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マイクロ波研究会 (MW)  (検索条件: 2010年度)

「from:2011-01-13 to:2011-01-13」による検索結果

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講演検索結果
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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MW, ED
(共催)
2011-01-13
13:30
東京 機械振興会館 無線通信電力伝送のための受信受電用5.8GHzレクテナアレー
堀 正和磯野晃輔野地紘史澁谷賢広東京理科大)・川崎繁男JAXAED2010-175 MW2010-135
 [more] ED2010-175 MW2010-135
pp.1-6
MW, ED
(共催)
2011-01-13
13:55
東京 機械振興会館 フィードバック回路を用いたGaAs-HBT MMICカプラの検討
山本和也久留須 整宮下美代鈴木 敏井上 晃三菱電機ED2010-176 MW2010-136
本報告では,無線通信用に新しく検討した方向性結合器の設計と実験結果について述べる.GaAs-HBTプロセスを用いて検討し... [more] ED2010-176 MW2010-136
pp.7-12
MW, ED
(共催)
2011-01-13
14:20
東京 機械振興会館 信号線間交差部容量補償用近接グラウンドスルーホールを有するオフセット結合線路型カプラ
湯浅 健田原志浩大和田 哲米田尚史三菱電機ED2010-177 MW2010-137
 [more] ED2010-177 MW2010-137
pp.13-18
MW, ED
(共催)
2011-01-13
15:00
東京 機械振興会館 高導電率溶液のマイクロ波均一加熱を目的とした電力吸収特性解析
中島裕貴今井 卓田口健治柏 達也北見工大)・北澤敏秀立命館大)・鈴木政浩藤井寛一原子力機構ED2010-178 MW2010-138
核燃料サイクルの一環として,使用済み核燃料から生成される再処理溶液を原料として固形(粉末)のMOX 燃料が製造されている... [more] ED2010-178 MW2010-138
pp.19-22
MW, ED
(共催)
2011-01-13
15:25
東京 機械振興会館 広帯域高効率E級GaN HEMT増幅器
山中宏治湯之上則弘茶木 伸中山正敏平野嘉仁三菱電機ED2010-179 MW2010-139
GaN HEMTはGaAsの10倍以上の出力電力密度が得られることから100W超出力のマイクロ波帯高出力増幅器として盛ん... [more] ED2010-179 MW2010-139
pp.23-28
MW, ED
(共催)
2011-01-13
16:05
東京 機械振興会館 光多値伝送に向けたInP HBT技術による高速D/A変換器
長谷宗彦野坂秀之山中祥吾佐野公一村田浩一NTTED2010-180 MW2010-140
100 Gb/s/chを超える高速・大容量光通信システムに向けて,16-QAMや64-QAMといった高度な多値変調技術の... [more] ED2010-180 MW2010-140
pp.29-33
MW, ED
(共催)
2011-01-13
16:30
東京 機械振興会館 810度の移相範囲を持つ32GHz移相器IC
野坂秀之長谷宗彦佐野公一村田浩一NTTED2010-181 MW2010-141
810 度の移相範囲を持つ移相器IC をInP HBT にて実現した.本移相器は,広帯域ベクトル変調器と擬似正弦波関数発... [more] ED2010-181 MW2010-141
pp.35-40
MW, ED
(共催)
2011-01-14
09:30
東京 機械振興会館 デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価
田島正文橋詰 保北大ED2010-182 MW2010-142
我々はデュアルゲート構造を用いてゲートストレス位置がAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)の電流コラプス... [more] ED2010-182 MW2010-142
pp.41-44
MW, ED
(共催)
2011-01-14
09:55
東京 機械振興会館 AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因した電流コラプスに与える裏面電極とゲートフィールドプレートの影響の2次元解析
小野寺 啓中島 敦堀尾和重芝浦工大ED2010-183 MW2010-143
バッファ層中に深いドナーと深いアクセプタを考慮したAlGaN/GaN HEMTの2次元過渡解析を行い,ゲートフィールドプ... [more] ED2010-183 MW2010-143
pp.45-50
MW, ED
(共催)
2011-01-14
10:35
東京 機械振興会館 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化
梅田英和鈴木朝実良按田義治石田昌宏上田哲三田中 毅上田大助パナソニックED2010-184 MW2010-144
Si基板に空乏層を形成することで,同基板上GaNパワートランジスタの高耐圧化を実現する,いわゆる耐圧ブースト技術を開発し... [more] ED2010-184 MW2010-144
pp.51-54
MW, ED
(共催)
2011-01-14
11:00
東京 機械振興会館 Si基板上AlGaN/GaN HFETにおける高濃度Cドーピングの影響
古川拓也賀屋秀介池田成明加藤禎宏次世代パワーデバイス技研組合ED2010-185 MW2010-145
Si基板上AlGaN/GaN HFETにおいて、高濃度Cドーピングの影響を明らかにするため、AlGaN/GaN界面に近い... [more] ED2010-185 MW2010-145
pp.55-59
MW, ED
(共催)
2011-01-14
11:25
東京 機械振興会館 Ka帯20W出力AlGaN/GaN HEMTの開発
松下景一桜井博幸柏原 康増田和俊小野寺 賢川崎久夫高木一考高田賢治津田邦男東芝ED2010-186 MW2010-146
Ka帯GaNデバイスによるSSPA(固体素子増幅器)はSATCOM(衛星通信)を中心としたミリ波TWTAの置換市場をター... [more] ED2010-186 MW2010-146
pp.61-64
MW, ED
(共催)
2011-01-14
13:00
東京 機械振興会館 3C-SiC-OI基板上でのMOSゲート絶縁膜のプロセス依存性
横山圭祐中村浩之中尾 基大西克典九工大ED2010-187 MW2010-147
3C-SiC-OI基板上にMOS構造を作製し,そのゲート絶縁膜の特性を評価した.従来SiC上に熱酸化により形成されたSi... [more] ED2010-187 MW2010-147
pp.65-68
MW, ED
(共催)
2011-01-14
13:25
東京 機械振興会館 裏面電極を有するIII-V族量子井戸型チャネルMOSFET
金澤 徹寺尾良輔山口裕太郎池田俊介米内義晴加藤 淳宮本恭幸東工大ED2010-188 MW2010-148
2020年以降の高速CMOS回路応用へ向けた高駆動能力トランジスタとして、高い電子移動度を有するIII-V族化合物半導体... [more] ED2010-188 MW2010-148
pp.69-73
MW, ED
(共催)
2011-01-14
13:50
東京 機械振興会館 InP-IC応用に向けた新スタック型MIMキャパシタ
堤 卓也杉谷末広西村一巳井田 実NTTED2010-189 MW2010-149
InP-IC において大面積を占めるキャパシタ素子の密度を向上させることは、InP-IC の小型化において大変有用である... [more] ED2010-189 MW2010-149
pp.75-80
MW, ED
(共催)
2011-01-14
14:30
東京 機械振興会館 76GHz帯車載レーダー用低雑音高信頼性InP/GaAsSb DHBT
金谷 康天清宗山渡辺伸介山本佳嗣小坂尚希宮國晋一後藤清毅島 顕洋三菱電機ED2010-190 MW2010-150
車載ミリ波レーダーへの適用を目的として、低1/f雑音で高信頼性であるInP/GaAsSb DHBTを試作した。1/f雑音... [more] ED2010-190 MW2010-150
pp.81-86
MW, ED
(共催)
2011-01-14
14:55
東京 機械振興会館 IMSL線路を用いたミリ波CMOS WLCSP技術
河井康史宇治田信二福田健志酒井啓之上田哲三田中 毅パナソニックED2010-191 MW2010-151
ミリ波CMOS向けに、インバーテッドマイクロストリップライン(IMSL)を用いた新しいウェハレベルチップサイズパッケージ... [more] ED2010-191 MW2010-151
pp.87-90
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