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集積回路研究会 (ICD) (検索条件: 2009年度)
「from:2009-07-16 to:2009-07-16」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-16 10:00 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | 14GHzの帯域を持つ63GHz 36mW CMOS差動低雑音増幅器 ○藤島 実・夏苅洋平（東大）  SDM2009-97 ICD2009-13 |
シングルエンド入力・差動出力を持つ低消費電力・広帯域63GHz CMOS低雑音増幅回路(LNA)を提案する．提案するLN... [more] | SDM2009-97 ICD2009-13 pp.1-6 |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-16 10:25 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | 電荷領域のサンプリング相関器を用いた100Mbps, 1.28mWインパルスUWB受信回路 ○劉 楽昌・桜井貴康・高宮 真（東大） SDM2009-98 ICD2009-14 |
従来の相関器を用いたインパルスUWB受信回路で課題であったアナログ回路によるDC電力と、同期回路による電力増の問題を解決... [more] | SDM2009-98 ICD2009-14 pp.7-11 |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-16 11:00 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | 49mW 5Gbps CMOS 60GHz Pulse Receiver for Wireless Communication ○Ahmet Oncu・Minoru Fujishima（Univ. of Tokyo.） SDM2009-99 ICD2009-15 |
A 5Gbps CMOS receiver for 60GHz impulse radio is realized. I... [more] | SDM2009-99 ICD2009-15 pp.13-16 |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-16 11:25 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | レート保証型パケットバッファリング回路の低消費電力化技術 ○財津和也（阪市大）・岩本 久・黒田泰斗・矢野祐二（ルネサステクノロジ）・山本耕次（ルネサスデザイン）・井上一成（ルネサステクノロジ）・阿多信吾・岡 育夫（阪市大） SDM2009-100 ICD2009-16 |
高速データ転送を保証する高性能ルータの開発において、パケットバッファの動作保証が非常に困難になっている。我々の研究チーム... [more] | SDM2009-100 ICD2009-16 pp.17-22 |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-16 11:50 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | 2.88Gbps UWBトランシーバの低消費電力化技術 ○大島直樹・沼田圭市・児玉浩志・石川比呂夢・矢野仁之・田中昭生（NEC） SDM2009-101 ICD2009-17 |
UWB(Ultra Wide Band)通信において3バンドを同時に送受信することで伝送レートが2.88Gbpsになる、... [more] | SDM2009-101 ICD2009-17 pp.23-28 |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-16 13:15 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | ［招待講演］CNT(カーボンナノチューブ)素子大規模集積化に向けての展望と課題 ○藤田 忍（東芝） SDM2009-102 ICD2009-18 |
[more] | SDM2009-102 ICD2009-18 pp.29-32 |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-16 14:00 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | 0.5V動作DRAM用60pJ，立ち上がり時間3クロック，しきい値電圧ロス補償ワード線昇圧回路 ○田中丸周平・竹内 健（東大） SDM2009-103 ICD2009-19 |
0.5V動作DRAMのための, 低消費電力・高速ワード線昇圧回路を提案する．スタンドバイチャージポンプ・アクティブキッカ... [more] | SDM2009-103 ICD2009-19 pp.33-38 |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-16 14:25 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ ○矢島亮児・畑中輝義（東大）・高橋光恵・酒井滋樹（産総研）・竹内 健（東大） SDM2009-104 ICD2009-20 |
データセンター用SSDへの応用を目的として不揮発性ページバッファを搭載したFerroelectric(Fe)-NANDフ... [more] | SDM2009-104 ICD2009-20 pp.39-44 |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-16 15:00 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | (110)SOI基板上に作製したGAAシリコンナノワイヤの移動度評価 ○陳 杰智・更屋拓哉・平本俊郎（東大） SDM2009-105 ICD2009-21 |
(110)基板上のシリコンナノワイヤpFETにおける正孔移動度の実験結果について述べる．ナノワイヤFETはゲートオールア... [more] | SDM2009-105 ICD2009-21 pp.45-48 |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-16 15:25 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | Sub-30 nm NMOSFETにおけるゲートLER起因閾値電圧ばらつきを抑制するための包括的な不純物分布設計法 ○福留秀暢（富士通マイクロエレクトロニクス）・堀 陽子（富士通クオリティ・ラボ）・保坂公彦・籾山陽一・佐藤成生・杉井寿博（富士通マイクロエレクトロニクス） SDM2009-106 ICD2009-22 |
我々はゲート幅方向へ傾斜させた平行エクステンション注入によりnMOSFETのVthばらつきが15%低減することを初めて実... [more] | SDM2009-106 ICD2009-22 pp.49-52 |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-16 15:50 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とTinvスケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン 後藤正和・○川中 繁・犬宮誠治・楠 直樹・齋藤真澄・辰村光介・木下敦寛・稲葉 聡・豊島義明（東芝） SDM2009-107 ICD2009-23 |
Tinvスケーリングとチャネル内キャリア移動度劣化のトレードオフに関し、極微細MOSFETを用いた実験データに基づき解析... [more] | SDM2009-107 ICD2009-23 pp.53-56 |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-17 09:30 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | 積層方式NAND構造1トランジスタ型FeRAMの設計法の検討 ○菅野孝一・渡辺重佳（湘南工科大） SDM2009-108 ICD2009-24 |
[more] | SDM2009-108 ICD2009-24 pp.57-62 |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-17 09:55 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | ユニバーサルメモリを目指した積層型NAND MRAMの検討 ○玉井翔人・渡辺重佳（湘南工科大） SDM2009-109 ICD2009-25 |
[more] | SDM2009-109 ICD2009-25 pp.63-68 |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-17 10:20 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | ［招待講演］ナノブリッジのCu配線への埋め込み技術 ○阪本利司・多田宗弘・辻 幸秀・伴野直樹・波田博光（NEC）・青野正和（物質・材料研究機構） SDM2009-110 ICD2009-26 |
[more] | SDM2009-110 ICD2009-26 pp.69-72 |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-17 11:15 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | ［招待講演］Beyond CMOSにおけるシリコンテクノロジーのインパクト ○遠藤哲郎・羽生貴弘（東北大） SDM2009-111 ICD2009-27 |
近年のCMOS技術の課題を受けて、More MooreやMore than Mooreといった技術トレンドに加えて、Be... [more] | SDM2009-111 ICD2009-27 pp.73-78 |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-17 12:00 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F2クロスポイント型相変化メモリ ○笹子佳孝・木下勝治・森川貴博・黒土健三・半澤 悟・峰 利之・島 明生・藤崎芳久・久米 均・守谷浩志・高浦則克・鳥居和功（日立） SDM2009-112 ICD2009-28 |
ポリSiダイオード駆動のクロスポイント型相変化メモリの試作・電気特性評価を行った。低接触抵抗で駆動電流が8 MA/cm2... [more] | SDM2009-112 ICD2009-28 pp.79-83 |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-17 13:25 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | ［招待講演］スピン機能MOSFETよる新しいエレクトロニクスの展開 ○菅原 聡（東工大/JST） SDM2009-113 ICD2009-29 |
[more] | SDM2009-113 ICD2009-29 pp.85-89 |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-17 14:10 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | 垂直磁化磁壁移動セルを用いた高速低電流MRAM ○深見俊輔・鈴木哲広・永原聖万・大嶋則和（NEC）・尾崎康亮（NECエレクトロニクス）・齊藤信作・根橋竜介・崎村 昇・本庄弘明・森 馨・五十嵐忠二・三浦貞彦・石綿延行・杉林直彦（NEC） SDM2009-114 ICD2009-30 |
高速混載メモリの代替を目指した垂直磁化磁壁移動MRAMを開発した。試作素子の評価から、十分な熱安定性を維持した上で、書き... [more] | SDM2009-114 ICD2009-30 pp.91-95 |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-17 14:45 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | ［招待講演］人と地球にやさしい情報社会の実現をサポートするナノテクノロジー ○田原修一（NEC） SDM2009-115 ICD2009-31 |
ナノテクノロジーはICTのイノベーションの鍵を握る技術である．NECはBIT/ECOをコンセプトとし，人と地球にやさしい... [more] | SDM2009-115 ICD2009-31 pp.97-99 |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-17 15:30 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | ［招待講演］グラフェンデバイスの開発と今後の展望 ○尾辻泰一（東北大） SDM2009-116 ICD2009-32 |
本稿では、ポストシリコンCMOS技術として我々が開発を進めているSi基板上にエピタキシャル成長したグラフェンとその光・電... [more] | SDM2009-116 ICD2009-32 pp.101-106 |
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