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集積回路研究会 (ICD)  (検索条件: 2017年度)

「from:2017-04-20 to:2017-04-20」による検索結果

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講演検索結果
 登録講演(開催プログラムが公開されているもの)  (日付・昇順)
 18件中 1~18件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2017-04-20
10:10
東京 機械振興会館 [依頼講演]超低消費エネルギーと高集積性を併せ持つ電圧制御スピントロニクスメモリ ~ (Ultra-low Energy Consumption High-Dentisy VoCSM) ~
與田博明下村尚治大沢裕一白鳥聡志加藤侑志井口智明上口裕三ブヤンダライ アルタンサガイ斉藤好昭鴻井克彦杉山英行及川壮一清水真理子石川瑞恵池上一隆東芝ICD2017-1
 [more] ICD2017-1
pp.1-4
ICD 2017-04-20
10:35
東京 機械振興会館 [依頼講演]2Xnm世代以降のトランジスタに向けた,高速且つ低消費電力動作する不揮発性STT-MRAM用MTJ素子の開発
才田大輔柏田沙織矢ヶ部恵弥大坊忠臣伊藤順一野口紘希安部恵子藤田 忍東芝)・福本三芳三輪真嗣鈴木義茂阪大ICD2017-2
 [more] ICD2017-2
pp.5-9
ICD 2017-04-20
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]9F2型高密度セルと階層ビット線方式を採用しLPDDR2インターフェースを実装した4GビットSTT-MRAM
土田賢二東芝)・Kwangmyoung RhoDongkeun KimSK hynix)・白井 豊東芝)・Jihyae BaeSK hynix)・稲場恒夫野呂寛洋東芝)・Hyunin MoonSungwoong ChungSK hynix)・須之内一正東芝)・Jinwon ParkKiseon ParkSK hynix)・山本明人東芝)・Seoungju ChungHyeongon KimSK hynixICD2017-3
開発した4Gb STT-MRAMは、垂直記録型TMR素子を採用した1T1MTJ型のメモリセルを導入する事で90nm×90... [more] ICD2017-3
pp.11-16
ICD 2017-04-20
13:00
東京 機械振興会館 [招待講演]ナノドット型恒久メモリーの研究
渡邊 強三浦典之劉 施佳今井繁規永田 真神戸大ICD2017-4
ワード線、ビット線の交差部分に配したナノドットの静電容量をデータとして読み取る恒久メモリーを考案し、0.18&#6154... [more] ICD2017-4
pp.17-22
ICD 2017-04-20
13:50
東京 機械振興会館 [依頼講演]IoTローカルデバイス向けCMOSプロセスとNAND型フラッシュプロセスで構成される1.0 V動作NAND型フラッシュメモリ書き込み電圧生成回路
鶴見洸太田中誠大竹内 健中大ICD2017-5
IoTローカルデバイスに組み込まれるデータストレージとしてNAND型フラッシュメモリが注目されている。IoTローカルデバ... [more] ICD2017-5
pp.23-28
ICD 2017-04-20
14:15
東京 機械振興会館 [依頼講演]リード・ホット・データとコールド・データのエラーを削減するデータセンタ向けTLC NAND型フラッシュメモリの高信頼制御技術
中村俊貴小林惇朗竹内 健中大ICD2017-6
クラウドデータセンタでは、読み出しが頻繁に行われるホットデータからほとんど読み出しが行われないコールドデータまで、様々な... [more] ICD2017-6
pp.29-34
ICD 2017-04-20
14:55
東京 機械振興会館 [依頼講演]16/14nmノード以降における高速かつ高信頼性を有する混載フラッシュメモリ向けFinFET Split-Gate MONOS
津田是文川嶋祥之園田賢一郎吉冨敦司三原竜善鳴海俊一井上真雄村中誠志丸山隆弘山下朋弘山口泰男ルネサス エレクトロニクス)・久本 大日立ICD2017-7
世界初のFinFET構造を有するスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリの作製,動作について報告する.FinFET構... [more] ICD2017-7
pp.35-38
ICD 2017-04-20
15:20
東京 機械振興会館 [招待講演]車載用アプリケーションが求める混載Flash技術
中野全也伊藤 孝山内忠昭山口泰男河野隆司日高秀人ルネサス エレクトロニクスICD2017-8
低燃費エンジンおよびADAS(Advanced Driver Assistance System)の高性能化が進む中、車... [more] ICD2017-8
pp.39-44
ICD 2017-04-20
16:10
東京 機械振興会館 [招待講演]A 512Gb 3b/Cell Flash Memory on 64-Word-Line-Layer BiCS Technology
Ryuji YamashitaSagar MagiaWDC)・Tsutomu HiguchiKazuhide YoneyaToshio YamamuraToshiba)・Hiroyuki MizukoshiShingo ZaitsuMinoru YamashitaShunichi ToyamaNorihiro KamaeJuan LeeShuo ChenJiawei TaoWilliam MakXiaohua ZhangWDCICD2017-9
64ワードライン層BiCS技術による512Gb 3b/cellフラッシュメモリーを開発した。Four-block-EOC... [more] ICD2017-9
pp.45-50
ICD 2017-04-21
09:35
東京 機械振興会館 [依頼講演]不揮発性SRAMのアーキテクチャとエネルギー性能
北形大樹周藤悠介山本修一郎菅原 聡東工大ICD2017-10
マイクロプロセッサやSoCの待機時電力を高効率に削減できる不揮発記憶を利用したパワーゲーティング(NVPG)に必要となる... [more] ICD2017-10
pp.51-56
ICD 2017-04-21
10:00
東京 機械振興会館 [依頼講演]A 55nm Ultra Low Leakage Deeply Depleted Channel Technology Optimized for Energy Minimization in Subthreshold SRAM and Logic
Harsh N. PatelAbhishek RoyFarah B. YahyaNingxi LiuBenton CalhounUVA)・Akihiko HaradaFEA)・Kazuyuki KumenoMakoto YasudaTaiji EmaMIFSICD2017-11
本稿では55nm超低リークDDC技術によるULL(Ultra-Low Leakage)トランジスタを用いた回路特性の評価... [more] ICD2017-11
pp.57-61
ICD 2017-04-21
10:25
東京 機械振興会館 [依頼講演]16-nm FinFETを用いた6.05-Mb/mm2の高密度及び313psの高速読み出し可能なDouble Pumping型1W1R 2-port SRAM
澤田陽平藪内 誠森本薫夫ルネサス エレクトロニクス)・佐野聡明ルネサス システムデザイン)・石井雄一郎田中信二ルネサス エレクトロニクス)・田中美紀ルネサス システムデザイン)・新居浩二ルネサス エレクトロニクスICD2017-12
 [more] ICD2017-12
pp.63-65
ICD 2017-04-21
11:00
東京 機械振興会館 [依頼講演]高耐熱ポリマー固体電解質(TT-PSE)を用いた不揮発プログラマブルロジック向け高信頼性Cu原子スイッチ
岡本浩一郎多田宗弘伴野直樹井口憲幸波田博光阪本利司宮村 信辻 幸秀根橋竜介森岡あゆ香白 旭杉林直彦NECICD2017-13
低消費電力FPGAを実現可能とするCu架橋の形成でスイッチングする原子スイッチについて、Cuイオンが伝導するポリマー固体... [more] ICD2017-13
pp.67-72
ICD 2017-04-21
11:25
東京 機械振興会館 [依頼講演]原子スイッチFPGAの高密度化とスケーラビリティ
辻 幸秀白 旭森岡あゆ香宮村 信根橋竜介阪本利司多田宗弘伴野直樹岡本浩一郎井口憲幸波田博光杉林直彦NECICD2017-14
SRAMとCMOSスイッチの代わりに、原子レベル(数nm)の金属架橋の有無で抵抗が大きく変化する不揮発スイッチ素子(原子... [more] ICD2017-14
pp.73-78
ICD 2017-04-21
13:00
東京 機械振興会館 [依頼講演]クロスバー型アンチヒューズメモリを用いた高集積プログラマブル論理回路
安田心一小田聖翔松本麻里辰村光介財津光一郎何 英豪小野瑞城東芝ICD2017-15
 [more] ICD2017-15
pp.79-83
ICD 2017-04-21
13:25
東京 機械振興会館 [依頼講演]HfO強誘電体薄膜を用いたトンネル接合メモリ(FTJ)の動作実証
山口まりな藤井章輔上牟田雄一井野恒洋高石理一郎中崎 靖齋藤真澄東芝ICD2017-16
強誘電性を利用した不揮発性メモリ技術は広く普及しているものの,CMOS親和性の低い強誘電材料を用いることや,データ読み出... [more] ICD2017-16
pp.85-88
ICD 2017-04-21
13:50
東京 機械振興会館 [依頼講演]60nm CAAC-IGZO FETと65nm CMOSを組み合わせて作成した組み込みメモリとARM Cortex-M0コア
大貫達也磯部敦生安藤善範岡本 悟加藤 清半導体エネルギー研)・T R YewChen Bin LinJ Y WuChi Chang ShuaiShao Hui WuUnited Microelectronics Corporation)・James MyersARM)・Klaus DopplerNokia Technologies)・藤田昌宏東大)・山崎舜平半導体エネルギー研ICD2017-17
 [more] ICD2017-17
pp.89-93
ICD 2017-04-21
14:15
東京 機械振興会館 [招待講演]A 1/2.3in 20Mpixel 3-Layer Stacked CMOS Image Sensor with DRAM
Tsutomu Haruta・○Tsutomu NakajimaJun HashizumeTaku UmebayashiHiroshi TakahashiKazuo TaniguchiMasami KurodaHiroshi SumihiroKoji EnokiSony Semiconductor Solutions)・Takatsugu YamasakiSony Semiconductor Manufacturing)・Katsuya IkezawaAtsushi KitaharaMasao ZenMasafumi OyamaHiroki KogaSony Semiconductor SolutionsICD2017-18
 [more] ICD2017-18
pp.95-98
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