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レーザ・量子エレクトロニクス研究会 (LQE) (検索条件: 2010年度)
「from:2010-12-17 to:2010-12-17」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE | 2010-12-17 09:20 |
東京 | 機械振興会館 | マイクロマシン構造を用いた面発光レーザの波長制御 ○佐野勇人・中田紀彦・中濱正統・松谷晃宏・小山二三夫（東工大）  LQE2010-114 |
面発光レーザに熱駆動のマイクロマシン(MEMS)を集積することで波長の温度係数を制御することができる．片持ち梁上部へのS... [more] | LQE2010-114 pp.1-4 |
| LQE | 2010-12-17 09:45 |
東京 | 機械振興会館 | 光インターコネクション向け高信頼性1060 nm帯面発光レーザにおける低電力損失特性 ○今井 英・高木啓史・神谷慎一・清水 均・吉田順自・川北泰雅・高木智洋・平岩浩二・清水 裕・鈴木理仁・岩井則広・石川卓哉・築地直樹・粕川秋彦（古河電工） LQE2010-115 |
我々が開発を行っている，高信頼性1060 nm帯VCSEL素子について紹介する．ダブルイントラキャビティ構造とInGaA... [more] | LQE2010-115 pp.5-8 |
| LQE | 2010-12-17 10:10 |
東京 | 機械振興会館 | All-Optical Memory Based on Buried Heterostructure Photonic Crystal Lasers ○Chin-Hui Chen・Shinji Matsuo・Kengo Nozaki・Akihiko Shinya・Tomonari Sato・Yoshihiro Kawaguchi・Hisashi Sumikura・Masaya Notomi（NTT） LQE2010-116 |
We have demonstrated an all-optical memory by using InGaAsP/... [more] | LQE2010-116 pp.9-12 |
| LQE | 2010-12-17 10:45 |
東京 | 機械振興会館 | 歪補償法による多重積層量子ドットレーザの発振波長制御 ○赤羽浩一・山本直克・川西哲也（NICT） LQE2010-117 |
本研究では歪補償法を用いた多重積層量子ドット構造を利用し、1.55μm光通信波長帯半導体レーザの作製を行なった。量子ドッ... [more] | LQE2010-117 pp.13-16 |
| LQE | 2010-12-17 11:10 |
東京 | 機械振興会館 | a-Si表面回折格子を有する1550nm波長帯横方向電流注入型DFBレーザ ○進藤隆彦・奥村忠嗣・伊藤 瞳・小口貴之・高橋大佑・渥美裕樹・姜 ジュンヒョン・長部 亮・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久（東工大） LQE2010-118 |
LSIの高速化に伴い、現在のグローバル配線層における遅延や発熱といった問題が将来的にLSI全体の性能を律速すると懸念され... [more] | LQE2010-118 pp.17-22 |
| LQE | 2010-12-17 11:35 |
東京 | 機械振興会館 | 低消費電流1.3μm帯AlGaInAs系25.8Gbps直接変調埋込型DFBレーザ ○境野 剛・瀧口 透・外間洋平・佐久間 仁・綿谷 力・柳楽 崇・鈴木大輔・青柳利隆・石川高英・石村栄太郎・島 顕洋（三菱電機） LQE2010-119 |
1.3μm帯AlGaInAs系埋込型DFBレーザにて，p-InP基板を用いたパッシブ導波路集積型短共振器構造とすることで... [more] | LQE2010-119 pp.23-26 |
| LQE | 2010-12-17 13:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［奨励講演］低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ ○植竹理人・大坪孝二・松田 学（光電子融合基盤技研/富士通/富士通研）・奥村滋一（富士通研）・江川 満・山本剛之（光電子融合基盤技研/富士通/富士通研） LQE2010-120 |
近年のデータ流通量の急激な増加に伴い，通信用光源のさらなる高速化への期待が高まっている．我々は、低消費電力な超高速直接変... [more] | LQE2010-120 pp.27-32 |
| LQE | 2010-12-17 13:35 |
東京 | 機械振興会館 | ［奨励講演］世界最速・超広帯域波長可変・超短パルスレーザー光源（擬似SC光源）の開発とOCTへの応用 ○住村和彦（光響/阪大）・玄田裕美・太田健史・伊東一良（阪大）・西澤典彦（名大） LQE2010-121 |
我々は、超短ソリトンパルス光を超高速波長掃引することにより擬似的なスーパーコンティニューム（SC）光（擬似SC）を生成し... [more] | LQE2010-121 pp.33-37 |
| LQE | 2010-12-17 14:10 |
東京 | 機械振興会館 | 超伝導発光ダイオードにおける電子クーパー対の寄与 ○笹倉弘理（北大）・田中和典（浜松ホトニクス）・許 載勲（北大）・赤崎達志（NTT）・熊野英和・末宗幾夫（北大） LQE2010-122 |
超伝導電極を付加した通信波長帯の光子を放出する発光ダイオード構造を作製し , 電子クーパー対の発光再結合過程への寄与を... [more] |
LQE2010-122 pp.39-42 |
| LQE | 2010-12-17 14:35 |
東京 | 機械振興会館 | 第一原理計算によるゲルマニウム量子井戸発光素子の研究 ○諏訪雄二・斎藤慎一（日立） |
[more] | |
| LQE | 2010-12-17 15:00 |
東京 | 機械振興会館 | 1.3ミクロン帯半導体レーザ基板用大型InGaAs単結晶の製造 ○木下恭一・依田眞一（JAXA）・青木拓克・山本 智・細川忠利・松島正明（フルウチ化学）・荒井昌和（NTT東日本）・川口悦弘（NEL）・狩野文良（NTT）・近藤康洋（NEL） LQE2010-123 |
半導体レーザの基板として均一組成の板状InxGa1-xAs (x: 0.10 – 0.13) 単結晶育成に世... [more] | LQE2010-123 pp.43-46 |
| LQE | 2010-12-17 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | 光励起によるGaAs1-xBix/GaAs薄膜のファブリ・ペローレーザ発振 ～ その発振波長の低温度依存性 ～ ○富永依里子・尾江邦重・吉本昌広（京都工繊大） LQE2010-124 |
光励起によるGaAs0.975Bi0.025/GaAsファブリ・ペロー共振器付き薄膜からのレーザ発振を実現した。GaAs... [more] | LQE2010-124 pp.47-50 |
| LQE | 2010-12-17 16:00 |
東京 | 機械振興会館 | 高出力625nmAlGaInP半導体レーザ ○八木哲哉・島田尚往・大野彰人・阿部真司・宮下宗治（三菱電機） LQE2010-125 |
[more] | LQE2010-125 pp.51-54 |
| LQE | 2010-12-17 16:25 |
東京 | 機械振興会館 | BeZnCdSeを用いた緑色レーザの室温連続発振 ○藤崎寿美子（日立）・中島 博（ソニー）・葛西淳一・秋本良一（産総研）・田才邦彦・滝口由朗（ソニー）・紀川 健（日立）・朝妻庸紀・玉村好司（ソニー）・田中滋久・辻 伸二（日立）・鍬塚治彦・挾間壽文・石川 浩（産総研） LQE2010-126 |
[more] | LQE2010-126 pp.55-58 |
| LQE | 2010-12-17 16:50 |
東京 | 機械振興会館 | 端面非吸収窓構造を用いた超高出力青紫レーザ ○川口真生・春日井秀紀・左文字克哉・萩野裕幸・折田賢児・山中一彦・油利正昭・瀧川信一（パナソニック） LQE2010-127 |
GaN系材料を用いた高出力半導体レーザは、ディスプレイ、光記録、加工などの幅広いアプリケーションのキーデバイスとして期待... [more] | LQE2010-127 pp.59-62 |
| LQE | 2010-12-17 17:15 |
東京 | 機械振興会館 | 紫外短波長領域に向けたAlGaN半導体レーザ ○吉田治正・桑原正和・山下陽滋・内山和也・菅 博文（浜松ホトニクス） LQE2010-128 |
AlGaN系多重量子井戸型レーザダイオードの室温下でのパルス駆動によるレーザ発振を実証した．GaN/AlGaNおよびAl... [more] | LQE2010-128 pp.63-67 |
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