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レーザ・量子エレクトロニクス研究会 (LQE)  (検索条件: 2020年度)

「from:2020-11-26 to:2020-11-26」による検索結果

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講演検索結果
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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
10:05
ONLINE オンライン開催 光音響・発光同時計測法と積分球法によるInGaN量子井戸の内部・外部量子効率推定
森 恵人高橋佑知坂井繁太森本悠也山口敦史金沢工大)・草薙 進蟹谷裕也工藤喜弘冨谷茂隆ソニーED2020-1 CPM2020-22 LQE2020-52
我々はこれまでにInGaN量子井戸(QW)の内部量子効率(IQE)を正確に測定する手法として,光音響(PA)・発光(PL... [more] ED2020-1 CPM2020-22 LQE2020-52
pp.1-4
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
10:25
ONLINE オンライン開催 InGaN量子井戸の発光温度消光の励起波長依存性
山口拓海有賀恭介森 恵人山口敦史金沢工大ED2020-2 CPM2020-23 LQE2020-53
窒化物半導体発光層の内部量子効率は, 発光強度の温度依存性の実験結果から見積もられることが多い. これは, 極低温におけ... [more] ED2020-2 CPM2020-23 LQE2020-53
pp.5-8
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
10:45
ONLINE オンライン開催 AlGaN UVBレーザダイオードのキャリア注入効率の算出
佐藤恒輔旭化成)・大森智也山田和輝田中隼也石塚彩花手良村昌平岩山 章岩谷素顕名城大)・三宅秀人三重大)・竹内哲也上山 智赤﨑 勇名城大ED2020-3 CPM2020-24 LQE2020-54
 [more] ED2020-3 CPM2020-24 LQE2020-54
pp.9-12
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
11:15
ONLINE オンライン開催 エピタキシャルAlInN膜のp/n導電性制御に関する研究
中林泰希高田華果江川孝志三好実人名工大)・竹内哲也名城大ED2020-4 CPM2020-25 LQE2020-55
本研究では、有機金属気相成長法(MOCVD)によるAlInN膜成長において、Si及びMgドープによる導電性制御、ならびに... [more] ED2020-4 CPM2020-25 LQE2020-55
pp.13-16
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
11:35
ONLINE オンライン開催 光無線給電システムに向けたGaN系受光素子の検討
山本皓介Pradip Dalapati江川孝志三好実人名工大ED2020-5 CPM2020-26 LQE2020-56
半導体発光デバイスと受光デバイスを用いた光無線給電システムが注目されている。本研究では、光無線給電システムに適用可能なエ... [more] ED2020-5 CPM2020-26 LQE2020-56
pp.17-20
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
11:55
ONLINE オンライン開催 エレクトロルミネッセンス・フォトルミネッセンス法によるAlN基板上265nm帯AlGaN LEDの評価
石井良太京大)・吉川 陽永瀬和宏旭化成)・船戸 充川上養一京大ED2020-6 CPM2020-27 LQE2020-57
 [more] ED2020-6 CPM2020-27 LQE2020-57
pp.21-24
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
13:30
ONLINE オンライン開催 選択再成長オーミックコンタクトを用いた高耐圧AlGaNチャネルHFET
井上暁喜原田紘希山中瑞樹江川孝志三好実人名工大ED2020-7 CPM2020-28 LQE2020-58
四元混晶AlGaInNバリア層と選択的に再成長したn+-GaNコンタクト層を採用したAl0.19Ga0.81NチャネルM... [more] ED2020-7 CPM2020-28 LQE2020-58
pp.25-28
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
13:50
ONLINE オンライン開催 ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価
横井駿一久保俊晴江川孝志名工大ED2020-8 CPM2020-29 LQE2020-59
SiO2はバンドギャップが約9eVと大きいため、原子層堆積(ALD)によってAl2O3とSiO2との2層絶縁膜を形成する... [more] ED2020-8 CPM2020-29 LQE2020-59
pp.29-32
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
14:10
ONLINE オンライン開催 界面顕微光応答法を用いた光電気化学エッチングしたNi/GaNショットキー接触の2次元評価 ~ n形とp形の比較 ~
松田 陵福井大)・堀切文正成田好伸吉田丈洋福原 昇サイオクス)・三島友義法政大)・塩島謙次福井大ED2020-9 CPM2020-30 LQE2020-60
 [more] ED2020-9 CPM2020-30 LQE2020-60
pp.33-36
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
14:40
ONLINE オンライン開催 Niナノインクを用いた印刷法で形成したn-GaNショットキー接触の二次元特性
川角優斗安井悠人福井大)・柏木行康玉井聡行阪産技研)・塩島謙次福井大ED2020-10 CPM2020-31 LQE2020-61
界面顕微光応答法(SIPM)を用いて,Niナノインクを用いた印刷法で形成したn-GaNショットキー接触の二次元評価を行っ... [more] ED2020-10 CPM2020-31 LQE2020-61
pp.37-40
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
15:00
ONLINE オンライン開催 高電子移動度トランジスタのための原子層平滑なAlNテンプレート上へのGaN成長
白土達也上杉謙次郎窪谷茂幸正直花奈子三宅秀人三重大ED2020-11 CPM2020-32 LQE2020-62
本研究では,低転位で良好な表面平坦性を有するアニール処理スパッタAlNテンプレート上にMOVPE法を用いて膜厚10–80... [more] ED2020-11 CPM2020-32 LQE2020-62
pp.41-44
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
15:30
ONLINE オンライン開催 酸素プラズマ処理によるAlGaN/GaN HEMTsの破壊電圧向上に関する研究
神谷俊佑西谷高至松田 悠高野 望ジョエル タクラ アスバル徳田博邦福井大)・葛原正明関西学院大ED2020-12 CPM2020-33 LQE2020-63
窒化ガリウム(GaN)は高い破壊電界強度を持っており、シリコン(Si)に代わるパワーデバイスの材料となることが期待されて... [more] ED2020-12 CPM2020-33 LQE2020-63
pp.45-48
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
15:50
ONLINE オンライン開催 Mist-CVD法によるAl2O3絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性
ロー ルイ シャン永瀬 樹バラトフ アリアスバル ジョエル タクラ徳田博邦福井大)・葛原正明関西学院大)・谷田部然治内藤健太本山智洋中村有水熊本大ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64
近年、ミスト化学気相成長(mist-CVD)法を用いて原子層堆積法と同等の膜質を有する Al2O3アモルファス薄膜の形成... [more] ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64
pp.49-52
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-27
10:30
ONLINE オンライン開催 CBD法によるMgZnOナノロッドの成長とUV光検出器応用
濱本昂大金丸陸斗寺迫智昭愛媛大)・矢木正和香川高専)・古林 寛山本哲也高知工科大ED2020-14 CPM2020-35 LQE2020-65
 [more] ED2020-14 CPM2020-35 LQE2020-65
pp.53-56
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-27
10:50
ONLINE オンライン開催 生体電気インピーダンス法を用いた日本酒の評価方法の基礎的検討
梶原朋也佐藤 勝武山真弓北見工大ED2020-15 CPM2020-36 LQE2020-66
 [more] ED2020-15 CPM2020-36 LQE2020-66
pp.57-59
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-27
11:20
ONLINE オンライン開催 AlGaN/GaN SG-HEMTと比べてMIS-HEMTの優れた高周波特性に関する研究
バラトフ アリ小澤渉至山下隼平アスバル ジョエル タクラ徳田博邦福井大)・葛原正明関西学院大ED2020-16 CPM2020-37 LQE2020-67
小信号特性の場合にはMIS構造がSG構造より優れた特性を示していることを複数の研究者から報告されている。しかし、大信号特... [more] ED2020-16 CPM2020-37 LQE2020-67
pp.60-62
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-27
11:40
ONLINE オンライン開催 PEDOT:PSS/ZnOナノロッド/GZOヘテロ接合UV光検出器の時間応答特性
山田健太寺迫智昭愛媛大)・矢木正和香川高専)・古林 寛山本哲也高知工科大ED2020-17 CPM2020-38 LQE2020-68
 [more] ED2020-17 CPM2020-38 LQE2020-68
pp.63-66
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-27
13:00
ONLINE オンライン開催 GaNトンネル接合を備えたLEDにおける横方向Mg活性化の最適化
田先美貴子清原一樹小田原麻人伊藤太一竹内哲也上山 智岩谷素顕名城大)・赤﨑 勇名大ED2020-18 CPM2020-39 LQE2020-69
GaNトンネル接合を有する電流狭窄構造は、LEDやレーザダイオードに利用されている。上部n-GaN層がトンネル接合とp型... [more] ED2020-18 CPM2020-39 LQE2020-69
pp.67-70
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-27
13:20
ONLINE オンライン開催 量子殻活性層およびトンネル接合を有するナノワイヤ発光デバイス実現に向けた結晶成長に関する検討
宮本義也曽根直樹Weifang Lu奥田廉士伊藤和真奥野浩司飯田一喜上山 智竹内哲也岩谷素顕名城大)・赤﨑 勇名城大/名大ED2020-19 CPM2020-40 LQE2020-70
本研究ではコアシェル型GaNナノワイヤを用いた発光デバイスの実現に向けて、埋め込みn-GaN層の成長を検討した。ナノイン... [more] ED2020-19 CPM2020-40 LQE2020-70
pp.71-74
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-27
13:40
ONLINE オンライン開催 AlGaN系UV-B LDにおける導波路層の構造検討
田中隼也名城大)・佐藤恒輔旭化成)・安江信次荻野雄矢山田和輝石塚彩花大森智也手良村昌平岩山 章名城大)・三宅秀人三重大)・岩谷素顕竹内哲也上山 智赤﨑 勇名城大ED2020-20 CPM2020-41 LQE2020-71
本グループでは昨年度、UV-B領域の電流注入型半導体レーザの実現を報告した。今後、低閾値電流密度化が最重要課題となってい... [more] ED2020-20 CPM2020-41 LQE2020-71
pp.75-78
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