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研究会
発表日時
開催地
タイトル・著者
抄録
資料番号
ICD
2006-04-13
09:20
大分
大分大学
DRAMにおけるVRT(Variable Retention Time)の起原 ~ 接合リーク電流の2値変動 ~
毛利友紀
(
日立
)・
大湯靜憲
・
小此木堅祐
(
エルピーダメモリ
)・○
山田廉一
(
日立
)
[more]
ICD2006-1
pp.1-6
ICD
2006-04-13
09:45
大分
大分大学
リテンション時間延長可能なスリープモードを搭載した65nm低消費電力混載DRAM
○
高井智久
・
永井 健
・
和田政春
・
岩井 斎
・
加来真理子
・
鈴木 淳
・
糸賀尚子
・
宮崎隆行
(
東芝
)・
竹中博幸
(
東芝マイクロエレクトロニクス
)・
北城岳彦
・
宮野信治
(
東芝
)
混載DRAMにおけるデータ保持電力を削減するために、オンチップECC回路とMT-CMOS技術を用いて実現されるリテンショ...
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ICD2006-2
pp.7-12
ICD
2006-04-13
10:10
大分
大分大学
カラムアクセス8.4ns,1.6Gbpsデータ転送を実現する512M DDR3 SDRAMのデータ転送回路技術の開発
○
久保内修一
(
日立超LSIシステムズ
)・
藤澤宏樹
・
黒木浩二
・
西岡直久
・
利穂吉郎
・
野田浩正
(
エルピーダメモリ
)・
藤井 勇
・
余公秀之
・
瀧下隆治
・
伊藤孝洋
・
田中 均
(
日立超LSIシステムズ
)・
中村正行
(
エルピーダメモリ
)
DDR3 SDRAMにおいて1.6Gbpsデータ転送を実現するため,2つの回路技術を開発した.(1)メモリアレイから同時...
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ICD2006-3
pp.13-18
ICD
2006-04-13
10:45
大分
大分大学
[特別招待講演]サブ1V DRAM設計技術
○
河原尊之
(
日立
)
DRAMのサブ1V動作を実現するための課題といくつかの解決案について述べる。DRAMの低電圧化は困難であり、消費電力、信...
[more]
ICD2006-4
pp.19-24
ICD
2006-04-13
11:35
大分
大分大学
90nm node CMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発
○
中島博臣
・
南 良博
・
篠 智彰
(
東芝
)・
坂本篤史
(
東芝情報システム
)・
東 知輝
(
東芝マイクロエレクトロニクス
)・
楠 直樹
・
藤田勝之
・
初田幸輔
・
大澤 隆
・
青木伸俊
・
谷本弘吉
・
森門六月生
・
井納和美
・
浜本毅司
・
仁田山晃寛
(
東芝
)
SOI基板上にFBC(Floating Body Cell)とよぶメモリセルを用いて90nmCMOSコンパチの128Mb...
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ICD2006-5
pp.25-30
ICD
2006-04-13
13:00
大分
大分大学
[特別招待講演]Chain FeRAM技術と将来展望
○
高島大三郎
(
東芝
)
連鎖型強誘電体メモリ(chain FeRAM®)は、高密度/高速/低消費電力化が可能な新規メモリとして有望である...
[more]
ICD2006-6
pp.31-36
ICD
2006-04-13
13:50
大分
大分大学
[特別招待講演]金属酸化物抵抗変調型NVM技術
○
田口眞男
(
スパンシオン
)
あらまし 物質の抵抗変化現象を用いた不揮発性メモリ技術、特にReRAMと総称される絶縁薄膜の抵抗スイッチ現象を用いた技...
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ICD
2006-04-13
14:50
大分
大分大学
[特別招待講演]新構造メモリ技術とSoCプラットフォーム
○
有本和民
(
ルネサステクノロジ
)
本稿はSoCプラットフォームのオープンアーキテクチャをベースにしたアプリケーション統合化の流れの中で、ハードウエア・ソフ...
[more]
ICD2006-7
pp.37-42
ICD
2006-04-13
15:40
大分
大分大学
[特別招待講演]SoC設計からみたメモリへの要求
○
高橋真史
(
東芝
)
[more]
ICD2006-8
pp.43-48
ICD
2006-04-13
16:40
大分
大分大学
[パネル討論]新メモリとSoC,今何をすべきか?
○
日高秀人
(
ルネサステクノロジ
)・
田口眞男
(
SPANSION JAPAN
)・
河原尊之
(
日立
)・
高島大三郎
(
東芝
)・
上野修一
(
ルネサステクノロジ
)・
高田雅史
(
金沢大
)・
高橋真史
(
東芝
)
2000年以降、新型メモリ開発ラッシュが続いているが、それらの比較や適するアプリケーションの議論は、ほとんどが単体メモリ...
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ICD2006-9
p.49
ICD
2006-04-14
08:40
大分
大分大学
相変化メモリを利用した不揮発性SRAMアーキテクチャの研究
○
高田雅史
・
中山和也
・
泉 貴富
・
新村 達
・
秋田純一
・
北川章夫
(
金沢大
)
[more]
ICD2006-10
pp.51-56
ICD
2006-04-14
09:05
大分
大分大学
MRAMに適したパイプライン型セルフリファレンス手法の検討
○
岡村怜王奈
(
早大
)・
木原雄治
(
ルネサステクノロジ
)・
金 泰潤
・
木村史法
・
松井悠亮
(
早大
)・
大石 司
(
ルネサステクノロジ
)・
吉原 務
(
早大
)
[more]
ICD2006-11
pp.57-62
ICD
2006-04-14
09:30
大分
大分大学
4MbMRAMとその応用
○
杉林直彦
・
本田雄士
・
崎村 昇
・
永原聖万
・
三浦貞彦
・
志村健一
・
辻 清孝
・
福本能之
・
本庄弘明
・
鈴木哲広
・
加藤有光
・
齋藤信作
・
笠井直記
・
沼田秀昭
・
大嶋則和
(
NEC
)
開発した4MbMRAMのセル技術、回路技術、試作結果及び応用提案について報告する。メモリセルはトグルセルであり、0.24...
[more]
ICD2006-12
pp.63-67
ICD
2006-04-14
09:55
大分
大分大学
携帯機器に適した低電圧・高速・高信頼性 16Mb MRAM
○
清水有威
・
岩田佳久
・
土田賢二
・
稲場恒夫
・
滝沢亮介
・
上田善寛
・
板垣清太郎
・
浅尾吉昭
・
梶山 健
・
細谷啓司
・
池川純夫
・
甲斐 正
・
中山昌彦
・
與田博明
(
東芝
)
[more]
ICD2006-13
pp.69-73
ICD
2006-04-14
10:25
大分
大分大学
[特別招待講演]Spin-Transfer Torque Writing Technology (STT-RAM) For Future MRAM
○
Hide Nagai
・
Yiming Huai
(
Grandis
)・
Shuichi Ueno
・
Tsuyoshi Koga
(
Renesas Technology
)
[more]
ICD2006-14
pp.75-80
ICD
2006-04-14
11:15
大分
大分大学
DRAM技術を用いて特性を改善した16M SRAM
○
木原雄治
・
中嶋 泰
・
井筒 隆
・
中本正幸
(
ルネサステクノロジ
)・
吉原 務
(
早大
)
0.15umのDRAM技術とTFT技術を用いてメモリセルサイズが0.98um2の16M 低消費電力SRAM を開発した。...
[more]
ICD2006-15
pp.81-84
ICD
2006-04-14
11:40
大分
大分大学
次世代SRAMのために再定義した書き込みマージン
○
武田晃一
・
池田秀寿
・
萩原靖彦
・
野村昌弘
(
NEC
)・
小畑弘之
(
NECエレクトロニクス
)
[more]
ICD2006-16
pp.85-90
ICD
2006-04-14
13:00
大分
大分大学
[特別招待講演]バッテリ機器向け低電力・低電圧SRAM回路技術
○
山岡雅直
(
日立
)
携帯機器向けのプロセッサでは、混載SRAMの電力がプロセッサ全体の電力に与える影響が大きく、低電力混載SRAM回路技術が...
[more]
ICD2006-17
pp.91-96
ICD
2006-04-14
13:50
大分
大分大学
局所的な閾値電圧ばらつきに対するSRAM安定動作解析手法について
○
塚本康正
・
新居浩二
(
ルネサステクノロジ
)・
今岡 進
(
ルネサスデザイン
)・
小田祐士
(
シキノハイテック
)・
大林茂樹
・
薮内 誠
・
牧野博之
・
石橋孝一郎
・
篠原尋史
(
ルネサステクノロジ
)
[more]
ICD2006-18
pp.97-102
ICD
2006-04-14
14:20
大分
大分大学
Floating Gate Type Planar MOSFET Memory with 35 nm Gate Length using Double Junction Tunneling
○
Ryuji Ohba
・
Yuichiro Mitani
・
Naoharu Sugiyama
・
Shinobu Fujita
(
Toshiba
)
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ICD2006-19
pp.103-107
22件中 1~20件目
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