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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2017年度)
「from:2017-12-22 to:2017-12-22」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 10:30 |
京都 | 京都大学 | 薄型結晶シリコン太陽電池に向けたナノインプリントテクスチャの光閉じ込め効果 ○中井雄也・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大）  EID2017-11 SDM2017-72 |
薄型結晶シリコン太陽電池の実現には光吸収層内での光り閉じ込め効果が重要であり，光の多重反射を目的としたテクスチャを形成す... [more] | EID2017-11 SDM2017-72 pp.1-4 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 10:45 |
京都 | 京都大学 | 高濃度Alドープ4H-SiCエピ膜の伝導機構 ～ 抵抗率のドープ量及び温度依存性 ～ ○小澤愼二・竹下明伸・今村辰哉・高野晃大・奥田和也・日高淳輝・松浦秀治（阪電通大）・紀 世陽・江藤数馬・児島一聡・加藤智久・吉田貞史・奥村 元（産総研） EID2017-12 SDM2017-73 |
オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には，p型SiC基板の低抵抗率化が必要不可欠である．高濃度Alドープ4H... [more] | EID2017-12 SDM2017-73 pp.5-8 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 11:00 |
京都 | 京都大学 | 高濃度Alドープ4H-SiCのホール係数の温度依存性 ～ ホール係数の反転と伝導機構との関係 ～ ○西畑凜哉・竹下明伸・今村辰哉・高野晃大・奥田和也・小澤愼二・日高淳輝・松浦秀治（阪電通大）・紀 世陽・江藤数馬・児島一聡・加藤智久・吉田貞史・奥村 元（産総研） EID2017-13 SDM2017-74 |
オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には，基板であるp+型SiCの低抵抗率化が必要不可欠である．Al濃度が1... [more] | EID2017-13 SDM2017-74 pp.9-12 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 11:15 |
京都 | 京都大学 | Al-Nコドープp型4H-SiCエピ膜の電気的特性 ～ Alドープとコドープの抵抗率の温度依存性の比較 ～ ○日高淳輝・竹下明伸・今村辰哉・高野晃大・奥田和也・小澤愼二・松浦秀治（阪電通大）・紀 世陽・江藤数馬・児島一聡・加藤智久・吉田貞史・奥村 元（産総研） EID2017-14 SDM2017-75 |
オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には，p型SiC基板の低抵抗率化と高品質化が必要不可欠である．高濃度A... [more] | EID2017-14 SDM2017-75 pp.13-16 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 11:30 |
京都 | 京都大学 | Si太陽電池とLEDマトリクスからなる超高出力トランジスタとサイリスタ ○岡本研正（光半導体デバイス応用技術研） |
Siバイポーラトランジスタを作るにはPNPあるいはNPNの３層構造の素子を作らねばならない。またSiサイリスタを作るには... [more] | |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 11:45 |
京都 | 京都大学 | 薄膜コイルを有した生体刺激デバイスへのワイヤレス給電 ○三澤慶悟・冨岡圭佑・三宅康平・木村 睦（龍谷大） EID2017-15 SDM2017-76 |
我々は薄膜デバイスでの生体刺激デバイスに注目している．特に，低温多結晶シリコン薄膜トランジスタ(poly-Si TFT)... [more] | EID2017-15 SDM2017-76 pp.17-22 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 13:15 |
京都 | 京都大学 | GaSnO薄膜を用いたフレキシブルデバイス応用 ○髙木 瞭（龍谷大）・梅田鉄馬（奈良先端大）・松田時宜（龍谷大）・上沼睦典（奈良先端大）・木村 睦（龍谷大） EID2017-16 SDM2017-77 |
レアメタルフリー酸化物半導体のアモルファスGa-Sn-O（a-GTO）薄膜を用いてフレキシブルデバイスへの応用を見据えた... [more] | EID2017-16 SDM2017-77 pp.23-28 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 13:30 |
京都 | 京都大学 | レアメタルフリー酸化物半導体のゼーベック効果測定 ○野村竜生・荒牧達也・松田時宜（龍谷大）・梅田鉄馬・上沼睦典（奈良先端大）・木村 睦（龍谷大） EID2017-17 SDM2017-78 |
廃熱を回収し，効率よく熱エネルギーを電気エネルギーに変換することができれば石油の使用量等を減らすとこができると考えられて... [more] | EID2017-17 SDM2017-78 pp.29-34 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 13:45 |
京都 | 京都大学 | Three-dimension periodic nano-structure fabricated by proximity nano-patterning process (PnP) ○Xudongfang Wang・Yasuaki Ishikawa・Shinji Araki・Yukiharu Uraoka（NAIST）・Seokwoo Jeon（KAIST） EID2017-18 SDM2017-79 |
In recent years, 3D periodic nanostructure have attracted co... [more] | EID2017-18 SDM2017-79 pp.35-38 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 14:00 |
京都 | 京都大学 | IGZO薄膜を可変抵抗素子として用いた脳型集積システム ○山川大樹・柴山友輝・生島恵典・杉崎澄生（龍谷大）・宮前義範（ローム）・木村 睦（龍谷大） EID2017-19 SDM2017-80 |
[more] | EID2017-19 SDM2017-80 pp.39-44 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 14:15 |
京都 | 京都大学 | アモルファス酸化物半導体を用いたクロスポイント型シナプス ○田中 遼・杉崎澄生・木村 睦（龍谷大） EID2017-20 SDM2017-81 |
我々は脳型集積システムに向けたクロスポイント型シナプスをアモルファス酸化物半導体を用いて作製した。クロスポイント型シナプ... [more] | EID2017-20 SDM2017-81 pp.45-49 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 14:30 |
京都 | 京都大学 | 強誘電体キャパシタを用いたニューラルネットワークのシミュレーション ○小川功人・横山朋陽・木村 睦（龍谷大） EID2017-21 SDM2017-82 |
ニューラルネットワークは、生体の脳・神経系が持つ高度な情報処理の機能や原理に学んで、新しい工学的情報処理システムの実現を... [more] | EID2017-21 SDM2017-82 pp.51-55 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 14:45 |
京都 | 京都大学 | シリコン基板上に形成した強誘電体厚膜におよぼすプロトンビーム照射の影響 ○平出 惇・山口正樹（芝浦工大）・増田陽一郎（八戸工大） EID2017-22 SDM2017-83 |
シリコン基板上に堆積した強誘電体薄膜は，不揮発性メモリ，フォトニック結晶，圧電MEMSなどへの応用が期待されている．しか... [more] | EID2017-22 SDM2017-83 pp.57-62 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 15:00 |
京都 | 京都大学 | ミストCVD法を用いたGaSnO薄膜の特性評価 ○岡本龍吾・福嶋大貴・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2017-23 SDM2017-84 |
[more] | EID2017-23 SDM2017-84 pp.63-66 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 15:30 |
京都 | 京都大学 | Cu-MICを用いたガラス基板上のダブルゲート低温多結晶ゲルマニウムスズ薄膜トランジスタ ○西口尚希・内海弘樹・原 明人（東北学院大） EID2017-24 SDM2017-85 |
新たな半導体デバイス材料の一つとしてゲルマニウムスズ(GeSn)が注目されている。 薄膜でのGeSnの低温結晶化として銅... [more] | EID2017-24 SDM2017-85 pp.67-70 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 15:45 |
京都 | 京都大学 | 薄膜トランジスタを用いた薄膜生体刺激デバイスの動作検証 ○三宅康平・冨岡圭佑・三澤慶悟・木村 睦（龍谷大） EID2017-25 SDM2017-86 |
薄膜トランジスタ (TFT) の特性から医療分野への応用が期待されている．そこで,生体刺激デバイスに TFT が使用でき... [more] | EID2017-25 SDM2017-86 pp.71-76 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 16:00 |
京都 | 京都大学 | Ge薄膜のFLA結晶化におけるキャップ層の効果 ○吉岡尚輝・秋田佳輝・部家 彰・松尾直人（兵庫県立大）・小濱和之・伊藤和博（阪大） EID2017-26 SDM2017-87 |
[more] | EID2017-26 SDM2017-87 pp.77-80 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 16:15 |
京都 | 京都大学 | 円柱状Ge膜のFLA結晶化における光学的バンドギャップの効果 ○吉岡尚輝・部家 彰・松尾直人・秋田佳輝（兵庫県立大） EID2017-27 SDM2017-88 |
[more] | EID2017-27 SDM2017-88 pp.81-84 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 16:30 |
京都 | 京都大学 | DNA/Si-MOSFETの正孔,電子伝導に関する検討 ○中野 響・松尾直人・部屋 彰・高田忠雄・山名一成（兵庫県立大）・佐藤 旦・横山 新（広島大）・大村泰久（関西大） EID2017-28 SDM2017-89 |
[more] | EID2017-28 SDM2017-89 pp.85-88 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 16:45 |
京都 | 京都大学 | グラフェンの電気抵抗に関する解析的検討 ○松尾直人・部家 彰（兵庫県立大） EID2017-29 SDM2017-90 |
[more] | EID2017-29 SDM2017-90 pp.89-92 |
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