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集積回路研究会 (ICD) (検索条件: 2018年度)
「from:2018-04-19 to:2018-04-19」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD | 2018-04-19 10:10 |
東京 | 機械振興会館 | 3D-TLC NAND型フラッシュメモリにおける水平エラー検出と垂直LDPC符号を用いた高信頼化手法 ○鈴木 峻・出口慶明・中村俊貴・溝口恭史・竹内 健（中大）  ICD2018-1 |
NAND型フラッシュメモリ向けの高信頼化手法として Asymmetric Coding(AC)が提案されている．本研究で... [more] | ICD2018-1 pp.1-6 |
| ICD | 2018-04-19 10:35 |
東京 | 機械振興会館 | ヘテロジニアスストレージにおけるアプリケーションに応じた不揮発性メモリ構成の最適化 ○松井千尋・竹内 健（中大） ICD2018-2 |
データセンターストレージでは特性の異なるストレージアプリケーションに適切な半導体不揮発性メモリを組み合わせることが必要で... [more] | ICD2018-2 pp.7-10 |
| ICD | 2018-04-19 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］データの価値判断に基づいた高信頼SSDシステム ○竹内 健（中大） ICD2018-3 |
[more] | ICD2018-3 p.11 |
| ICD | 2018-04-19 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］深層学習ハードウェアのためのカオスボルツマンマシンのVLSI実装 ○森江 隆・山口正登志・川島一郎・田向 権（九工大） ICD2018-4 |
ボルツマンマシン（BM）は確率的動作を利用した最適化問題解法機械または学習機械として提案されたモデルである．また，制限付... [more] | ICD2018-4 p.13 |
| ICD | 2018-04-19 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］アナログ型抵抗変化ニューロデバイス・システムのソフト・ハード一体型研究開発 ○秋永広幸・島 久・内藤泰久（産総研）・浅井哲也（北大） ICD2018-5 |
我々は、アナログ型抵抗変化デバイス(Resistive Analog Neuro Device; RAND)を用いて、消... [more] | ICD2018-5 p.15 |
| ICD | 2018-04-19 14:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Low power Deep Learning hardware using emerging analog non-volatile memory ○Irina Kataeva（DENSO Corp.） |
[more] | |
| ICD | 2018-04-19 15:45 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］NVIDIAのAI用最新GPU技術のご紹介 ～ 伸び悩むDDRメモリーバンド幅への対応 ～ ○馬路 徹（NVIDIA） |
GPUはムーアの法則による集積度の向上を生かし、現在も年率1.5倍で性能向上を達成している。その性能を生かし各種超並列処... [more] | |
| ICD | 2018-04-19 16:35 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］メモリズムプロセッサによる人工知能の課題解決 ○井上克己（エイ・オー・テクノロジーズ）・範 公可（電通大） ICD2018-6 |
[more] | ICD2018-6 pp.17-22 |
| ICD | 2018-04-20 09:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］A new core transistor equipped with NVM functionality without using any emerging memory materials ○Yasuhiro Taniguchi・Shoji Yoshida・Owada Fukuo・Yutaka Shinagawa・Hideo Kasai（Floadia）・Lin Jia You・Wei I Huan（PTC）・Daisuke Okada・Koichi Nagasawa・Kosuke Okuyama（Floadia） ICD2018-7 |
A tri-gate core transistor which has nonvolatile memory [NVM... [more] | ICD2018-7 pp.23-27 |
| ICD | 2018-04-20 10:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］IoT向け65nmSOTBプロセスを用いた2RWデュアルポートSRAMの設計事例 ○澤田陽平・山本芳樹・長谷川拓実・新川田裕樹・藪内 誠（ルネサス エレクトロニクス）・篠崎義弘・伊東恭二（日本システムウエア）・田中信二・新居浩二・蒲原史郎（ルネサス エレクトロニクス） ICD2018-8 |
[more] | ICD2018-8 pp.29-32 |
| ICD | 2018-04-20 10:45 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］同/異RowでのWLパルスタイミング調整を用いた同期型2RW 8T Dual-port SRAMのダイナミック電力削減 ○横山佳巧・石井雄一郎・奥田治之・新居浩二（REL） ICD2018-9 |
同期2-read/write (2RW) 8T dual-port (DP) SRAMにおいて動作電力を削減する効果的な... [more] | ICD2018-9 pp.33-38 |
| ICD | 2018-04-20 11:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］A 512Gb 3b/Cell 3D Flash Memory on a 96-Word-Line-Layer Technology ○Hiroshi Maejima・Kazushige Kanda・Susumu Fujimura・Teruo Takagiwa・Susumu Ozawa・Jumpei Sato・Yoshihiko Shindo・Manabu Sato・Naoaki Kanagawa・Junji Musha・Satoshi Inoue・Katsuaki Sakurai・Toshifumi Hashimoto（TMC）・Hao Nguyen・Ken Cheah・Hiroshi Sugawara・Seungpil Lee（WDC）・Toshiki Hisada・Tetsuya Kaneko・Hiroshi Nakamura（TMC） ICD2018-10 |
96層ワードラインのBiCS FLASH技術により、512Gb 3b/cell 3Dフラッシュメモリを開発した。性能改善... [more] | ICD2018-10 pp.39-44 |
| ICD | 2018-04-20 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］情報セキュリティのためのランダム回路 ○篠原尋史（早大） ICD2018-11 |
[more] | ICD2018-11 p.45 |
| ICD | 2018-04-20 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］結晶性酸化物半導体FETを用いたメモリLSI ○小山 潤・関 貴子・八窪裕人・大下 智・古谷一馬・石津貴彦・熱海知昭・安藤善範・松林大介・加藤 清・奥田 高（半導体エネルギー研）・藤田昌宏（東大）・山﨑舜平（半導体エネルギー研） ICD2018-12 |
ｃ軸配向結晶性In-Ga-Zn 酸化物半導体 (CAAC-IGZO)を用いたFETは6yA/μm（85℃）という極めて小... [more] | ICD2018-12 pp.47-52 |
| ICD | 2018-04-20 14:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］メモリベースド・リコンフィギャラブルロジックデバイスの検討と開発 ○大原 衛（都立産技研センター）・佐藤正幸（TRL）・岡部 忠（都立産技研センター）・勝 満徳（TRL） ICD2018-13 |
[more] | ICD2018-13 pp.53-54 |
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