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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2010年度)
「from:2010-06-22 to:2010-06-22」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2010-06-22 09:30 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | SiナノワイヤMOSFETのコンパクト・モデル ～ バリステイックおよび準バリステイック輸送 ～ ○名取研二（東工大）  SDM2010-33 |
SiナノワイヤMOSFET のバリステイックな特性を算出するコンパクトモデルを示し、デバイス特性を議論した。更に、同じく... [more] | SDM2010-33 pp.1-4 |
| SDM | 2010-06-22 09:55 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | 原子スケールの構造制御技術でアプローチするシリコンナノワイヤトランジスタの開発 ○右田真司・森田行則・太田裕之（産総研） SDM2010-34 |
平面型トランジスタの微細化限界を打破するデバイス構造として，シリコンナノワイヤ トランジスタが注目を集めている．このトラ... [more] | SDM2010-34 pp.5-10 |
| SDM | 2010-06-22 10:20 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | キャリア移動度評価によるシリコンナノワイヤトランジスタの電気特性解析 ○佐藤創志・角嶋邦之・パールハット アヘメト（東工大）・大毛利健治（早大）・名取研二・岩井 洋（東工大）・山田啓作（早大） SDM2010-35 |
高いON電流と低いOFF電流を併せ持つことによる低電源電圧・低消費電力デバイスとしてシリコンナノワイヤトランジスタ(Si... [more] | SDM2010-35 pp.11-16 |
| SDM | 2010-06-22 10:45 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | SiナノワイヤへのNiシリサイド形成と過剰な侵入とその抑制に関する検討 ○茂森直登・佐藤創志・角嶋邦之・パールハット アヘメト・筒井一生・西山 彰・杉井信之・名取研二・服部健雄・岩井 洋（東工大） SDM2010-36 |
SiナノワイヤにおけるNiシリサイドはワイヤ形状や周囲の酸化膜の影響から、バルク基板との反応と異なった反応を示す。ワイヤ... [more] | SDM2010-36 pp.17-22 |
| SDM | 2010-06-22 11:25 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | 金属/Si界面の偏析層によるショットキーバリアの変調：第一原理計算による化学的傾向の検討 ○小日向恭祐・丸田勇亮・中山隆史（千葉大） SDM2010-37 |
金属/Si界面に発生する偏析原子層の安定性とショットキーバリア変調の化学的傾向を、偏析原子種をII族からVII族までを変... [more] | SDM2010-37 pp.23-26 |
| SDM | 2010-06-22 11:45 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | Ge MISおよびGe/Metal接合の化学結合状態および電気的特性評価 ○藤岡知宏・板東竜也・大田晃生・村上秀樹・東 清一郎・宮崎誠一（広島大） SDM2010-38 |
[more] | SDM2010-38 pp.27-32 |
| SDM | 2010-06-22 12:05 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | 分子軌道法によるGe(100)表面終端元素の検討 ○DongHun Lee・金島 岳・奥山雅則（阪大） SDM2010-39 |
Siより高い移動度を持つGeは高性能メモリデバイスになる次世代半導体材料として注目されている。しかし、Geは界面準位が多... [more] | SDM2010-39 pp.33-37 |
| SDM | 2010-06-22 13:25 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | 原子層堆積法により作製したPrAlOの結晶構造および電気的特性 ○古田和也・竹内和歌奈・坂下満男・近藤博基・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2010-40 |
[more] | SDM2010-40 pp.39-42 |
| SDM | 2010-06-22 13:45 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | EOT=0.5nmに向けた希土類MOSデバイスの高温短時間熱処理の検討 ○来山大祐・小柳友常・角嶋邦之・Parhat Ahmet・筒井一生・西山 彰・杉井信之・名取研二・服部健雄・岩井 洋（東工大） SDM2010-41 |
EOT=0.5 nmを達成するにはSi基板との界面においてSiO<sub>2</sub>界面層が形成されないhigh-k... [more] | SDM2010-41 pp.43-48 |
| SDM | 2010-06-22 14:10 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | High-k/III‐V界面の組成・構造とMIS特性との関係 ○安田哲二・宮田典幸・卜部友二・石井裕之・板谷太郎・前田辰郎（産総研）・山田 永・福原 昇・秦 雅彦（住友化学）・大竹晃浩（物質・材料研究機構）・星井拓也・横山正史・竹中 充・高木信一（東大） SDM2010-42 |
ゲート長が10 nm以下となる技術世代において駆動力向上と低消費電力化を可能にする技術としてIII-V族半導体をチャネル... [more] | SDM2010-42 pp.49-54 |
| SDM | 2010-06-22 14:35 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | GeO2/Ge界面反応の理解に基づくGeO2膜物性の劣化現象の制御 ○喜多浩之（東大/JST）・王 盛凱・李 忠賢・吉田まほろ（東大）・西村知紀・長汐晃輔・鳥海 明（東大/JST） SDM2010-43 |
[more] | SDM2010-43 pp.55-60 |
| SDM | 2010-06-22 15:15 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | 作製後における電子局在注入による非対称パスゲートトランジスタ及びしきい値圧ばらつき自己修復機能を有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上 ○宮地幸祐・田中丸周平・本田健太郎（東大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・竹内 健（東大） SDM2010-44 |
本論文ではSRAMセルの安定性を自己修復するように一方のパスゲートトランジスタのゲート絶縁膜中に局所的に電子を注入するこ... [more] | SDM2010-44 pp.61-65 |
| SDM | 2010-06-22 15:35 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | 一層型SGT、積層型SGTを用いたシステムLSIのパターン面積の比較検討 ○小玉貴大・渡辺重佳（湘南工科大） SDM2010-45 |
[more] | SDM2010-45 pp.67-72 |
| SDM | 2010-06-22 15:55 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | ユニバーサルメモリを目指した積層型NOR MRAMの検討 ○玉井翔人・渡辺重佳（湘南工科大） SDM2010-46 |
[more] | SDM2010-46 pp.73-78 |
| SDM | 2010-06-22 16:30 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | 銅酸化物超伝導体を用いたReRAMの研究 ～ ペロブスカイト型ReRAMの動作解明 ～ ○松原勝彦・木下健太郎・花田明紘・岸田 悟（鳥取大） |
[more] | |
| SDM | 2010-06-22 16:50 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | TiO2へのY添加が電子状態および抵抗変化特性に与える影響 ○大田晃生・後藤優太・モハマド ファイルズ カマルザン・尉 国浜・村上秀樹・東 清一郎・宮崎誠一（広島大） SDM2010-47 |
[more] | SDM2010-47 pp.79-84 |
| SDM | 2010-06-22 17:10 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | フェリチンタンパク質により形成したナノ粒子の抵抗変化メモリ応用 ～ 金属ナノ粒子による伝導パスの制御 ～ 上沼睦典・○川野健太郎（奈良先端大/CREST JST）・吉井重雄・山下一郎（奈良先端大/パナソニック）・浦岡行治（奈良先端大/CREST JST） SDM2010-48 |
本研究では、フェリチンにより内包した金ナノ粒子とフェリチンのバイオミネラリゼーションにより形成したPtナノ粒子を用いて抵... [more] | SDM2010-48 pp.85-88 |
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