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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2009年度)
「from:2009-12-04 to:2009-12-04」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2009-12-04 09:20 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | マイクロ波焼成によるZnS系無機EL蛍光体の発光特性の改善 ○小林祐輔（奈良先端大）・田口信義（イメージテック）・須崎昌己（阪府高専）・堀田昌宏（奈良先端大）・浦岡行治（奈良先端大/JST）  SDM2009-151 |
我々はマイクロ波焼成により作製したZnS系蛍光体の光学特性を調査した．今回，2種類の紛体サイズのZnS粉末とZnS+Cu... [more] | SDM2009-151 pp.1-4 |
| SDM | 2009-12-04 09:40 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | 4H-SiC MOS界面へのリンの導入による界面準位密度の低減 ○岡本 大・矢野裕司・平田憲司・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） SDM2009-152 |
4H-SiC MOS界面に種々の元素をイオン注入により導入し，界面準位密度の変化を調べた． B, N, F, Al, P... [more] | SDM2009-152 pp.5-10 |
| SDM | 2009-12-04 10:00 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | 電子線照射によるAl-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度変化 ○野尻琢慎・柳澤英樹・明神善子・松浦秀治（阪電通大）・大島 武（原子力機構） SDM2009-153 |
電子線を照射したAl-doped 6H-SiCエピ膜に対して、van der pauw法を用いたホール効果測定により得ら... [more] | SDM2009-153 pp.11-16 |
| SDM | 2009-12-04 10:20 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | 200keV電子線照射によるSiCエピ膜中の耐放射線性に関する研究 ～ ドープ量依存性 ～ ○柳澤英樹・西野公三・野尻琢慎・松浦秀治（阪電通大）・大島 武（原子力機構） SDM2009-154 |
SiC中のC原子のみを変位させる200keVの電子線照射が，Al-doped 4H-SiCとN-doped 4H-SiC... [more] | SDM2009-154 pp.17-22 |
| SDM | 2009-12-04 10:40 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | 電子線照射によって生じるC変位によるAl-doped 4H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度減少について ○西野公三・柳澤英樹・野尻琢慎・松浦秀治（阪電通大）・大島 武（原子力機構） SDM2009-155 |
(事前公開アブストラクト) Al-doped 4H-SiCエピ膜に200 keVの電子線を照射する事でAl-doped ... [more] | SDM2009-155 pp.23-28 |
| SDM | 2009-12-04 11:00 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | 薄膜トランジスタをもちいたポテンシオスタットによる電気化学測定 ○分銅衡介・飯室恵紀・瀬津光司（龍谷大）・佐川祐樹（奈良先端大）・木村 睦（龍谷大） SDM2009-156 |
薄膜トランジスタをもちいたポテンシオスタットを開発した。ポテンシオスタットの印加電圧制御機能と電流電圧変換機能を確認した... [more] | SDM2009-156 pp.29-33 |
| SDM | 2009-12-04 11:20 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | Poly-Si TFTにおけるゲート酸化膜へのホットホール注入と捕獲／放出特性の評価 ○鎌倉良成（阪大）・日昔 崇（阪大/関西大）・辻 博史・谷口研二（阪大） SDM2009-157 |
nチャネル低温ポリシリコンTFTのオフ領域で観測されたId－Vg特性のヒステリシス現象について、その発生条件を調査すると... [more] | SDM2009-157 pp.35-38 |
| SDM | 2009-12-04 11:40 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | エタノールクラスターイオンビームを用いたシリコン基板の微細加工 ○向井 寛・龍頭啓充・竹内光明・高岡義寛（京大） SDM2009-158 |
(事前公開アブストラクト) エタノールクラスターイオンビームを用いると、低損傷で極めて高いスパッタリング率が得られること... [more] | SDM2009-158 pp.39-41 |
| SDM | 2009-12-04 13:00 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | ［招待講演］High-k/メタルゲートMOSFETのしきい値電圧の温度依存性 西田征男（ルネサステクノロジ/広島大）・永久克己・清水昭博・山下朋弘・尾田秀一・井上靖朗（ルネサステクノロジ）・○芝原健太郎（広島大/ルネサステクノロジ） SDM2009-159 |
(事前公開アブストラクト) High-k/metal gate MOSFETについて昨年のIEDMでpoly-Si ga... [more] | SDM2009-159 pp.43-47 |
| SDM | 2009-12-04 13:30 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | X線検出素子(Silicon Drift Detector)の簡素化 ～ シミュレーションによる評価 ～ ○北野谷征吾・三宅貴之・谷口征大・松浦秀治（阪電通大） SDM2009-160 |
環境問題の高まりから有害物質に対する規制が多く設けられている．有害物質検査の短時間化を計るために，その場検査のできる可搬... [more] | SDM2009-160 pp.49-54 |
| SDM | 2009-12-04 13:50 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | 三次元基板のグリーンレーザー結晶化によるLTPS-TFTフラッシュメモリの特性評価 ○市川和典・松江将博・赤松 浩（神戸高専）・浦岡行治（奈良先端大） SDM2009-161 |
近年低温poly-Si TFT（LTPS TFT）移動度の向上により、CPUやメモリなどの集積回路を同一基板上に作製する... [more] | SDM2009-161 pp.55-58 |
| SDM | 2009-12-04 14:10 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | 薄膜デバイスの人工網膜への応用検討 ○三浦佑太・小倉 健・大野史郎（龍谷大）・八田智久・西崎仁貴・山下毅彦（奈良先端大）・島 武弘・木村 睦（龍谷大） SDM2009-162 |
薄膜デバイスの人工網膜への応用を検討している。これらの薄膜デバイスは、透明で可曲なプラスティック基板に作製可能であり、光... [more] | SDM2009-162 pp.59-62 |
| SDM | 2009-12-04 14:30 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | ガラス上に形成された大粒径を有する多結晶シリコン薄膜におけるゲッタリング現象 ○原 明人・佐藤 功（東北学院大） SDM2009-163 |
多結晶シリコン薄膜は薄膜トランジスタや太陽電池材料として注目されているが、それらのデバイスの性能・効率・信頼性の向上のた... [more] | SDM2009-163 pp.63-65 |
| SDM | 2009-12-04 14:50 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | Poly-Si TFTによるデバイスレベルのニューラルネットワーク ○三島大樹・谷口 仁・笠川知洋（龍谷大）・田畑裕貴・小野寺 亮（奈良先端大）・小嶋明樹・木村 睦（龍谷大） SDM2009-164 |
(事前公開アブストラクト) Poly-Si TFT によるデバイスレベルのニューラルネットワークを開発した。これは、はじ... [more] | SDM2009-164 pp.67-71 |
| SDM | 2009-12-04 15:30 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | レーザプラズマ軟X線照射により形成された擬似結晶核を介したa-Si膜の結晶化 ○礒田伸哉・松尾直人・天野 壮・部家 彰・宮本修治・望月孝晏（兵庫県立大） SDM2009-165 |
LPXを照射したa-Si膜を、ラマン分光法、分光エリプソメトリ、ESRを用いて解析した。LPX照射によりa-Si膜上部の... [more] | SDM2009-165 pp.73-77 |
| SDM | 2009-12-04 15:50 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | 熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理及びポストメタライゼーションアニールを用いた高品質SiO2膜及びSiO2/Si界面の形成 ○広重康夫・東 清一郎・宮崎祐介・松本和也・宮崎誠一（広島大） SDM2009-166 |
リモートプラズマCVD (RPECVD) により300 ℃で堆積したSiO2膜に熱プラズマジェット (TPJ) 照射ミリ... [more] | SDM2009-166 pp.79-82 |
| SDM | 2009-12-04 16:10 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | 強誘電体インクの安定性改善 ○大場友裕・前田慎弥・山口正樹（芝浦工大） SDM2009-167 |
任意のパターンを直接描画できる利点を持つインクジェット法に注目し．自発分極や圧電効果など様々な性質を示す強誘電体薄膜の形... [more] | SDM2009-167 pp.83-88 |
| SDM | 2009-12-04 16:30 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜における電気的特性の組成依存性 ○岩田達哉・西 佑介・木本恒暢（京大） SDM2009-168 |
酸化ニッケル(NiO) は不定比酸化物として知られており，また，抵抗スイッチング特性を示すことから，抵抗変化型不揮発性メ... [more] | SDM2009-168 pp.89-92 |
| SDM | 2009-12-04 16:50 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | 二次電子像によるC-AFM抵抗書き込み領域識別技術の適用によるReRAM動作機構の解明 ○牧野達也・木下健太郎・土橋一史・依田貴稔・岸田 悟（鳥取大） SDM2009-169 |
NiO膜にC-AFMを用いて高抵抗状態及び低抵抗状態を書き込み, 上部電極に妨げられることなくSEM及びEPMAによる観... [more] | SDM2009-169 pp.93-96 |
| SDM | 2009-12-04 17:10 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜中の欠陥準位の検出 ○西 佑介・岩田達哉・木本恒暢（京大） SDM2009-170 |
抵抗変化特性を有するニッケル酸化物(NiO)薄膜が，抵抗変化型不揮発性メモリ(ReRAM)用材料の一つとして近年大いに注... [more] | SDM2009-170 pp.97-100 |
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