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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)  (検索条件: 2010年度)

「from:2010-10-21 to:2010-10-21」による検索結果

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講演検索結果
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 19件中 1~19件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2010-10-21
14:00
宮城 東北大学 [招待講演]先端LSIにおけるチャネル歪評価
小椋厚志明大)・小瀬村大亮明大/学振)・武井宗久富田基裕明大SDM2010-152
 [more] SDM2010-152
pp.1-6
SDM 2010-10-21
15:00
宮城 東北大学 液浸ラマン分光法による異方性2軸応力評価
小瀬村大亮明大/学振)・小椋厚志明大SDM2010-153
ラマン分光法は、高い精度で応力が評価でき、比較的空間分解能も高く、非破壊の特徴を有する。このため、半導体デバイスの応力評... [more] SDM2010-153
pp.7-12
SDM 2010-10-21
15:30
宮城 東北大学 Yb混晶化PtSiの仕事関数変調機構
石川純平高 峻大見俊一郎東工大SDM2010-154
極微細CMOSの拡散層における超低コンタクト抵抗の実現を目的として、Yb混晶化によるPtSiの仕事関数変調に関する検討を... [more] SDM2010-154
pp.13-16
SDM 2010-10-21
16:10
宮城 東北大学 Hf混晶化によるPtSiの高精度仕事関数制御に関する検討
高 峻石川純平大見俊一郎東工大SDM2010-155
 [more] SDM2010-155
pp.17-20
SDM 2010-10-21
16:40
宮城 東北大学 Effect of ultra-thin Yb layer on n-type characteristics of pentacene based MOS diodes
Young-uk SongHiroshi IshiwaraShun-ichiro OhmiTokyo Inst. of Tech.SDM2010-156
 [more] SDM2010-156
pp.21-24
SDM 2010-10-21
17:10
宮城 東北大学 ULSI用低抵抗コンタクトのための低バリアハイトメタルシリサイドの形成
田中宏明黒田理人中尾幸久寺本章伸須川成利大見忠弘東北大SDM2010-157
 [more] SDM2010-157
pp.25-30
SDM 2010-10-21
17:40
宮城 東北大学 薄膜アモルファスシリコンの低温結晶化
岩鍜治陽子広田 潤矢吹 宗石田浩一金子和香奈水島一郎赤堀浩史東芝SDM2010-158
センサー、太陽電池、液晶など様々な製品にポリシリコンが多用されている。近年、それらデバイスに対し薄膜ポリシリコン層を用い... [more] SDM2010-158
pp.31-34
SDM 2010-10-22
09:30
宮城 東北大学 ルミネッセンス計算化学による高分子発光材料/陰極界面の電子移動解析
山下 格大沼宏彰南雲 亮三浦隆治鈴木 愛坪井秀行畠山 望遠藤 明高羽洋充久保百司宮本 明東北大SDM2010-159
 [more] SDM2010-159
pp.35-36
SDM 2010-10-22
10:00
宮城 東北大学 材料情報学による母体結晶からのEu2+付活蛍光体の発光特性予測
大沼宏彰吉原大貴山下 格南雲 亮三浦隆治鈴木 愛坪井秀行畠山 望遠藤 明高羽洋充久保百司宮本 明東北大SDM2010-160
 [more] SDM2010-160
pp.37-38
SDM 2010-10-22
10:30
宮城 東北大学 計算化学によるSi/SiC量子ドット太陽電池におけるキャリアトラップの解析
広瀬 祥山下 格南雲 亮三浦隆治鈴木 愛坪井秀行畠山 望遠藤 明高羽洋充久保百司宮本 明東北大SDM2010-161
Si/SiC量子ドット太陽電池では、量子ドット/バルク界面欠陥によるキャリアトラップが問題となっている。これはSiとSi... [more] SDM2010-161
pp.39-40
SDM 2010-10-22
11:10
宮城 東北大学 連続発振レーザー結晶化poly-Si TFTにおける内部歪と電子移動度の評価
藤井俊太朗黒木伸一郎小谷光司東北大SDM2010-162
連続発振レーザー結晶化によって形成したpoly-Si膜中には引っ張り歪が発生する。面内方向のX線回折測定から、表面側では... [more] SDM2010-162
pp.41-44
SDM 2010-10-22
11:40
宮城 東北大学 高性能LTPS-TFTのためのDouble-Line-Beam CLCによる高結晶配向Poly-Si薄膜形成
黒木伸一郎川崎雄也藤井俊太朗小谷光司東北大)・伊藤隆司東工大/広島大SDM2010-163
石英基板上にレーザ結晶化により3軸配向性の高いPoly-Si薄膜を形成した。連続発振レーザを用い、ビームスポットを、直線... [more] SDM2010-163
pp.45-48
SDM 2010-10-22
13:10
宮城 東北大学 Effect of gate insulator on the electrical properties of pentacene based organic field-effect transistors
Min LiaoHiroshi IshiwaraShun-ichiro OhmiTokyo Inst. of Tech.SDM2010-164
 [more] SDM2010-164
pp.49-52
SDM 2010-10-22
13:40
宮城 東北大学 Integration of Novel Non-porous Low-k Dielectric Fluorocarbon into Advanced Cu Interconnects
Xun GuTakenao NemotoYugo TomitaAkinobu TeramotoShin-Ichiro KurokiShigetoshi SugawaTadahiro OhmiTohoku Univ.SDM2010-165
 [more] SDM2010-165
pp.53-56
SDM 2010-10-22
14:10
宮城 東北大学 ECRスパッタ法によるHfN/HfSiON積層構造のin-situ形成
佐野貴洋大見俊一郎東工大SDM2010-166
 [more] SDM2010-166
pp.57-60
SDM 2010-10-22
14:50
宮城 東北大学 酸素ラジカルを用いて形成したSiO2/Si界面における組成遷移と価電子帯オフセットの基板面方位依存性
諏訪智之熊谷勇喜寺本章伸大見忠弘服部健雄東北大)・木下豊彦室 隆桂之高輝度光科学研究センターSDM2010-167
Si 2pとO 1sの内殻準位および価電子帯からの軟X線励起角度分解光電子スペクトルを脱出深さを揃えて測定し、Oラジカル... [more] SDM2010-167
pp.61-65
SDM 2010-10-22
15:20
宮城 東北大学 自動化超高速化量子分子動力学法の開発とシリコン酸化膜形成の反応解析への応用
坪井秀行稲葉賢二伊勢真理子林 由紀江鈴木裕佳佐藤裕美小原幸子南雲 亮三浦隆治鈴木 愛畠山 望遠藤 明高羽洋充久保百司宮本 明東北大SDM2010-168
外部の量子化学計算プログラムを呼び出してエネルギー計算を行い得られた原子間エネルギーを元に分子動力学用ポテンシャルパラメ... [more] SDM2010-168
pp.67-68
SDM 2010-10-22
15:50
宮城 東北大学 自動化超高速化量子分子動力学法によるシリコン表面のドライ・ウェットおよびラジカル酸化反応シミュレーション
坪井秀行伊勢真理子林 由紀江鈴木裕佳佐藤裕美小原幸子稲葉賢二南雲 亮三浦隆治鈴木 愛畠山 望遠藤 明高羽洋充久保百司宮本 明東北大SDM2010-169
シリコン表面における酸化膜の形成メカニズムの解明,とくにドライ酸化・ウエット酸化・ラジカル酸化の初期過程における反応分子... [more] SDM2010-169
pp.69-70
SDM 2010-10-22
16:20
宮城 東北大学 原子スケールで平坦なSiO2/Si酸化膜界面歪の評価
服部真季明大)・小瀬村大亮明大/学振)・武井宗久永田晃基赤松弘彬富田基裕水上雄輝橋口裕樹山口拓也小椋厚志明大)・諏訪智之寺本章伸服部健雄大見忠弘東北大)・小金澤智之高輝度光科学研究センターSDM2010-170
原子スケールで平坦なSiO2/Si界面の構造や歪の状態を明らかにするために、ラマン分光法およびin-plane X線回折... [more] SDM2010-170
pp.71-75
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