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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)  (検索条件: 2016年度)

「from:2016-06-29 to:2016-06-29」による検索結果

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講演検索結果
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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2016-06-29
10:00
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 [依頼講演]強誘電体HfSiOキャパシタにおける形成プロセスと膜物性・電気特性の関係
上牟田雄一藤井章輔高石理一郎井野恒洋中崎 靖齋藤真澄小山正人東芝SDM2016-32
TiN/HfSiO/TiN構造の膜物性および電気特性について上部TiN電極プロセスおよび結晶化アニール温度との関係を調べ... [more] SDM2016-32
pp.1-4
SDM 2016-06-29
10:20
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 [依頼講演]HfO2基強誘電体薄膜の作製と特性評価
舟窪 浩清水荘雄片山きりは三村和仙東工大SDM2016-33
HfO2基強誘電体について、エピタキシャル膜を作製した。X線回折での構成相の解析方法を検討し、強誘電相の解析方法を確立し... [more] SDM2016-33
pp.5-8
SDM 2016-06-29
10:40
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 [依頼講演]強誘電体絶縁膜の負性容量を利用した急峻スイッチング実現のためのSOI-FET設計指針
太田裕之右田真司服部淳一福田浩一産総研)・鳥海 明東大SDM2016-34
本研究では負性容量を用いて急峻なサブスレショルド係数(SS)を実現するための完全空乏型silicon-on-insula... [more] SDM2016-34
pp.9-13
SDM 2016-06-29
11:15
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 強誘電体ナノワイヤキャパシタの作製 ~ 高集積強誘電体メモリへの応用を目指して ~
藤沢浩訓清水 勝中嶋誠二兵庫県立大SDM2016-35
有機金属化学気相堆積(MOCVD)法のみにより,直径110 nm,アスペクト比90のZnOナノワイヤを凸型テンプレートと... [more] SDM2016-35
pp.15-19
SDM 2016-06-29
11:35
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 多段積層型トランジスタ構造を用いたFe-FET NAND論理の提案とそのロジックLSIへの適用検討
渡辺重佳湘南工科大)・横田智広DNPデータテクノSDM2016-36
 [more] SDM2016-36
pp.21-26
SDM 2016-06-29
11:55
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 ZrO2/Al2O3/ZrO2多層を用いたDRAMキャパシタにおけるAl2O3層が電気特性に及ぼす効果
女屋 崇明大/物質・材料研究機構)・生田目俊秀澤田朋実物質・材料研究機構/JST)・栗島一徳明大/物質・材料研究機構)・澤本直美明大)・大井暁彦知京豊裕物質・材料研究機構)・小椋厚志明大SDM2016-37
本研究では、原子層堆積法によって作製したZrO2/Al2O3/ZrO2 (ZAZ)多層絶縁膜を用いたTiN/ZAZ/Ti... [more] SDM2016-37
pp.27-32
SDM 2016-06-29
13:30
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 SiO2の絶縁破壊と局所陽極酸化を用いた抵抗変化デバイス
角嶋邦之若林 整筒井一生岩井 洋東工大SDM2016-38
高い抵抗比が得られる抵抗変化メモリとしてCeOx膜と界面SiO2層をSi基板に積層した構造を提案する。上部電極への正の電... [more] SDM2016-38
pp.33-36
SDM 2016-06-29
13:50
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 Ge基板上エピタキシャルGeSn膜の電気的活性な欠陥の評価
金田裕一兼松正行坂下満男竹内和歌奈中塚 理財満鎭明名大SDM2016-39
 [more] SDM2016-39
pp.37-41
SDM 2016-06-29
14:10
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 XPSによるSiO2/半導体界面の電位変化およびダイポールの定量
藤村信幸大田晃生渡辺浩成牧原克典宮崎誠一名大SDM2016-40
X線光電子分光法において、価電子帯信号と二次光電子信号を組み合わせることで、SiO2、4H-SiC、およびSiの真空準位... [more] SDM2016-40
pp.43-47
SDM 2016-06-29
14:45
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 リモート酸素プラズマ支援CVDによる低温SiO2薄膜形成
グェンスァン チュン藤村信幸竹内大智大田晃生牧原克典池田弥央宮崎誠一名大SDM2016-41
SiH4と励起したAr希釈O2を用いたリモート酸素プラズマ支援CVD(O2-RPCVD)により水素終端したSi表面上にS... [more] SDM2016-41
pp.49-52
SDM 2016-06-29
15:05
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 タンタル酸ナノシート/SiO2/Si界面バンドオフセットにおけるUV照射の効果
速水脩平豊田智史福田勝利京大)・菅谷英生パナソニック)・森田将史中田明良内本喜晴松原英一郎京大SDM2016-42
ReRAMの材料設計を行う際の指針として、絶縁層とSi基板の界面バンドオフセットはリーク電流の抑制を考える上で重要なパラ... [more] SDM2016-42
pp.53-58
SDM 2016-06-29
15:25
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 [依頼講演]カルコゲナイド系層状物質の電界効果トランジスタ素子への応用
上野啓司埼玉大SDM2016-43
グラファイトの単位層であるグラフェンが示す興味深い物性についての研究が活発に行われているが,その一方で,同様な積層構造を... [more] SDM2016-43
pp.59-64
SDM 2016-06-29
16:00
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 [依頼講演]2次元原子層物質の構造制御合成とプラズマ機能化
加藤俊顕金子俊郎東北大SDM2016-44
遷移金属ダイカルコゲナイド (TMD) は半導体特性を示す原子層物質として大きな注目を集めている新規ナノ材料である. 応... [more] SDM2016-44
pp.65-68
SDM 2016-06-29
16:20
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 [依頼講演]自己組織化単分子膜をゲート絶縁膜に用いた低電圧駆動MoS2 FETの作製
川那子高暢小田俊理東工大SDM2016-45
自己組織化単分子膜をゲート絶縁膜に用いた低電圧駆動MoS2 FETsについて報告する。ゲート絶縁膜は酸素プラズマによって... [more] SDM2016-45
pp.69-74
SDM 2016-06-29
16:40
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 TFT応用に向けたRFマグネトロンスパッタリング法によるMoS2膜の形成
大橋 匠松浦賢太朗東工大)・石原聖也日比野祐介澤本直美明大)・角嶋邦之筒井一生東工大)・小椋厚志明大)・若林 整東工大SDM2016-46
層状構造を有するMoS2は薄膜領域において高移動度を有することから,柔軟性や光透過性などを併せ持つ次世代の極微細Comp... [more] SDM2016-46
pp.75-78
SDM 2016-06-29
17:00
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 [依頼講演]遷移金属ダイカルコゲナイド原子層の成長と評価
宮田耕充首都大東京SDM2016-47
近年、電子素子の微細化の限界の打破、高効率エネルギー変換、もしくは軽くて柔軟な電子機器の実現などの様々な目的を達成するた... [more] SDM2016-47
pp.79-84
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