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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)  (検索条件: 2009年度)

「from:2009-06-19 to:2009-06-19」による検索結果

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講演検索結果
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 19件中 1~19件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2009-06-19
09:30
東京 東京大学(生産研An棟) Geの材料物性ーSiとの比較
伊藤公平慶大SDM2009-26
本講演ではゲルマニウム半導体の歴史と,ゲルマニウムを扱う時にシリコンの常識と違う点を抽出して紹介する. [more] SDM2009-26
pp.1-2
SDM 2009-06-19
10:00
東京 東京大学(生産研An棟) 分子動力学法によるGeO2/Ge界面のモデリング ~ SiO2/Siとの違い ~
渡邉孝信恩田知弥登坂 亮山本英明早大SDM2009-27
GeとOの任意の混在系を再現する原子間相互作用モデルを開発し、この相互作用モデルを用いた分子動力学シミュレーションでGe... [more] SDM2009-27
pp.3-8
SDM 2009-06-19
10:20
東京 東京大学(生産研An棟) Si酸化における界面反応の第一原理計算
秋山 亨三重大)・影島博之NTT)・植松真司慶大)・伊藤智徳三重大SDM2009-28
Si酸化における界面反応過程の詳細を第一原理計算に基づき解明した。ドライ酸化を想定したO$_2$分子での界面反応では、O... [more] SDM2009-28
pp.9-13
SDM 2009-06-19
10:50
東京 東京大学(生産研An棟) GeO2/Ge界面形成の物理と電気特性改善技術
渡部平司齊藤真里奈齊藤正一朗岡本 学朽木克博細井卓治小野倫也志村考功阪大SDM2009-29
 [more] SDM2009-29
pp.15-20
SDM 2009-06-19
11:20
東京 東京大学(生産研An棟) GeMIS界面欠陥の電気的性質
田岡紀之水林 亘森田行則右田真司太田裕之半導体MIRAIプロジェクト)・高木信一半導体MIRAIプロジェクト/東大SDM2009-30
Ge MIS界面の電気的特性の理解は、少数キャリアの複雑な応答のため非常に困難である。そこで、本報告では、少数キャリアと... [more] SDM2009-30
pp.21-26
SDM 2009-06-19
12:40
東京 東京大学(生産研An棟) Ge MOSデバイスの熱安定性 ~ Ge oxygen [GeO(g)]脱ガスにおけるGe monoxide [GeO(II)]の役割 ~
鎌田善己MIRAI-東芝)・高島 章東芝)・手塚 勉MIRAI-東芝SDM2009-31
GeO(g)脱ガス温度は、酸化手法に依存せず、Ge酸化膜中のGeO(II)比率が多い程、低下する。GeO(g)脱ガスはH... [more] SDM2009-31
pp.27-31
SDM 2009-06-19
13:00
東京 東京大学(生産研An棟) 金属/ゲルマニウム界面のフェルミレベルピンニングとその制御性
西村知紀長汐晃輔喜多浩之鳥海 明東大/JSTSDM2009-32
Geデバイスの適用世代では微細化に伴う寄生抵抗の低減が必要不可欠であり、接触抵抗においては金属/半導体間のショットキー障... [more] SDM2009-32
pp.33-38
SDM 2009-06-19
13:20
東京 東京大学(生産研An棟) ラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造制御
加藤公彦近藤博基坂下満男財満鎭明名大SDM2009-33
高移動度Geチャネルを有するmetal-oxide-semiconductor (MOS) 型トランジスタの実現に向け、... [more] SDM2009-33
pp.39-44
SDM 2009-06-19
13:40
東京 東京大学(生産研An棟) HfO2/Ge MIS構造のF2処理と窒素ラジカル処理による電気的特性の向上
今庄秀人Hyun LeeDong-Hun Lee吉岡祐一金島 岳奥山雅則阪大SDM2009-34
我々はGe表面へのF2処理により界面のダングリングボンドを終端することで電気的特性が改善されることを報告したが,ゲート絶... [more] SDM2009-34
pp.45-50
SDM 2009-06-19
14:10
東京 東京大学(生産研An棟) 界面層にHfGeNおよびGeO2を有するhigh-k膜/Ge構造の形成と電気的評価 ~ Ge基板への絶縁膜形成 ~
中島 寛平山佳奈楊 海貴王 冬九大SDM2009-35
We are searching MIS structure with good interface and insul... [more] SDM2009-35
pp.51-56
SDM 2009-06-19
14:30
東京 東京大学(生産研An棟) 熱酸化および低温プロセスを用いて形成したGeO2/Ge構造の界面サブオキサイドの光電子分光分析
村上秀樹小埜芳和大田晃生東 清一郎宮崎誠一広島大SDM2009-36
熱酸化および低温プロセスを用いて形成したGeO2/Geの化学結合状態および熱脱離による化学構造変化をX線光電子分光法によ... [more] SDM2009-36
pp.57-60
SDM 2009-06-19
14:50
東京 東京大学(生産研An棟) LaAlO/Ge構造へのALD-Al2O3界面制御層挿入の効果
坂下満男加藤亮祐京極真也近藤博基財満鎭明名大SDM2009-37
GeチャネルMOSFETは高速動作および低電圧動作デバイスとして期待され、また一方で、high-k材料によるゲート絶縁膜... [more] SDM2009-37
pp.61-66
SDM 2009-06-19
15:10
東京 東京大学(生産研An棟) 低しきい値pMISFETに向けたAl2O3を堆積させたHfO2ゲート絶縁膜のアニールプロセスの検討
諸岡 哲松木武雄三瀬信行神山 聡生田目俊秀栄森貴尚奈良安雄由上二郎池田和人大路 譲半導体先端テクノロジーズSDM2009-38
Al2O3/HfO2/SiON構造ゲート絶縁膜を形成するためのアニールプロセスとVfb, EOT及びVtバラツキとの関係... [more] SDM2009-38
pp.67-70
SDM 2009-06-19
15:40
東京 東京大学(生産研An棟) LaまたはAl添加によるHfSiOn/SiO2界面のダイポール変調に起因する移動度低下と閾値電圧シフトとの相関関係
辰村光介石原貴光犬宮誠治中嶋一明金子明生後藤正和川中 繁木下敦寛東芝SDM2009-39
high-k/SiO2界面のダイポール変調に起因するリモートクーロン散乱(RCS)による移動度低下と閾値電圧シフト(ΔV... [more] SDM2009-39
pp.71-76
SDM 2009-06-19
16:00
東京 東京大学(生産研An棟) High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ
小原孝介山下一郎奈良先端大)・八重樫利武茂庭昌弘吉丸正樹半導体理工学研究センター)・浦岡行治奈良先端大/JSTSDM2009-40
我々は生体由来の球殻タンパク質(フェリチン)を利用したドット型フローティングゲートメモリの実現を目指した研究を行っている... [more] SDM2009-40
pp.77-80
SDM 2009-06-19
16:20
東京 東京大学(生産研An棟) Pr(EtCp)3を用いた原子層堆積法によるPr酸化膜の形成
近藤博基古田和也松井裕高坂下満男財満鎭明名大SDM2009-41
Pr(EtCp)3を用いた原子層堆積法(ALD)によるPr酸化膜の成長手法について研究を行い,ウェハー面内での膜厚ばらつ... [more] SDM2009-41
pp.81-85
SDM 2009-06-19
16:50
東京 東京大学(生産研An棟) 極薄LaOxからHfO2/SiO2層へのLa原子の拡散
大田晃生貫目大介東 清一郎宮崎誠一広島大SDM2009-42
800ºC O2雰囲気中熱処理したHfO2(~4.0nm)/SiO2(~3.8nm)/Si上にMOCVDにより... [more] SDM2009-42
pp.87-92
SDM 2009-06-19
16:55
東京 東京大学(生産研An棟) ドープした金属シリサイドの電子構造に関する理論的検討
五月女真一中山隆史千葉大SDM2009-43
 [more] SDM2009-43
pp.93-97
SDM 2009-06-19
17:00
東京 東京大学(生産研An棟) TiO2/Pt界面の化学結合および電子状態評価
後藤優太貫目大介大田晃生尉 国浜村上秀樹東 清一郎宮崎誠一広島大SDM2009-44
TiO2を用いた抵抗変化型メモリの動作原理機構解明に向けた取り組みとして、TiO2/Pt界面の酸化・還元反応に着目し、T... [more] SDM2009-44
pp.99-103
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