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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2012年度)
「from:2012-06-21 to:2012-06-21」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2012-06-21 09:00 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Pt/SiOx/TiNダイオード構造の化学構造分析と電気抵抗スイッチング特性評価 ○福嶋太紀（名大）・大田晃生（広島大）・牧原克典・宮崎誠一（名大）  SDM2012-43 |
[more] | SDM2012-43 pp.1-6 |
| SDM | 2012-06-21 09:20 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 貼り合せ直接接合SrTiO3(001)基板を用いた抵抗スイッチング特性評価 ○淺田遼太・Pham Phu Thanh Son・Kokate Nishad Vasant・吉川 純・竹内正太郎・中村芳明・酒井 朗（阪大） SDM2012-44 |
新規不揮発性メモリの一つとして、金属/絶縁体/金属構造の抵抗変化型メモリが注目されている。我々はSrTiO3(001)基... [more] | SDM2012-44 pp.7-12 |
| SDM | 2012-06-21 09:40 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層フローティングゲートMOS構造における光励起キャリア移動 ○池田弥央（広島大）・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2012-45 |
シリコン量子ドット(Si-QDs)とNiSiナノドット(NDs)のハイブリッド積層構造をフローティングゲート(FG)にし... [more] | SDM2012-45 pp.13-16 |
| SDM | 2012-06-21 10:00 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | リステリアDpsを利用したナノドット型フローティングゲートメモリの作製 ○上武央季（奈良先端大/JST）・小原孝介（奈良先端大）・上沼睦典・鄭 彬・石河泰明（奈良先端大/JST）・山下一郎（奈良先端大/JST/パナソニック）・浦岡行治（奈良先端大/JST） SDM2012-46 |
フラッシュメモリの記憶デバイスにあたるフローティングゲートメモリの中でも，電荷保持層がナノドットの二次元配列であるナノド... [more] | SDM2012-46 pp.17-21 |
| SDM | 2012-06-21 10:20 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 極薄GeON膜を用いた高移動度Ge MOSFETの作製と電気特性評価 ○箕浦佑也・糟谷篤志・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2012-47 |
Geは高いキャリア移動度を有することから、次世代CMOSデバイスのチャネル材料として有望視されている。Ge-MOSのゲー... [more] | SDM2012-47 pp.23-26 |
| SDM | 2012-06-21 10:55 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Al2O3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明 ○柴山茂久（名大）・加藤公彦（名大/学振）・坂下満男・竹内和歌奈・田岡紀之・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2012-48 |
高駆動力 Ge MOSFETの実現には，低界面準位密度（Dit）かつ低SiO2換算膜厚を有するhigh-k絶縁膜/Ge構... [more] | SDM2012-48 pp.27-32 |
| SDM | 2012-06-21 11:15 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | TaOx層挿入によるHfO2/Ge界面反応制御 ○村上秀樹・三嶋健斗・大田晃生・橋本邦明・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大） SDM2012-49 |
[more] | SDM2012-49 pp.33-36 |
| SDM | 2012-06-21 11:35 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | ゲート電極の還元性がGe基板上Pr酸化膜のPr価数に与える影響 ○加藤公彦（名大/学振）・坂下満男・竹内和歌奈・田岡紀之・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2012-50 |
本研究では，金属/Pr酸化膜/Geゲートスタック構造の化学結合状態にゲート金属が与える影響について，酸素化学ポテンシャル... [more] | SDM2012-50 pp.37-42 |
| SDM | 2012-06-21 11:55 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | TiN電極中の酸素に起因したHf系High-kゲート絶縁膜の特性劣化 ○細井卓治・大嶽祐輝・有村拓晃・力石薫介・北野尚武・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2012-51 |
ゲートファーストmeta/high-kスタックの課題として，実効仕事関数の制御とEOTスケーリングが挙げられる．TiN/... [more] | SDM2012-51 pp.43-46 |
| SDM | 2012-06-21 12:15 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | (TaC)1-xAlx/HfO2/SiO2ゲートスタックで熱処理温度に対するAl原子の評価 ○木村将之（芝浦工大）・生田目俊秀（物質・材料研究機構）・山田博之（芝浦工大）・大井暁彦・成島利弘・知京豊裕（物質・材料研究機構）・大石知司（芝浦工大） |
フラットバンド電圧(Vfb）を制御するために、HfO2 MOSキャパシタのゲート電極として低仕事関数なAl原子を導入した... [more] | |
| SDM | 2012-06-21 13:35 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 第一原理計算によるGe表面でのドーパント不純物偏析挙動の解析 ○飯島郁弥・澤野憲太郎（東京都市大）・牛尾二郎（日立）・丸泉琢也・白木靖寛（東京都市大） SDM2012-52 |
Ge(100)及びGe(111)表面上におけるドーパント原子の表面偏析挙動の理解のため、Ge表面5層のクラスタモデルを用... [more] | SDM2012-52 pp.47-51 |
| SDM | 2012-06-21 13:55 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 極薄層挿入によるAl/Ge接合の伝導特性制御 ○大田晃生・松井真史・村上秀樹・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大） SDM2012-53 |
[more] | SDM2012-53 pp.53-58 |
| SDM | 2012-06-21 14:15 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 金属/(Si/Ge)界面の構造乱れとSBH変調の関係：第一原理計算による理論的検討 ○小日向恭祐・中山隆史（千葉大） SDM2012-54 |
[more] | SDM2012-54 pp.59-62 |
| SDM | 2012-06-21 14:45 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | As+イオン注入したゲルマニウム層の化学分析 ○小野貴寛・大田晃生・村上秀樹・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大） SDM2012-55 |
[more] | SDM2012-55 pp.63-67 |
| SDM | 2012-06-21 15:05 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 極浅接合における異なる化学結合状態を持つ不純物の検出とその深さ方向プロファイル評価 ○筒井一生・金原 潤・宮田陽平（東工大）・野平博司（東京都市大）・泉 雄大・室 隆桂之・木下豊彦（高輝度光科学研究センター）・パールハット アヘメト・角嶋邦之・服部健雄・岩井 洋（東工大） SDM2012-56 |
Si基板表面にBドープおよびAsドープにより形成された極浅接合中に存在する複数の化学結合状態を持つ不純物の深さ方向濃度プ... [more] | SDM2012-56 pp.69-74 |
| SDM | 2012-06-21 15:30 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | エピタキシャルNiSi2ソース／ドレインにおける原子層オーダーの接合位置制御及びドーパント偏析によるショットキーバリアハイトの低減 ○水林 亘・右田真司・森田行則・太田裕之（産総研） SDM2012-57 |
[more] | SDM2012-57 pp.75-80 |
| SDM | 2012-06-21 15:55 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | シリコンナノワイヤへの不純物ドーピングと不純物の挙動 ～ 熱酸化過程での偏析挙動 ～ ○深田直樹（物質・材料研究機構）・滝口 亮・石田慎哉・横野茂樹（筑波大）・関口隆史（物質・材料研究機構）・村上浩一（筑波大） SDM2012-58 |
ナノワイヤを利用した次世代トランジスタの実現には，1）ナノスケールでのサイズ・配列・構造制御，2）不純物ドーピングによる... [more] | SDM2012-58 pp.81-85 |
| SDM | 2012-06-21 16:35 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 微細3次元デバイスに向けたシリサイドショットキーS/Dの界面制御方法の提案 ○田村雄太・吉原 亮・角嶋邦之・パールハット アヘメト・片岡好則・西山 彰・杉井信之・筒井一生・名取研二・服部健雄・岩井 洋（東工大） SDM2012-59 |
本研究ではシリサイド形成時の界面制御方法としてNi/Si積層構造を提案する。Ni/Si積層構造によって形成した積層$Ni... [more] | SDM2012-59 pp.87-92 |
| SDM | 2012-06-21 16:55 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 微細InGaAs MOSFETに適用可能な極薄Ni-InGaAs合金コンタクトの形成とその熱的安定性 ○入沢寿史・小田 穣・手塚 勉（産総研） SDM2012-60 |
微細メタルS/D InGaAs MOSFETへの適用を見据え，Ni-InGaAs合金コンタクトの膜厚制御性と熱的安定性を... [more] | SDM2012-60 pp.93-96 |
| SDM | 2012-06-21 17:15 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | TiN/Geコンタクトに於けるフェルミレベルピンニング変調とMOSデバイスへの応用 ○山本圭介・井餘田昌俊・王 冬・中島 寛（九大） SDM2012-61 |
金属/Ge界面ではフェルミレベルがGeの価電子帯近傍にピンニング（FLP）され、低障壁・低抵抗な金属/Geコンタクトの形... [more] | SDM2012-61 pp.97-102 |
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