研究会 - マイクロ波研究会 (MW)

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マイクロ波研究会 (MW) (検索条件: 2004年度)

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講演検索結果

登録講演（開催プログラムが公開されているもの） （日付・昇順）

研究会	発表日時	開催地		タイトル・著者	抄録	資料番号
MW, ED (共催)	2005-01-17 10:20	東京	機械振興会館	GaAs 1チップ逆直列バラクタ対の3次混変調歪の測定と寄生インピーダンスの抽出 ○薮崎宗久（東京理科大）・韓　青・大平　孝（ATR）・赤池正　巳・志村　敦（東京理科大）	[more]	ED2004-203 MW2004-210 pp.1-6
MW, ED (共催)	2005-01-17 10:45	東京	機械振興会館	重畳パルス方式を用いたハーモニックミクサ形高速パルス変調回路 ○川上憲司・濱野　聡・津留正臣・小野政好（三菱電機）・西口光浩（三菱スペース・ソフトウエア）・宮崎守泰（三菱電機）	[more]	ED2004-204 MW2004-211 pp.7-11
MW, ED (共催)	2005-01-17 11:10	東京	機械振興会館	ポリマー分散液晶の層厚変化に対する応答時間特性 ○齊藤勝彦・亀井利久・森　武洋・内海要三（防衛大）	[more]	ED2004-205 MW2004-212 pp.13-16
MW, ED (共催)	2005-01-17 11:35	東京	機械振興会館	損失性チップによるマイクロストリップスタブからの放射の抑止 ○大隅康弘・森田長吉（千葉工大）	マイクロストリップのオープンスタブやラジアルスタブからの放射が回路特性や周囲環境に悪影響を及ぼすことがある．これを防ぐ方... [more]	ED2004-206 MW2004-213 pp.17-22
MW, ED (共催)	2005-01-17 13:40	東京	機械振興会館	厚みのあるミリ波誘電体イメージ線路アンテナの動作について ○田中　聡（福山大）	[more]	ED2004-207 MW2004-214 pp.23-26
MW, ED (共催)	2005-01-17 14:05	東京	機械振興会館	60MHz帯疎結合マイクロストリップ方向性結合器 ○平島隆洋・藤井亮一（中国職能開発大）・藤井修逸（アドテックプラズマテクノロジー）・田中　聡（福山大）	筆者らは，半導体製造用高周波電源の出力評価に利用される13.56MHz帯マイクロストリップ疎結合方向性結合器を提案してき... [more]	ED2004-208 MW2004-215 pp.27-32
MW, ED (共催)	2005-01-17 14:30	東京	機械振興会館	LCPを用いた低損失溝付きGSG線路 ○湯浅　健・西野　有・大橋英征・犬塚隆之・村上　治・椋田宗明（三菱電機）	LCP（Liquid Crystal Polymer）は優れた成形性とともに良好な誘電特性を有し，マイクロ波，ミリ波回路... [more]	ED2004-209 MW2004-216 pp.33-36
MW, ED (共催)	2005-01-17 14:55	東京	機械振興会館	周波数選択板装荷導波管フィルタの設計及び実験的検討 ○大平昌敬・出口博之・辻　幹男・繁沢　宏（同志社大）	任意形状共振素子の周波数選択板（FSS）を共振器，1/4波長導波管をインバータとして用いたFSS装荷導波管フィルタの設計... [more]	ED2004-210 MW2004-217 pp.37-42
MW, ED (共催)	2005-01-17 15:30	東京	機械振興会館	［特別講演］第３４回欧州マイクロ波会議出席報告 ○関　智弘（NTT）・増田　哲（富士通研）・西野　有（三菱電機）・真田篤志（山口大）・平田明史（ATR）・河合邦浩（NTTドコモ）・木村巧一（電通大）	[more]	ED2004-211 MW2004-218 pp.43-51
MW, ED (共催)	2005-01-18 09:20	東京	機械振興会館	ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET ○引田正洋・柳原　学・中澤一志・上野弘明・廣瀬　裕・上田哲三・上本康裕・田中　毅・上田大助（松下電器）・江川孝志（名工大）	AlGaN/GaN HFETをパワースイッチングデバイスに応用するためには、デバイスの低オン抵抗化と高耐圧化の両立、およ... [more]	ED2004-212 MW2004-219 pp.1-5
MW, ED (共催)	2005-01-18 09:45	東京	機械振興会館	選択再成長オーミックス構造を有するAl2O3/Si3N4薄層絶縁ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造FET ○前田就彦・王　成新・牧村隆司・廣木正伸・牧本俊樹・小林　隆・榎木孝知（NTT）	[more]	ED2004-213 MW2004-220 pp.7-12
MW, ED (共催)	2005-01-18 10:10	東京	機械振興会館	超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET ○村田智洋・引田正洋・廣瀬　裕・井上　薫・上本康裕・田中　毅・上田大助（松下電器）	[more]	ED2004-214 MW2004-221 pp.13-17
MW, ED (共催)	2005-01-18 10:45	東京	機械振興会館	高出力AlGaN/GaN-HEMTにおける熱設計の検討 ○伊藤正紀・海部勝晶・見田充郎・大来英之・戸田典彦・佐野芳明・関　昇平（OKI）・石川博康・江川孝志（名工大）	[more]	ED2004-215 MW2004-222 pp.19-24
MW, ED (共催)	2005-01-18 11:10	東京	機械振興会館	Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT ○國井徹郎・戸塚正裕・加茂宣卓・山本佳嗣・竹内日出雄・島田好治・志賀俊彦・巳浪裕之・北野俊明・宮国晋一・中塚茂典・井上　晃・奥　友希・南條拓真・大石敏之（三菱電機）	[more]	ED2004-216 MW2004-223 pp.25-30
MW, ED (共催)	2005-01-18 11:35	東京	機械振興会館	100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT ○三好実人（名工大/日本ガイシ）・今西　敦・石川博康・江川孝志（名工大）・浅井圭一郎・柴田智彦・田中光浩・小田　修（日本ガイシ）	100mm径エピタキシャルAlN/サファイア上へのAl0.26Ga0.74N/AlN/GaNヘテロ構造のMOVPE成長を... [more]	ED2004-217 MW2004-224 pp.31-35
MW, ED (共催)	2005-01-18 13:00	東京	機械振興会館	AlGaNショットキー接合の漏れ電流のふるまい ○橋詰　保・金子昌充（北大）	[more]	ED2004-218 MW2004-225 pp.37-40
MW, ED (共催)	2005-01-18 13:25	東京	機械振興会館	5W出力1.9GHｚ動作のAlGaN/GaN-HEMT SPDTスイッチ ○広瀬真由美・高田賢治・蔵口雅彦・佐々木忠寛・鈴木　隆・津田邦男（東芝）	アンドープAlGaN/GaNのHEMTを用いて、1.9GHz動作、5W出力のSPDTスイッチを試作した。HEMT構造は、... [more]	ED2004-219 MW2004-226 pp.41-45
MW, ED (共催)	2005-01-18 13:50	東京	機械振興会館	導電性N-SiC基板上高出力AlGaN/GaN HEMT ○金村雅仁・吉川俊英・常信和清（富士通研）	[more]	ED2004-220 MW2004-227 pp.47-51
MW, ED (共催)	2005-01-18 14:25	東京	機械振興会館	ダブルリセス構造0.1umゲートpseudomorphic InP-HEMTの評価 ○荻窪光慈・大島知之・角谷昌紀・市岡俊彦（OKI）	ダブルリセス構造を適用した0.1 µmゲートpseudomorphic InP-HEMTを試作し、デバイス特... [more]	ED2004-221 MW2004-228 pp.53-58
MW, ED (共催)	2005-01-18 14:50	東京	機械振興会館	C帯，高利得5.5GHz， 26V動作 25W GaAs FET ○前川　新・山本高史・井上和孝・五十嵐　勉・佐野征吾・高瀬信太郎（ユーディナデバイス）	[more]	ED2004-222 MW2004-229 pp.59-63

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