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集積回路研究会 (ICD) (検索条件: 2013年度)
「from:2013-08-01 to:2013-08-01」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ICD (共催) |
2013-08-01 09:00 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | SOI構造における急峻なサブスレッショルド特性の解析 ○森 貴之・井田次郎（金沢工大）  SDM2013-65 ICD2013-47 |
フローティングボディ構造 (FB) 及びボディタイ構造 (BT) のSOI MOSFETにおいて急峻なサブスレッショルド... [more] | SDM2013-65 ICD2013-47 pp.1-6 |
| SDM, ICD (共催) |
2013-08-01 09:25 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | 合成電界効果によるトンネルトランジスタの性能向上 ○森田行則・森 貴洋・右田真司・水林 亘・田邊顕人・福田浩一・遠藤和彦・松川 貴・大内真一・柳 永シュン・昌原明植・太田裕之（産総研） SDM2013-66 ICD2013-48 |
トンネル電界効果トランジスタ (TFET) の特性を改善する新規なチャネル構造および電極構造を備えた合成電界TFETを提... [more] | SDM2013-66 ICD2013-48 pp.7-12 |
| SDM, ICD (共催) |
2013-08-01 09:50 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | マルチ・ゲート酸化膜を備え自己整合プロセスを用いたDual Work Function (DWF) MOSFETsの低消費RFアプリケーションに対するスケーリングの方針 ○宮田俊敬・川中 繁・外園 明・大黒達也・豊島義明（東芝） SDM2013-67 ICD2013-49 |
汎用CMOSプロセスを用いて、ゲート長が100nmの自己整合的なDual Work Function (DWF)-MOS... [more] | SDM2013-67 ICD2013-49 pp.13-18 |
| SDM, ICD (共催) |
2013-08-01 10:25 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | ［招待講演］これからの集積回路技術：部品からの脱却 ○益 一哉（東工大） SDM2013-68 ICD2013-50 |
[more] | SDM2013-68 ICD2013-50 pp.19-22 |
| SDM, ICD (共催) |
2013-08-01 11:10 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | ［招待講演］三次元積層技術の世界動向と日本のこれからの取組み ○池田博明（ASET） SDM2013-69 ICD2013-51 |
三次元積層技術に関する世界の開発動向と日本の開発状況を概観し，現状の課題と日本における今後の開発活動の可能性を述べる． [more] | SDM2013-69 ICD2013-51 pp.23-28 |
| SDM, ICD (共催) |
2013-08-01 13:00 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | ［招待講演］Tera-Scale Three-Dimensional Integration (3DI) using Bumpless TSV Interconnects ○Takayuki Ohba（Tokyo Inst. of Tech.） SDM2013-70 ICD2013-52 |
[more] | SDM2013-70 ICD2013-52 pp.29-30 |
| SDM, ICD (共催) |
2013-08-01 13:45 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | ［招待講演］貫通シリコンビアとアクティブインタポーザを用いた4096 bit幅100 GByte/秒ワイドI/Oの設計と診断 ○永田 真・高谷 聡（神戸大）・池田博明（ASET） SDM2013-71 ICD2013-53 |
貫通シリコンビア(TSV)技術によりメモリチップ、インタポーザチップ、およびロジックチップの三層積層構造による4096 ... [more] | SDM2013-71 ICD2013-53 pp.31-34 |
| SDM, ICD (共催) |
2013-08-01 14:40 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | ［招待講演］方向性結合器を用いた携帯機器用途向け0.15mm厚非接触コネクタ ○小菅敦丈・水原 渉・四手井綱章・竹谷 勉・三浦典之・田口眞男・石黒仁揮・黒田忠広（慶大） SDM2013-72 ICD2013-54 |
方向性結合器および平衡型パルス送受信機を用いた，0.15mm厚非接触コネクタを開発した．20dBの方向性を有する結合器に... [more] | SDM2013-72 ICD2013-54 pp.35-40 |
| SDM, ICD (共催) |
2013-08-01 15:40 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | ［パネル討論］3D Integration：何を、いつから期待する？ ○益 一哉（東工大）・池田博明（ASET）・永田 真（神戸大）・高橋健司（東芝）・大場隆之（東工大）・鈴木大介（Pezy Computing） SDM2013-73 ICD2013-55 |
[more] | SDM2013-73 ICD2013-55 p.41 |
| SDM, ICD (共催) |
2013-08-02 09:00 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | SRAMセル安定性指標パラメータの検討：ノイズマージンかVminか? ○Anil Kumar・更屋拓哉（東大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・平本俊郎（東大） SDM2013-74 ICD2013-56 |
SRAMセルの安定性の指標となるパラメータとして，ノイズマージン(NM)と最低動作電圧(Vmin)を比較検討した．NMと... [more] | SDM2013-74 ICD2013-56 pp.43-46 |
| SDM, ICD (共催) |
2013-08-02 09:25 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつき低減 ○水谷朋子（東大）・山本芳樹・槇山秀樹・篠原博文・岩松俊明・尾田秀一・杉井信之（超低電圧デバイス技研組合）・平本俊郎（東大） SDM2013-75 ICD2013-57 |
65nm技術で作製した完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルのセル電流ばらつきを評... [more] | SDM2013-75 ICD2013-57 pp.47-52 |
| SDM, ICD (共催) |
2013-08-02 09:50 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | 低コスト・マルチVt非対称Halo MOSによるVmin改善とスタンバイリーク低減を実現した45nm 6T-SRAM ○新居浩二・薮内 誠・藤原英弘・塚本康正・石井雄一郎（ルネサス エレクトロニクス）・松村哲哉（日大）・松田吉雄（金沢大） SDM2013-76 ICD2013-58 |
[more] | SDM2013-76 ICD2013-58 pp.53-57 |
| SDM, ICD (共催) |
2013-08-02 10:25 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | 0.72ns高速読出しと50%電力削減を実現する2Tペアビットセル・カラムソース線バイアス制御方式の28nmマスクROM ○梅本由紀子・新居浩二・石川次郎・薮内 誠・塚本康正・田中信二・田中浩司・森 和孝・柳沢一正（ルネサス エレクトロニクス） SDM2013-77 ICD2013-59 |
高速読出しと消費電力削減を実現する2Tペアビットセル・カラムソース線バイアス(CSB)制御方式を提案する。28nm hi... [more] | SDM2013-77 ICD2013-59 pp.59-64 |
| SDM, ICD (共催) |
2013-08-02 10:50 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | 28nmHKMGテクノロジにおけるEM耐性を強化した1.8V I/O NMOS電源スイッチによる123uWスタンバイ電力技術 ○福岡一樹・森 涼・加藤 章・五十嵐満彦・澁谷宏治・山木貴志・新居浩二・森田貞幸・小池貴夫（ルネサス エレクトロニクス）・阪本憲成（ルネサス モバイル） SDM2013-78 ICD2013-60 |
[more] | SDM2013-78 ICD2013-60 pp.65-69 |
| SDM, ICD (共催) |
2013-08-02 11:15 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | ［招待講演］時間領域アナログ&デジタル混成信号処理技術を用いたLDPC復号回路 ○宮下大輔・山城 遼（東芝）・橋吉和典（東芝マイクロエレクトロニクス）・小林弘幸・香西昌平・大脇幸人・畝川康夫（東芝） SDM2013-79 ICD2013-61 |
アナログ信号処理は一本の配線で多ビットを同時に表現することができるため、一本の配線で1ビットの情報しか表現できないデジタ... [more] | SDM2013-79 ICD2013-61 pp.71-76 |
| SDM, ICD (共催) |
2013-08-02 13:00 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | 広範囲動作非同期制御回路を用いた0.4-1V動作逐次比較型ADC ○富山陽介・志方 明・吉岡健太郎・関本竜太・黒田忠広・石黒仁揮（慶大） SDM2013-80 ICD2013-62 |
広い電源電圧、分解能、サンプリングレートの範囲を持つ逐次比較型アナログデジタル変換器を示す．提案するSARロジックの中の... [more] | SDM2013-80 ICD2013-62 pp.77-82 |
| SDM, ICD (共催) |
2013-08-02 13:25 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | Boosted Power Gatingを用いた超低電圧ナノワット動作完全非同期型SAR ADC ○齋藤 涼・関本竜太・志方 明（慶大） SDM2013-81 ICD2013-63 |
[more] | SDM2013-81 ICD2013-63 pp.83-87 |
| SDM, ICD (共催) |
2013-08-02 13:50 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | MOSFETの動作領域の統一によるD/Aコンバータの線形性の向上 ○蓬田拓夢・範 公可（電通大） SDM2013-82 ICD2013-64 |
本論文では，低電源電圧下で動作可能なD$/$Aコンバータの線形性向上法を提案する．本提案回路では，実装回路面積と分解能の... [more] | SDM2013-82 ICD2013-64 pp.89-94 |
| SDM, ICD (共催) |
2013-08-02 14:25 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | ［招待講演］ミッションクリティカルUNIXサーバ向け第10世代16コアSPARC64プロセッサ ○菅 竜二・田中智浩・杉崎 剛・西山龍一・酒林聰太（富士通）・小柳洋一（富士通研）・岩月竜二・早坂和美（富士通）・上村大樹（富士通セミコンダクター）・伊藤 学・小関由知・安達裕幸・古谷和弘・本車田 強（富士通） SDM2013-83 ICD2013-65 |
28nm CMOSプロセスを用いて16コア、24MB共有2次キャッシュ、システム/DDR3/PCIeインターフェースを搭... [more] | SDM2013-83 ICD2013-65 pp.95-98 |
| SDM, ICD (共催) |
2013-08-02 15:10 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | ［招待講演］LTE対応コミュニケーションプロセッサR-MobileU2における電力制御技術 ～ Power saverによるクロック制御手法 ～ 藤ヶ谷誠希・阪本憲成・小池貴夫・入田隆宏・若原康平・松山嗣生・長谷川敬司・齋藤俊治・福田 章・寺西 要（ルネサス モバイル）・福岡一樹・前田徳章・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス）・○片岡 健・服部俊洋（ルネサス モバイル） SDM2013-84 ICD2013-66 |
LTE対応のベースバンドと1.5GHzデュアルコアアプリケーションCPUを搭載したR-Mobile U2を開発した。本稿... [more] | SDM2013-84 ICD2013-66 pp.99-103 |
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