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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2015年度)
「from:2015-06-19 to:2015-06-19」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2015-06-19 09:30 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］Al2O3/AlGaN/GaN構造の界面電子準位評価 ○谷田部然治・橋詰 保（北大）  SDM2015-38 |
ドライエッチングをしたAlGaN上にAl2O3絶縁ゲート構造を作製し、絶縁膜/半導体界面の特性評価を行なった．評価には室... [more] | SDM2015-38 pp.1-4 |
| SDM | 2015-06-19 09:50 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］容量過渡分光法によるMOCVD n-GaNのトラップ評価 ○徳田 豊（愛知工大） SDM2015-39 |
トラップからのキャリア放出による空乏層容量過渡応答に基づく容量過渡分光法を用いて、MOCVD n-GaNのトラップ評価を... [more] | SDM2015-39 pp.5-10 |
| SDM | 2015-06-19 10:10 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］Al2O3/Ga2O3界面構造とその面方位依存性 ○上村崇史・ダイワシガマニ キルシナムルティ（NICT）・倉又朗人・山腰茂伸（タムラ製作所）・東脇正高（NICT） SDM2015-40 |
Al2O3/n-Ga2O3 (010) とAl2O3/n-Ga2O3 ("2" ̅01) 構造の界面準位密度... [more] | SDM2015-40 pp.11-16 |
| SDM | 2015-06-19 10:50 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］3C/4H異種ポリタイプ接合を有するSiC MOSFETに対する検討 ○野口宗隆・岩松俊明・三浦成久・中田修平・山川 聡（三菱電機） SDM2015-41 |
SiC には異なるバンドギャップを持つ、様々なポリタイプが存在し、異種ポリタイプ接合を用いたSiCデバイスの可能性が考え... [more] | SDM2015-41 pp.17-20 |
| SDM | 2015-06-19 11:10 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］SiC/SiO2界面における窒素化学状態の結晶面方位依存性 ○森 大輔・井上 慧・寺西秀明・広瀬隆之・瀧川亜樹（富士電機） SDM2015-42 |
SiC(000-1)面（C面）、SiC(0001)面（Si面）それぞれのSiC/SiO2界面の原子構造を明らかにするため... [more] | SDM2015-42 pp.21-26 |
| SDM | 2015-06-19 11:30 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］SiO2/SiC MOS界面の欠陥特性に酸窒化処理が与える影響 ○竹内和歌奈（名大）・山本建策（デンソー）・坂下満男（名大）・金村髙司（デンソー）・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2015-43 |
SiO2/4H-SiC界面特性に対するNOガス雰囲気熱処理の効果を調べた。NOガス雰囲気熱処理MOSキャパシタ試料の電気... [more] | SDM2015-43 pp.27-30 |
| SDM | 2015-06-19 12:40 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 光電子分光法による熱酸化SiO2/4H-SiCの化学結合状態および欠陥準位密度評価 ○渡辺浩成・大田晃生・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2015-44 |
[more] | SDM2015-44 pp.31-35 |
| SDM | 2015-06-19 13:00 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | シリコン熱酸化膜の水素アニール効果に関する第一原理計算 ○川内伸悟・白川裕規・洗平昌晃（名大）・影島愽之（島根大）・遠藤哲郎（東北大）・白石賢二（名大） SDM2015-45 |
なぜ高品質なSi/SiO2界面は熱酸化によって容易に形成されるのか。この疑問はシリコン技術の成功に密接に関係しているにも... [more] | SDM2015-45 pp.37-40 |
| SDM | 2015-06-19 13:20 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Tiナノドットを埋め込んだSiリッチ酸化膜の抵抗変化特性 ○加藤祐介・荒井 崇・大田晃生・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2015-46 |
リモートH2プラズマ(H2-RP)支援によるTiナノドットの形成とその埋め込みがSiOx膜の抵抗変化特性に与える影響につ... [more] | SDM2015-46 pp.41-45 |
| SDM | 2015-06-19 13:40 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 低い正孔障壁を有するPtGe/Geコンタクトの作製とメタルS/D型Ge p-MOSFETへの適用 ○永冨雄太・田中慎太郎・長岡裕一・山本圭介・王 冬・中島 寛（九大） SDM2015-47 |
低い正孔障壁(ΦBP)を有するPtGe/Geコンタクトの作製およびその電気的パッシベーションについて調査を行った．極薄S... [more] | SDM2015-47 pp.47-50 |
| SDM | 2015-06-19 14:15 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | メタルソース/ドレインGe CMOS実現に向けたNiGe/Ge接合障壁変調機構の解明 ○岡 博史・箕浦佑也・淺原亮平・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2015-48 |
Ge n-MOSFETではn型不純物の低い活性化率および高い拡散係数に加え、金属電極/Ge界面におけるフェルミレベルピニ... [more] | SDM2015-48 pp.51-55 |
| SDM | 2015-06-19 14:35 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 金属/Ge界面への超高Sn組成SnxGe1-x層導入による界面電気伝導特性の制御 ○鈴木陽洋・柴山茂久・坂下満男・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2015-49 |
GeチャネルCMOSの実現に向けて、金属/Geコンタクト抵抗の低減は必要不可欠である。しかしながら、金属/n-Ge界面の... [more] | SDM2015-49 pp.57-61 |
| SDM | 2015-06-19 14:55 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Ge1-xSnxエピタキシャル層中の欠陥へ及ぼす熱処理の効果 ○浅野孝典・柴山茂久・竹内和歌奈・坂下満男・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2015-50 |
Ge1-xSnx半導体のキャリア密度の制御のためには、禁制帯中にacceptor-likeな準位を形成する欠陥の理解と制... [more] | SDM2015-50 pp.63-68 |
| SDM | 2015-06-19 15:15 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | PE-ALD法で作製した極薄膜Al2O3ゲート絶縁膜を用いたGIZO TFTの電気特性 ○栗島一徳（明大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀・塚越一仁・大井暁彦・知京豊裕（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大） SDM2015-51 |
Ga-In-Zn-O(GIZO)薄膜トランジスタ(TFT)の電気特性にAl2O3層が及ぼす影響について調査した。プラズマ... [more] | SDM2015-51 pp.69-73 |
| SDM | 2015-06-19 15:50 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Fully compatible resistive random access memory with amorphous InGaZnO based thin film transistor fabrication process ○Keisuke Kado・Mutsunori Uenuma・Kyouhei Nabesaka・Kriti Sharma・Haruka Yamazaki・Satoshi Urakawa・Mami Fujii・Yasuaki Ishikawa・Yukiharu Uraoka（NAIST） SDM2015-52 |
酸化物薄膜トランジスタ (TFT) は低オフリークで高性能であるため，ディスプレイの駆動チャネル材料として有望であり，同... [more] | SDM2015-52 pp.75-80 |
| SDM | 2015-06-19 16:10 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 極薄Al2O3/SiO2 hybrid BOX層を有する貼り合わせGeOI基板の熱処理による電気特性改善 吉田啓資・○竹内正太郎・中村芳明・酒井 朗（阪大） SDM2015-53 |
大気中、窒素雰囲気中、酸素雰囲気中において300ºC-500ºCの温度範囲で熱処理を施したAl2O3... [more] | SDM2015-53 pp.81-86 |
| SDM | 2015-06-19 16:30 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］二層グラフェンのバンドギャップ形成と電極接触抵抗 ○野内 亮（阪府大） SDM2015-54 |
二層グラフェンは層間ポテンシャル差の導入によりバンドギャップが形成されるため，高い電荷キャリア易動度と相まって，スイッチ... [more] | SDM2015-54 pp.87-92 |
| SDM | 2015-06-19 16:50 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］原子薄膜の電気的極性可変トランジスタ ○中払 周（物質・材料研究機構）・飯島智彦・小川真一・八木克典・原田直樹・林 賢二郎・近藤大雄・高橋 慎（産総研）・黎 松林・山本真人・林 彦甫（物質・材料研究機構）・上野啓司（埼玉大）・塚越一仁（物質・材料研究機構）・佐藤信太郎・横山直樹（産総研） SDM2015-55 |
原子１つまたは数個分の厚さしかないグラフェンやそれに類する原子薄膜の電気伝導体の新しいトランジスタ応用について我々の研究... [more] | SDM2015-55 pp.93-98 |
| SDM | 2015-06-19 17:10 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］High-k/MetalゲートMoS2 MOSFETの試作と評価 ○森 貴洋（産総研）・二之宮成樹（横浜国大）・内田紀行・久保利隆（産総研）・渡辺英一郎・津谷大樹・森山悟士（物質・材料研究機構）・田中正俊（横浜国大）・安藤 淳（産総研） SDM2015-56 |
極薄ボディトランジスタとして注目を集めるMoS2 MOSFETを、high-k/metalゲートを適用し試作、評価した結... [more] | SDM2015-56 pp.99-103 |
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