研究会 - シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)

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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2006年度)

「from:2006-06-21 to:2006-06-21」による検索結果

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講演検索結果

登録講演（開催プログラムが公開されているもの） （日付・昇順）

研究会	発表日時	開催地		タイトル・著者	抄録	資料番号
SDM	2006-06-21 13:00	広島	広島大学, 学士会館	MOCVD法による堆積膜/SiCの作製と評価 ○日野史郎・畑山智裕・徳光永輔（東工大）・三浦成久・大森達夫（三菱電機）	SiC-パワーMOSFETの実用化には絶縁膜/SiC界面の特性を改善する必要がある。本研究では通常の熱酸化法でSiO2/... [more]	SDM2006-42 pp.1-5
SDM	2006-06-21 13:25	広島	広島大学, 学士会館	HfO2/Ge(100)構造における光電子分光分析 ○中川　博・大田晃生・安部浩透・村上秀樹・東　清一郎・宮崎誠一（広島大）	化学溶液洗浄したGe(100)基板上に反応性電子ビーム(EB)蒸着により堆積した極薄HfO2膜(膜厚2.1&#61566... [more]	SDM2006-43 pp.7-12
SDM	2006-06-21 13:50	広島	広島大学, 学士会館	光電子分光法によるAl2O3/SiNx/poly-Siスタック構造における界面反応評価 ○古川寛章・多比良昌弘・大田晃生・中川　博・村上秀樹・宮崎誠一（広島大）・米田賢司・堀川貢弘・小山邦明・三宅秀治（エルピーダメモリ）	[more]	SDM2006-44 pp.13-17
SDM	2006-06-21 14:30	広島	広島大学, 学士会館	La2O3-Al2O3複合膜における定電圧ストレス印加時の局所的な電荷捕獲とその放出過程 ○佐合寿文・世古明義・坂下満男・酒井　朗・小川正毅・財満鎭明（名大）	高誘電率ゲート絶縁膜として期待されているLa2O3-Al2O3複合膜に着目し、定電圧ストレス印加中の局所リーク電流を電流... [more]	SDM2006-45 pp.19-24
SDM	2006-06-21 14:55	広島	広島大学, 学士会館	低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価 ○上殿明良・大塚　崇・伊東健一・白石賢二・山部紀久夫（筑波大）・宮崎誠一（広島大）・梅澤直人・知京豊裕（物質・材料研究機構）・大平俊行・鈴木良一（産総研）・犬宮誠治・神山　聡（半導体先端テクノロジーズ）・赤坂泰志（東京エレクトロン）・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ）・山田啓作（早大）	[more]	SDM2006-46 pp.25-30
SDM	2006-06-21 15:20	広島	広島大学, 学士会館	フェルミピニングによるpoly-Si電極の仕事関数制御と低電力用CMOSFET特性の向上 ○嶋本泰洋（日立）・由上二郎・井上真雄・水谷斉治・林　岳・米田昌弘（ルネサステクノロジ）	[more]	SDM2006-47 pp.31-35
SDM	2006-06-21 16:00	広島	広島大学, 学士会館	金属電極/High-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響 ○大毛利健治（物質・材料研究機構）・Parhat Ahmet（東工大）・白石賢二（筑波大）・渡部平司（阪大）・赤坂泰志（半導体先端テクノロジーズ）・山部紀久雄（筑波大）・吉武道子（物質・材料研究機構）・K. S. Chang・M. L. Green（NIST）・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ）・山田啓作（早大）・知京豊裕（物質・材料研究機構）	[more]	SDM2006-48 pp.37-41
SDM	2006-06-21 16:25	広島	広島大学, 学士会館	NiSi/SiO2界面近傍の化学結合状態およびNiSi 層の実効仕事関数評価 ○吉永博路・東　大介・村上秀樹・大田晃生・宗高勇気・東　清一郎・宮崎誠一（広島大）・青山敬幸・保坂公彦（富士通研）・芝原健太郎（広島大）	不純物(Sb、As 、PおよびB)添加したNi-silicideを熱酸化シリコン酸化膜（SiO2）上に形成し、Si基板を... [more]	SDM2006-49 pp.43-48
SDM	2006-06-21 16:50	広島	広島大学, 学士会館	シリコン表面マイクロラフネスの発生メカニズムと低減技術 ○森永　均・島岡健治・大見忠弘（東北大）	シリコン表面のマイクロラフネスはウェットプロセス中に増大する。ラフネス発生機構を詳細に解析した結果、ラフネスは、驚くべき... [more]	SDM2006-50 pp.49-54
SDM	2006-06-21 17:15	広島	広島大学, 学士会館	フェリチンタンパク質コアの非晶質Si薄膜中熱処理による還元松村貴志・三浦篤志・○浦岡行治・冬木　隆（奈良先端大）・吉井重雄・山下一郎（松下電器）	[more]	SDM2006-51 pp.55-59
SDM	2006-06-22 09:00	広島	広島大学, 学士会館	Si(110)とSi(100)表面の初期酸化過程の違い～リアルタイム光電子分光測定から～ ○末光眞希・加藤　篤・富樫秀晃・今野篤史（東北大）・寺岡有殿・吉越章隆（原子力機構）・成田　克（九工大）	Si(110)-16´2 表面の初期酸化過程をリアルタイム光電子分光法により評価し，Si(100)面酸化と比較した．Si... [more]	SDM2006-52 pp.61-63
SDM	2006-06-22 09:25	広島	広島大学, 学士会館	Si(110)基板上CMOSトランジスタ特性のGate酸化プロセス依存性 ○桧山　晋・王　俊利・加藤孝義・平野智之・田井香織・岩元勇人（ソニー）	Si(110)基板上にCMOSトランジスタを形成し、正孔移動度のGate酸化プロセス依存性評価を行った。評価を行った酸化... [more]	SDM2006-53 pp.65-69
SDM	2006-06-22 09:50	広島	広島大学, 学士会館	直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性 ○樋口正顕（東北大）・品川誠治（武蔵工大）・寺本章伸（東北大）・野平博司（武蔵工大）・服部健雄（東北大/武蔵工大）・池永英司（高輝度光科学研究センター）・須川成利・大見忠弘（東北大）	[more]	SDM2006-54 pp.71-76
SDM	2006-06-22 10:30	広島	広島大学, 学士会館	角度分解光電子分光を用いたSiO2/SiN積層膜の窒素濃度分布の解析 ○豊田智史・岡林　潤・尾嶋正治（東大）・劉　国林・劉　紫園・池田和人・臼田宏治（半導体理工学研究センター）	酸窒化膜の窒素濃度分布および化学結合状態はトランジスタの特性および構造を理解するために重要である。角度分解光電子分光法は... [more]	SDM2006-55 pp.77-80
SDM	2006-06-22 10:55	広島	広島大学, 学士会館	窒素高濃度極薄SiON膜のVtb改善メカニズム ○松下大介・村岡浩一・中崎　靖・加藤弘一・菊地祥子・佐久間　究・三谷祐一郎・高柳万里子・江口和弘（東芝）	[more]	SDM2006-56 pp.81-86
SDM	2006-06-22 11:20	広島	広島大学, 学士会館	極薄ゲート絶縁膜のNBTIに及ぼす窒素と水素の影響 ○三谷祐一郎・佐竹秀喜（東芝）	極薄ゲート絶縁膜の負バイアス温度不安定性(NBTI)は、微細化の進むCMOSデバイスのPチャネルMOSFETにおいてもっ... [more]	SDM2006-57 pp.87-92
SDM	2006-06-22 12:45	広島	広島大学, 学士会館	HfNのECRプラズマ酸化によるHfON薄膜の形成 ○大見俊一郎・黒瀬朋紀・佐藤雅樹（東工大）	[more]	SDM2006-58 pp.93-97
SDM	2006-06-22 13:10	広島	広島大学, 学士会館	酸素雰囲気アニール中のHfO2/SiO2/Si(001)界面反応の高分解能RBS観察趙　明・○中嶋　薫・鈴木基史・木村健二（京大）・植松真司（NTT）・鳥居和功・神山　聡・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ）・山田啓作（早大）	[more]	SDM2006-59 pp.99-102
SDM	2006-06-22 13:35	広島	広島大学, 学士会館	HfO2系ゲート絶縁膜の熱的安定性に対する窒素添加効果 ○高橋憲彦・山崎隆浩・金田千穂子（富士通研）	[more]	SDM2006-60 pp.103-106
SDM	2006-06-22 14:15	広島	広島大学, 学士会館	還元雰囲気下でのゲート電極形成プロセスによるHfo2膜の初期絶縁破壊 ○水林　亘・小川有人・生田目俊秀・佐竹秀喜・鳥海　明（産総研）	[more]	SDM2006-61 pp.107-111

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