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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2017年度)
「from:2017-11-09 to:2017-11-09」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2017-11-09 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］GaN MOVPE成長のマルチフィジックスシミュレーション ○白石賢二・関口一樹・長川健大・白川裕規・川上賢人・山本芳裕・洗平昌晃・岡本直也・芳松克則（名大）・寒川義裕・柿本浩一（九大）  SDM2017-61 |
これまでのGaNのMOVPE成長シミュレーションではトリメチルガリウム（TMG）とアンモニアがまず反応してアダクトが形成... [more] | SDM2017-61 pp.1-4 |
| SDM | 2017-11-09 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］SISPAD 2017 レビュー（1） ○廣木 彰（京都工繊大） SDM2017-62 |
[more] | SDM2017-62 pp.5-10 |
| SDM | 2017-11-09 13:05 |
東京 | 機械振興会館 | p-LDMOSFETのホットキャリア耐性を向上させる新構造の検討 ○酒井 敦・永久克己（ルネサス エレクトロニクス）・藤井宏基・森 隆弘（ルネサスセミコンダクタマニュファクチャリング）・秋山 豊・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス） SDM2017-63 |
BiCDプロセスで用いられるp-LDMOSFETではホットキャリアストレスによってゲート酸化膜の絶縁破壊が起こるため，信... [more] | SDM2017-63 pp.11-14 |
| SDM | 2017-11-09 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］SiC中の不純物拡散モデル ○植松真司（慶大） SDM2017-64 |
パワーデバイスへの応用が広がっているSiC（炭化ケイ素）における点欠陥・拡散について紹介する。SiおよびGeにおける拡散... [more] | SDM2017-64 pp.15-20 |
| SDM | 2017-11-09 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］SiCパワーMOSFETの特性測定とモデル化 ○佐藤高史・大石一輝・廣本正之（京大）・新谷道広（奈良先端大） SDM2017-65 |
シリコンカーバイド(SiC)は大電力を扱うスイッチ素子の実現に好適な材料であり，今後より広く普及が進むものと考えられてい... [more] | SDM2017-65 pp.21-26 |
| SDM | 2017-11-09 15:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］深いトラップを含むGaN MOSキャパシタ容量のシミュレーション ○福田浩一・浅井栄大・服部淳一・清水三聡（産総研）・橋詰 保（北大） SDM2017-66 |
深いトラップ準位を含むGaN MOSキャパシタの容量をtransientモードで解析する手法を検証し，周波数分散など各非... [more] | SDM2017-66 pp.27-32 |
| SDM | 2017-11-10 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］SISPAD 2017 レビュー（2） ○来栖貴史（東芝メモリ） SDM2017-67 |
[more] | SDM2017-67 pp.33-36 |
| SDM | 2017-11-10 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］不純物の離散性に伴った半導体デバイスモデリングの基本的側面 ～ ランダム不純物ばらつきと自己平均化 ～ ○佐野伸行（筑波大） SDM2017-68 |
ナノスケール半導体デバイスにランダムドープされたイオン化不純物の離散性による輸送特性やデバイスモデリングへの影響について... [more] | SDM2017-68 pp.37-42 |
| SDM | 2017-11-10 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］極微細トランジスタの量子輸送シミュレーション ○森 伸也・美里劫夏南（阪大）・岩田潤一・押山 淳（東大） SDM2017-69 |
ナノワイヤトランジスタなどの極めて微細なデバイスの電気特性をシミュレーションするため，実空間密度汎関数法と非平衡グリーン... [more] | SDM2017-69 pp.43-46 |
| SDM | 2017-11-10 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］行列指数法によるデバイス過渡シミュレーションの正確な時間刻み指標 ○熊代成孝・亀井達也・廣木 彰・小林和淑（京都工繊大） SDM2017-70 |
パワーデバイスの過渡シミュレーションの正確な時間刻み制御指標を提案する。本指標は行列指数法によって求められた、デバイス構... [more] | SDM2017-70 pp.47-52 |
| SDM | 2017-11-10 15:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］トラップ電荷起因抵抗を考慮した28nm世代混載フラッシュ向けSG-MONOS SPICEモデル ○黄 俐昭・宮森 充・常野克己・牟田哲也・川嶋祥之（ルネサス エレクトロニクス） SDM2017-71 |
28nm世代のフラッシュ混載MCUに搭載するスプリットゲート-MONOS型不揮発性メモリセル(SG-MONOSセル)の読... [more] | SDM2017-71 pp.53-58 |
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