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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2017年度)
「from:2018-01-30 to:2018-01-30」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2018-01-30 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］過渡解析TCADシミュレーションによる強誘電体負性容量FinFETトランジスタの考察 ○太田裕之・右田真司・池上 努・服部淳一・浅井栄大・福田浩一（産総研）・鳥海 明（東大）  SDM2017-91 |
[more] | SDM2017-91 pp.1-4 |
| SDM | 2018-01-30 11:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Type-IIエネルギーバンド構造を有する酸化物半導体／(Si, SiGe, Ge)積層型トンネル電界効果トランジスタの提案と動作実証 ○加藤公彦・松井裕章・田畑 仁・竹中 充・高木信一（東大） SDM2017-92 |
本研究では，酸化物半導体とIV族半導体を組み合わせた，Type-IIエネルギーバンド構造を有する新しいトンネル電界効果ト... [more] | SDM2017-92 pp.5-8 |
| SDM | 2018-01-30 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Vth Nearingによる3D-NAND型フラッシュメモリの垂直方向の電荷移動抑制技術 ○溝口恭史・小滝翔平・出口慶明・竹内 健（中大） SDM2017-93 |
Near Data Computingでは, アプリケーションの一部を高速に処理するためにSSDコントローラー内に多くの... [more] | SDM2017-93 pp.9-12 |
| SDM | 2018-01-30 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］16/14nmノード混載フラッシュメモリに向けた狭いVth分布を持つFinFET Split-Gate MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティ ○津田是文・斉藤朋也・長瀬寛和・川嶋祥之・吉冨敦司・岡西 忍・林 倫弘・丸山卓也・井上真雄・村中誠志・加藤茂樹・萩原琢也・齊藤博和・山口 直・門島 勝・丸山隆弘・三原竜善・柳田博史・園田賢一郎・山下朋弘・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス） SDM2017-94 |
本論文ではFinFET構造を持つSG-MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティについて述べる．FinFET SG-M... [more] | SDM2017-94 pp.13-16 |
| SDM | 2018-01-30 15:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］STDP synapse with outstanding stability based on a novel insulator-to-metal transition FET ○Pablo Stoliar（nanoGUNE）・Alejandro Schulman・Ai Kitoh・Akihito Sawa・Isao H. Inoue（AIST） SDM2017-95 |
[more] | SDM2017-95 pp.17-20 |
| SDM | 2018-01-30 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Sub-nm EOT Ferroelectric HfO2 on p+Ge with Highly Reliable Field Cycling Properties ○Xuan Tian・Lun Xu・Shigehisa Shibayama・Tomonori Nishimura・Takeaki Yajima（Univ. of Tokyo）・Shinji Migita（AIST）・Akira Toriumi（Univ. of Tokyo） SDM2017-96 |
5-nm-thick ferroelectric Y-doped HfO2 was intensively studie... [more] | SDM2017-96 pp.21-24 |
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