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電子ディスプレイ研究会 (EID) (検索条件: 2010年度)
「from:2011-01-28 to:2011-01-28」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD, IEIJ-SSL (連催) |
2011-01-28 13:00 |
高知 | 高知工科大学 研究教育棟B | ガラス基板上へのパターン化に成功した酸化亜鉛(ZnO)薄膜蛍光体 ～ スパッタリングによる薄膜成長、ウェットエッチング、熱処理を経て ～ ○王 大鵬・川原村敏幸・李 朝陽・平尾 孝（高知工科大） |
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| EID, ITE-IDY, IEE-EDD, IEIJ-SSL (連催) |
2011-01-28 13:05 |
高知 | 高知工科大学 研究教育棟B | 電子線励起紫外発光ZnAl2O4蛍光体の焼成条件依存性 ○井口 拓・小南裕子・中西洋一郎・原 和彦（静岡大）・大西彰正・北浦 守（山形大）  EID2010-23 |
電子線励起によって紫外発光を示すZnAl2O4は新規紫外発光デバイス用蛍光体として期待されている．本稿では固相合成法によ... [more] | EID2010-23 pp.5-8 |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD, IEIJ-SSL (連催) |
2011-01-28 13:15 |
高知 | 高知工科大学 研究教育棟B | 355 nmレーザアニールによる希土類添加SrGa2S4薄膜蛍光体の作製 ○山崎貴久（静岡大）・清野俊明（日本製鋼所）・小南裕子・中西洋一郎（静岡大）・畑中義式（愛知工科大）・原 和彦（静岡大） EID2010-24 |
[more] | EID2010-24 pp.9-12 |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD, IEIJ-SSL (連催) |
2011-01-28 13:20 |
高知 | 高知工科大学 研究教育棟B | 電子スピン共鳴によるγ-AlON中二価マンガンイオンの局所構造解析 ○北浦 守（山形大）・解 栄軍・武田隆史・広崎尚人（物質・材料研究機構）・大西彰正・佐々木 実（山形大） EID2010-25 |
[more] | EID2010-25 pp.13-16 |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD, IEIJ-SSL (連催) |
2011-01-28 13:30 |
高知 | 高知工科大学 研究教育棟B | 溶液合成法により作製したY3Al5O12：Ce蛍光体における合成・焼成過程でのCeの状態に関する研究 ○村川琢郎（鳥取大）・大倉 央（鳥取大/メルク）・本間徹生（高輝度光科学研究センター）・宮本快暢・大観光徳（鳥取大） EID2010-26 |
液相合成法により作製したY3Al5O12:Ce (YAG:Ce) 蛍光体に関し、各過程（前駆体→大気焼成→還元焼成）にお... [more] | EID2010-26 pp.17-20 |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD, IEIJ-SSL (連催) |
2011-01-28 13:35 |
高知 | 高知工科大学 研究教育棟B | Al2S3:MnとCuを蒸着源に用い多源蒸着法により作製したCuAlS2:Mn赤色蛍光体薄膜の発光特性の改善 ○小柴貴裕・中村祐介・宮本快暢・大観光徳（鳥取大） EID2010-27 |
CuとAl2S3:Mnを用いた２源電子線蒸着とH2S供給を組み合わせた多源蒸着法によりCuAlS2:Mn赤色蛍光体薄膜を... [more] | EID2010-27 pp.21-24 |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD, IEIJ-SSL (連催) |
2011-01-28 13:45 |
高知 | 高知工科大学 研究教育棟B | Ba3Si6012N2:Eu2+蛍光体のフォト－及び熱ルミネッセンス評価 ○石岡 亮・五十嵐航平・福田武司（埼玉大）・木島直人（三菱化学）・鎌田憲彦（埼玉大） EID2010-28 |
白色LEDでの緑色発光源として有望なBa3Si6O12N2:Eu2+蛍光体に対して，内部量子効率，フォトルミネッセンス（... [more] | EID2010-28 pp.25-28 |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD, IEIJ-SSL (連催) |
2011-01-28 14:10 |
高知 | 高知工科大学 研究教育棟B | SrGa2S4:Eu微粒子蛍光体を用いてスピンコーテョング法により作製した緑色無機薄膜EL素子 ○山下雄大・俵谷佳典・宮本快暢・大観光徳（鳥取大） |
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| EID, ITE-IDY, IEE-EDD, IEIJ-SSL (連催) |
2011-01-28 14:15 |
高知 | 高知工科大学 研究教育棟B | 赤外線急速加熱によるZnS系無機ELの作製 ○堀口昌吾・紺谷拓哉・堀田昌宏（奈良先端大）・田口信義（イメージテック）・浦岡行治（奈良先端大/JST） EID2010-29 |
硫化亜鉛(ZnS)等のII-VI族半導体材料を用いた分散型無機ELは，照明や次世代ディスプレイへの応用が期待されている．... [more] | EID2010-29 pp.33-36 |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD, IEIJ-SSL (連催) |
2011-01-28 14:25 |
高知 | 高知工科大学 研究教育棟B | トップエミッション型液相合成ZnOナノ結晶紫外発光EL素子の電流電圧特性 ○板谷和樹・河崎勇人・外山利彦・岡本博明（阪大） EID2010-30 |
液相法により合成したZnOナノ結晶を発光層に用いたトップエミッション型EL素子を作製し，その電流電圧特性を評価した． 発... [more] | EID2010-30 pp.37-40 |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD, IEIJ-SSL (連催) |
2011-01-28 14:35 |
高知 | 高知工科大学 研究教育棟B | 深紫外領域AlGaN系結晶のフォトルミネッセンス評価 ○五十嵐航平・石岡 亮（埼玉大）・塚田悠介（埼玉大/理研）・福田武司・本多善太郎（埼玉大）・平山秀樹（埼玉大/理研）・鎌田憲彦（埼玉大） EID2010-31 |
波長200nm台の深紫外発光用AlGaN系結晶を高効率化するため，MOCVD成長温度880℃と920℃，Inフローの有無... [more] | EID2010-31 pp.41-44 |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD, IEIJ-SSL (連催) |
2011-01-28 14:40 |
高知 | 高知工科大学 研究教育棟B | ミストデポジション法による酸化マグネシウム(MgO)薄膜作製 ～ 大気圧下、低温成長への挑戦 ～ ○川原村敏幸（高知工科大）・織田容征・白幡孝洋（東芝三菱電機産業システム）・井川拓人・伊藤大師（京大）・吉田章男（東芝三菱電機産業システム）・藤田静雄（京大）・平尾 孝（高知工科大） |
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| EID, ITE-IDY, IEE-EDD, IEIJ-SSL (連催) |
2011-01-28 14:45 |
高知 | 高知工科大学 研究教育棟B | ナノ粒子散布による微細光学素子形状の3次元SEM測定 ○長南隆之・片桐 麦・川上 徹（東北大）・内田龍男（仙台高専） |
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| EID, ITE-IDY, IEE-EDD, IEIJ-SSL (連催) |
2011-01-28 14:55 |
高知 | 高知工科大学 研究教育棟B | モスキートノイズの定量的評価 ○谷口香苗（近大高専） |
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| EID, ITE-IDY, IEE-EDD, IEIJ-SSL (連催) |
2011-01-29 09:10 |
高知 | 高知工科大学 研究教育棟B | PDP用低電圧電極保護膜におけるプロセス耐性の改善 ○本山 靖・加藤大典・関 昌彦（NHK） |
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| EID, ITE-IDY, IEE-EDD, IEIJ-SSL (連催) |
2011-01-29 09:20 |
高知 | 高知工科大学 研究教育棟B | ACPDPの書き込み放電遅れ時間対初期電子数の理論的考察 ○坂井徹男（ディスプレイ研）・橘 邦英（愛媛大） EID2010-32 |
あらまし 書き込み時の放電遅れはフィールド周波数を上げるためには小さくする必要がある。このためMgO層の上に単結晶をの... [more] | EID2010-32 pp.65-68 |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD, IEIJ-SSL (連催) |
2011-01-29 09:25 |
高知 | 高知工科大学 研究教育棟B | 偏光板の複素屈折率のエリプソメトリによる解析 ○近藤 勉・石鍋隆宏・宮下哲哉（東北大）・内田龍男（仙台高専） |
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| EID, ITE-IDY, IEE-EDD, IEIJ-SSL (連催) |
2011-01-29 09:40 |
高知 | 高知工科大学 研究教育棟B | ネマチック液晶材料によるポリビニルシンナメート配向膜の容易軸制御 ○山口留美子・池谷正輝（秋田大） EID2010-33 |
ポリビニルシンナメート（PVCi）膜は，光配向膜として知られており，液晶の容易軸は直線UV光照射により偏光方向と垂直に配... [more] | EID2010-33 pp.79-82 |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD, IEIJ-SSL (連催) |
2011-01-29 09:50 |
高知 | 高知工科大学 研究教育棟B | アダプティブディミング方式によるLCDの画質劣化の評価と低減方法 ○榊原和真・鈴木千晴・志賀智一（電通大） EID2010-34 |
液晶ディスプレイの低電力化・高コントラスト化技術であるアダプティブディミング方式では、画面を斜めから見るとすじ状の画質劣... [more] | EID2010-34 pp.83-86 |
| EID, ITE-IDY, IEE-EDD, IEIJ-SSL (連催) |
2011-01-29 09:55 |
高知 | 高知工科大学 研究教育棟B | 低温形成表示デバイス向け絶縁膜の新規対向電極CVD法による形成 ○松田時宜・古田 守・平松孝浩・古田 寛・平尾 孝（高知工科大） EID2010-35 |
薄膜トランジスタのような半導体デバイスを、フレキシブル電子ペーパーなどへの応用が期待される低耐熱性基板へ応用するため、絶... [more] | EID2010-35 pp.87-90 |
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