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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)  (検索条件: 2019年度)

「from:2019-11-07 to:2019-11-07」による検索結果

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講演検索結果
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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2019-11-07
10:00
東京 機械振興会館 [招待講演]2019 SISPADレビュー
鎌倉良成阪工大SDM2019-68
半導体プロセス・デバイスシミュレーション分野の専門国際会議であるInternational Conference on ... [more] SDM2019-68
pp.1-3
SDM 2019-11-07
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]強誘電体HfO2トンネル接合メモリのスケーラビリティに関する検討
小林正治莫 非多川友作更屋拓哉平本俊郎東大SDM2019-69
 [more] SDM2019-69
pp.5-8
SDM 2019-11-07
13:10
東京 機械振興会館 [招待講演]2次元層状トランジスタの界面の理解と制御
長汐晃輔東大SDM2019-70
 [more] SDM2019-70
pp.9-10
SDM 2019-11-07
14:10
東京 機械振興会館 [招待講演]ビーム実験による原子スケールプロセスにおける表面反応解析
唐橋一浩伊藤智子浜口智志阪大SDM2019-71
 [more] SDM2019-71
pp.11-16
SDM 2019-11-07
15:20
東京 機械振興会館 [招待講演]産業応用を目指したコンパクトモデルの開発
三浦道子広島大SDM2019-72
半導体デバイスの進化によって,回路の性能は向上の一途をたどっている.これに伴って回路設計用モデル,コンパクトモデルの精度... [more] SDM2019-72
pp.17-20
SDM 2019-11-07
16:20
東京 機械振興会館 3Dフラッシュメモリの製造技術を用いた積層型論理回路の設計法 ~ 全加算器の設計法、低消費電力設計法 ~
鈴木章矢渡辺重佳湘南工科大SDM2019-73
 [more] SDM2019-73
pp.21-25
SDM 2019-11-08
09:30
東京 機械振興会館 [招待講演]強誘電体電界効果トランジスタの動的挙動のデバイスシミュレーション
服部淳一池上 努福田浩一太田裕之右田真司浅井栄大産総研SDM2019-74
ゲート・スタックに有する強誘電体膜の特性を利用する強誘電体電界効果トランジスタについて,その非定常状態における振る舞いを... [more] SDM2019-74
pp.27-32
SDM 2019-11-08
10:30
東京 機械振興会館 [招待講演]不純物の離散性に伴った半導体デバイスモデリングの基本的側面 II ~ 半導体ナノ構造におけるランダム不純物 ~
佐野伸行筑波大SDM2019-75
半導体デバイスにドープされた離散的で空間に局在した不純物のデバイスシミュレーションにおける取り扱い方法は、デバイス特性ば... [more] SDM2019-75
pp.33-38
SDM 2019-11-08
11:30
東京 機械振興会館 [招待講演]SiC酸化プロセスの第一原理分子動力学解析
大野隆央物質・材料研究機構SDM2019-76
 [more] SDM2019-76
pp.39-44
SDM 2019-11-08
13:30
東京 機械振興会館 [招待講演]トレンチゲート型Si-IGBTの3次元精密TCADシミュレーション
渡辺正裕執行直之星井拓也古川和由角嶋邦之東工大)・佐藤克己三菱電機)・末代知子東芝デバイス&ストレージ)・更屋拓哉高倉俊彦伊藤一夫福井宗利鈴木慎一竹内 潔東大)・宗田伊里也若林 整東工大)・中島 昭産総研)・西澤伸一九大)・筒井一生東工大)・平本俊郎東大)・大橋弘通岩井 洋東工大SDM2019-77
トレンチゲート型シリコンIGBT(insulated gate bipolar transistor)の3次元TCADシ... [more] SDM2019-77
pp.45-48
SDM 2019-11-08
14:30
東京 機械振興会館 [招待講演]6.5kV IGBTにおける飽和電流とテール電流のTCADキャリブレーションの方法と考察
諏訪剛史早瀬茂昭東芝デバイス&ストレージSDM2019-78
IGBTのTCADキャリブレーションにおいて、特に飽和電流とターンオフ時のテール電流を同時に合わせ込む必要がある場合に何... [more] SDM2019-78
pp.49-54
SDM 2019-11-08
15:40
東京 機械振興会館 [招待講演]先進CMOSイメージセンサ開発へ向けたRTSノイズの計測・解析技術
黒田理人東北大SDM2019-79
 [more] SDM2019-79
pp.55-58
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