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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)  (検索条件: 2012年度)

「from:2012-12-07 to:2012-12-07」による検索結果

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講演検索結果
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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2012-12-07
10:00
京都 京都大学(桂) 超高耐圧SiC PiNダイオードの作製と低オン抵抗化
梶 直樹丹羽弘樹須田 淳木本恒暢京大SDM2012-115
超高耐圧SiCバイポーラデバイス実現には、接合終端構造の設計が重要になる。本研究では、当グループが提案した空間変調型Ju... [more] SDM2012-115
pp.1-5
SDM 2012-12-07
10:15
京都 京都大学(桂) 塩素系ガスによるSiCのプラズマレス・エッチング
畑山智亮堀 良太田村哲也矢野裕司冬木 隆奈良先端大SDM2012-116
900℃以上の塩素ガス雰囲気中でプラズマを使わずにSiCをエッチングした。Si原子で終端された(0001)Si面ではエッ... [more] SDM2012-116
pp.7-12
SDM 2012-12-07
10:30
京都 京都大学(桂) 電子線照射によるSiCの正孔の各種散乱機構の変化
村田耕司森根達也松浦秀治阪電通大)・小野田 忍大島 武原子力機構SDM2012-117
Si (Silicon) に比べ,放射線耐性及び絶縁破壊電界が大きいSiC (Silicon Carbide) は,次世... [more] SDM2012-117
pp.13-18
SDM 2012-12-07
10:45
京都 京都大学(桂) 4H-SiC(11-20)面上に形成したMOS界面へのリン導入による界面準位密度の低減効果
梅澤奈央矢野裕司畑山智亮冬木 隆奈良先端大SDM2012-118
これまで、POCl3アニールによりPをSiO2/4H-SiC界面に導入することで、Si面・C面ともに優れた界面準位密度の... [more] SDM2012-118
pp.19-23
SDM 2012-12-07
11:00
京都 京都大学(桂) イオン液体BMIM-PF6イオンビーム照射によるガラス基板の表面改質
竹内光明濱口拓也龍頭啓充高岡義寛京大SDM2012-119
イオン液体は常温で液体のイオン性化合物であり,1~数百 mS/cm 程度の高い導電性を有し,蒸気圧は極めて低いため,近年... [more] SDM2012-119
pp.25-30
SDM 2012-12-07
11:15
京都 京都大学(桂) 直鎖炭化水素イオンビームによるシリコン表面照射効果の分子量依存性
今中浩輔竹内光明龍頭啓充高岡義寛京大SDM2012-120
$n$-テトラデカンから生成した多原子分子イオンC$_{3}$H$_{7}^{+}$,C$_{6}$H$_{13}^{+... [more] SDM2012-120
pp.31-35
SDM 2012-12-07
11:30
京都 京都大学(桂) DNAを用いたメモリトランジスタのキャリア挙動の検討
前野尚子松尾直人山名一成部家 彰高田忠雄兵庫県立大SDM2012-121
我々はSi基板を用いて100nm程度のギャップを持つ電極を作製し,電極間に固定されたDNAに電荷保持特性がある事を報告し... [more] SDM2012-121
pp.37-40
SDM 2012-12-07
11:45
京都 京都大学(桂) ポータープロテインによる金ナノ粒子配置プロセスとそのプラズモン特性
西城理志石河泰明鄭 彬山下一郎浦岡行治奈良先端大SDM2012-122
金ナノ粒子をシリコン基板とガラス基板表面に分散配置し、その基板の光学特性を測定した。金ナノ粒子の配置方法として、チタンに... [more] SDM2012-122
pp.41-45
SDM 2012-12-07
13:00
京都 京都大学(桂) 薄膜トランジスタによるニューラルネットワーク ~ 非対称回路での動作確認 ~
木村 睦山口裕貴森田竜平藤田悠佑宮谷友彰笠川知洋龍谷大SDM2012-123
薄膜トランジスタ(TFT)によるデバイスレベルのニューラルネットワークの研究を行っている.相互結合型のニューラルネットワ... [more] SDM2012-123
pp.47-52
SDM 2012-12-07
13:15
京都 京都大学(桂) 薄膜フォトトランジスタを用いた周波数変調方式の人工網膜
門目尭之松村 篤東山剛士大山翔平木村 睦龍谷大SDM2012-124
人工網膜は今日までにLSI技術を用いて研究開発が進められてきたが、そこには生体適合・広視野化という観点からは課題が存在し... [more] SDM2012-124
pp.53-57
SDM 2012-12-07
13:30
京都 京都大学(桂) デバイスシミュレーションによるアモルファス酸化物半導体における劣化現象の理論的解析
浦川 哲上岡義弘山崎はるか石河泰明浦岡行治奈良先端大SDM2012-125
透明アモルファス酸化物半導体(TAOS)はa-Siに代わる次世代材料として,薄膜トランジスタなど次世代情報端末への応用が... [more] SDM2012-125
pp.59-64
SDM 2012-12-07
13:45
京都 京都大学(桂) 低価格に適したX線検出素子(Silicon Drift Detector)の提案
岡田亮太松谷一輝松浦秀治阪電通大SDM2012-126
環境問題の高まりから有害物質に対する規制が多く設けられ,有害物質検査の短時間化を計るために,可搬できる蛍光X線検出器が望... [more] SDM2012-126
pp.65-70
SDM 2012-12-07
14:00
京都 京都大学(桂) ナノスケールウエットエッチング法を用いたSi極浅接合の深さ方向ホトルミネセンス分析
村井剛太奥谷真士田川修治吉本昌広京都工繊大)・Woo Sik YooWaferMastersSDM2012-127
ナノスケールでウエットエッチングした試料のホトルミネセンス(PL)を低温と室温で観測することによって,極浅接合の欠陥の深... [more] SDM2012-127
pp.71-76
SDM 2012-12-07
14:15
京都 京都大学(桂) レーザードーピングで形成したエミッタ層及びセレクティブエミッタ層の深さ制御とその太陽電池特性
田中成明西村英紀冬木 隆奈良先端大SDM2012-128
 [more] SDM2012-128
pp.77-81
SDM 2012-12-07
14:30
京都 京都大学(桂) テクスチャシリコンへのレーザードーピングにおける基板―ドーパント間の界面制御による電子状態の改善
西村英紀田中成明森崎翔太湯本伸伍冬木 隆奈良先端大SDM2012-129
レーザードーピング(LD)は高効率結晶Si太陽電池の簡便な作製プロセスとして注目される。しかし隆起形状を持つ基板にLDを... [more] SDM2012-129
pp.83-87
SDM 2012-12-07
14:45
京都 京都大学(桂) レーザードーピング法を用いたn型単結晶シリコン太陽電池の高効率化
森崎翔太西村英紀杉村恵美冬木 隆奈良先端大SDM2012-130
 [more] SDM2012-130
pp.89-93
SDM 2012-12-07
15:15
京都 京都大学(桂) 連続発振レーザーにより形成した電極下高濃度不純物層を有する結晶系シリコン太陽電池の最適化
湯本伸伍西村英紀平田憲司杉村恵美冬木 隆奈良先端大SDM2012-131
レーザードーピング(LD)は、低コストで高効率な結晶シリコン太陽電池を作製する新規プロセスとして注目されている。LDは太... [more] SDM2012-131
pp.95-99
SDM 2012-12-07
15:30
京都 京都大学(桂) MOS構造を有する太陽電池による変換効率の向上
小林孝裕松尾直人部家 彰兵庫県立大SDM2012-132
太陽電池の変換効率を支配する要因の内分けの内、表面又はバルクにおけるキャリア再結合による損失は30%といわれている。我々... [more] SDM2012-132
pp.101-105
SDM 2012-12-07
15:45
京都 京都大学(桂) 結晶系Si太陽電池による逆方向エレクトロルミネッセンス法を用いた電気的特性の解析
杉村恵美嶋崎成一谷 あゆみ冬木 隆奈良先端大SDM2012-133
太陽電池の空間的な欠陥評価法としてエレクトロルミネッセンス(EL)イメージング法が注目されている。順方向バイアス印加時の... [more] SDM2012-133
pp.107-111
SDM 2012-12-07
16:00
京都 京都大学(桂) プロトンビームを用いた強誘電体微構造の作製
山口正樹渡辺和貴芝浦工大)・増田陽一郎八戸工大SDM2012-134
次世代の微細加工手法であると考えられるプロトンビーム照射により,強誘電体膜へのパターン描画について検討を行なった.感光基... [more] SDM2012-134
pp.113-117
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