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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2009年度)
「from:2009-11-12 to:2009-11-12」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2009-11-12 10:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］誘導結合通信による低消費電力3次元システムインテグレーションとその展望 ○黒田忠広（慶大） |
[more] | |
| SDM | 2009-11-12 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］MOSFETコンパクトモデルと今後の展開 ～ バルクMOSFETからマルチゲートMOSFETに向けて ～ ○三浦道子・三宅正尭・上口 光・楠 隼太・石村健太・菊地原秀行・Feldmann Uwe・Mattausch Hans Juergen（広島大）  SDM2009-135 |
[more] | SDM2009-135 pp.1-6 |
| SDM | 2009-11-12 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］2009 SISPADレビュー ○田中克彦（MIRAI-Selete） SDM2009-136 |
2009 International Conference on Simulation of Semiconductor... [more] | SDM2009-136 pp.7-11 |
| SDM | 2009-11-12 13:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］2009 SISPADレビュー (2) ○小川真人（神戸大） SDM2009-137 |
ホテル デル コロナドで開催された2009 SISPADの内容のうち，量子効果デバイス， ナノスケールデバイスについて... [more] |
SDM2009-137 pp.13-17 |
| SDM | 2009-11-12 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | 表面ポテンシャルを用いた薄膜トランジスタのドレイン電流モデル ○辻 博史（阪大/JST）・鎌倉良成・谷口研二（阪大） SDM2009-138 |
多結晶シリコン薄膜トランジスタ(poly-Si TFT)の新たなドレイン電流モデルを提案する．poly-Si TFTの緩... [more] | SDM2009-138 pp.19-22 |
| SDM | 2009-11-12 15:05 |
東京 | 機械振興会館 | 回路シミュレーション用IGBTモデル"HiSIM-IGBT" ○三宅正尭・舛岡弘基・ウヴェ フェルドマン・三浦道子（広島大） SDM2009-139 |
高耐圧デバイスIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）を用いた数百ボルトから数千ボルトクラスの電力変換回路の設計に... [more] | SDM2009-139 pp.23-27 |
| SDM | 2009-11-12 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | MEMS等価回路ジェネレータの開発 ○藤原信代・浅海和雄（みずほ情報総研）・小池智之（マイクロマシンセンター）・土屋智由（京大）・橋口 原（静岡大） SDM2009-140 |
CMOS-MEMS(micro electromechanical system)デバイスの設計効率向上のために「等価回... [more] | SDM2009-140 pp.29-32 |
| SDM | 2009-11-12 15:55 |
東京 | 機械振興会館 | CMOSバイオセンサー応用のためのデバイスモデリングとシミュレーション ○宇野重康・中里和郎（名大） SDM2009-141 |
CMOS バイオセンシングにおいて中心的役割を担うIon-sensitive Field-Effect Transist... [more] | SDM2009-141 pp.33-37 |
| SDM | 2009-11-13 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | 自己発熱効果がナノスケールトランジスタの電気特性に与える影響 ○鎌倉良成・森 伸也（阪大/JST）・谷口研二（阪大） SDM2009-142 |
ナノスケールSi-MOSFET 内部における非平衡光学フォノンの発生とそれが電気特性に与える影響を数値シミュレーションを... [more] | SDM2009-142 pp.39-44 |
| SDM | 2009-11-13 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | 原子論モデルにおけるR行列量子輸送シミュレーション ミリニコフ ゲナディ・○森 伸也・鎌倉良成（阪大/JST） SDM2009-143 |
原子論に基づく量子輸送計算のための離散版R行列法を定式化した．開発した手法を用いることにより，デバイスシミュレーションに... [more] | SDM2009-143 pp.45-48 |
| SDM | 2009-11-13 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | フルバンド・デバイスシミュレーションによる歪みSiGe/Si-pMOSFETのキャリア輸送特性解析 ○竹田 裕（NECエレクトロニクス）・河田道人（NEC情報システムズ）・竹内 潔・羽根正巳（NECエレクトロニクス） SDM2009-144 |
歪みSiGe/SiチャネルpMOSFETのキャリア輸送特性をフルバンド・デバイスシミュレーションにより解析し、最適なSi... [more] | SDM2009-144 pp.49-53 |
| SDM | 2009-11-13 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | 微細金属配線における抵抗率のサイズ効果予測のためのモンテカルロ・シミュレーション ○来栖貴史・和田 真・松永範昭・梶田明広・谷本弘吉・青木伸俊・豊島義明・柴田英毅（東芝） SDM2009-145 |
LSIの金属配線設計において、サイズ縮小に伴って配線の抵抗率が上昇するという“抵抗率のサイズ効果”が問題となっている．次... [more] | SDM2009-145 pp.55-60 |
| SDM | 2009-11-13 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［チュートリアル招待講演］薄層SOIデバイスの性能、有用性と今後の展開の見通し ～ 20年前の議論、10年前の議論と現在の課題 ～ ○大村泰久（関西大） SDM2009-146 |
本報告では、先ず、過去50年のSOIデバイス技術の歴史を見たとき、現代の薄層SOI MOSFET技術の到達点と近未来の3... [more] | SDM2009-146 pp.61-66 |
| SDM | 2009-11-13 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］微細MOSデバイスにおけるランダムばらつき ○竹内 潔（MIRAI-Selete/NECエレクトロニクス）・西田彰男（MIRAI-Selete）・平本俊郎（MIRAI-Selete/東大） SDM2009-147 |
[more] | SDM2009-147 pp.67-71 |
| SDM | 2009-11-13 15:00 |
東京 | 機械振興会館 | チャネル不純物分布を正確に反映した離散化表面ポテンシャルモデルとその超高速不純物濃度ばらつき解析への応用 ○坂本浩則・有本 宏・増田弘生・船山 敏・熊代成孝（MIRAI-Selete） SDM2009-148 |
[more] | SDM2009-148 pp.73-78 |
| SDM | 2009-11-13 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | High-k/Metal-gate界面健全性に及ぼす点欠陥と格子ひずみの相互作用の原子レベルシミュレーション ○鈴木 研・伊藤雄太・井上達也・三浦英生（東北大）・吉川英樹・小林啓介（物質・材料研究機構）・寒川誠二（東北大） SDM2009-149 |
原子・分子レベルでアプローチ可能な方法論として計算化学的手法に着目し，High-k絶縁膜と金属電極界面の健全性に及ぼす点... [more] | SDM2009-149 pp.79-84 |
| SDM | 2009-11-13 15:50 |
東京 | 機械振興会館 | 構造緩和したSiO2中のSiクラスタへのタイトバイディング計算の適用 ○川端研二・市川尚志・渡辺浩志（東芝） SDM2009-150 |
昨今の微細化の進展により、デバイスサイズはナノオーダーに突入しつつあり、これまで見過ごされてきた微細化極限物性的な問題が... [more] | SDM2009-150 pp.85-90 |
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