 nmと2.5 nmのひずみシリコンナノワイヤトランジスタについて，強結合近似法を導入した非平衡グリーン関数... [more] | SDM2010-183 pp.65-69 |
| SDM | 2010-11-12 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | GAA-MOSFETの極限微細化指針の検討 ～ モデルによるサブ30nmチャネルデバイスの実現性に関する考察 ～ ○仲野駿佑・大村泰久（関西大） SDM2010-184 |
サブ30nm-Si細線Gate-All-Around (GAA) MOSFET設計の実現可能性を考察するために指針に関す... [more] | SDM2010-184 pp.71-76 |
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