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電子ディスプレイ研究会 (EID)  (検索条件: 2020年度)

「from:2020-12-02 to:2020-12-02」による検索結果

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講演検索結果
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 14件中 1~14件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
10:00
ONLINE オンライン開催 アモルファス酸化物半導体メモリスタの特性測定自動化とその効果
角田 涼倉崎彩太木村 睦龍谷大EID2020-1 SDM2020-35
 [more] EID2020-1 SDM2020-35
pp.1-4
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
10:15
ONLINE オンライン開催 薄膜デバイスを用いた人工網膜の生体環境模倣実験
内藤直矢豊田航平龍谷大)・岡野仁夫ウェトラブ)・木村 睦龍谷大EID2020-2 SDM2020-36
 [more] EID2020-2 SDM2020-36
pp.5-8
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
10:30
ONLINE オンライン開催 非結晶Ga-Sn-O薄膜熱電変換素子の特性評価
山本佑平荒牧達也伊藤 良木村 睦龍谷大EID2020-3 SDM2020-37
工場や自動車、PC などから発生する排熱の多くは未利用の状態である.
熱電変換素子はその熱エネルギーを電気エネルギーに... [more]
EID2020-3 SDM2020-37
pp.9-12
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
11:25
ONLINE オンライン開催 IGZO薄膜を利用したシナプス素子の積層クロスポイントメモリ
岩城江津子龍谷大)・津野拓海奈良先端大)・木村 睦龍谷大EID2020-4 SDM2020-38
高集積化が容易な酸化物半導体を用いることでハードウェアによる大規模なニューラルネットワークの構築を目標とした研究,開発を... [more] EID2020-4 SDM2020-38
pp.13-16
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
11:40
ONLINE オンライン開催 ニューラルネットワーク用強誘電体薄膜の誘電特性評価
石崎勇真梅村浩輝松川大毅木村 睦龍谷大)・徳光永輔北陸先端大)・羽賀健一土井利浩三菱マテリアルEID2020-5 SDM2020-39
ニューロモーフィックシステムは、ニューロンとシナプスの要素を実装するハードウェアレベルの生体模擬システムであり、低消費電... [more] EID2020-5 SDM2020-39
pp.17-20
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
11:55
ONLINE オンライン開催 STDP学習側を用いた酸化物半導体薄膜シナプス素子の検討
片桐徹也山川大樹谷内田健太森垣和樹木村 睦龍谷大EID2020-6 SDM2020-40
ニューロモルフィックハードウェアは現在のノイマン型コンピュータ上で実行される人工知能(Artificial Intell... [more] EID2020-6 SDM2020-40
pp.21-24
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
12:10
ONLINE オンライン開催 IGZO薄膜シナプスを用いた脳型システム
大西祐輝柴山友輝山川大樹龍谷大)・池田裕哉中島康彦奈良先端大)・木村 睦龍谷大/奈良先端大EID2020-7 SDM2020-41
ニューラルネットワークは、将来のエレクトロニクス技術として積極的に研究されてきた。しかし、ノイマン型の算術処理法では大量... [more] EID2020-7 SDM2020-41
pp.25-28
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
13:40
ONLINE オンライン開催 粒子配向用チタン酸バリウム単結晶微粒子の合成
山﨑美沙山口正樹芝浦工大EID2020-8 SDM2020-42
本研究では,水酸化バリウム水溶液,チタン乳酸錯体,水酸化ナトリウム水溶液を基本的な出発原料とした混合液を用い,インクジェ... [more] EID2020-8 SDM2020-42
pp.29-34
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
14:00
ONLINE オンライン開催 積層構造によるAl2O3/GaN MOS特性の改善
曽根原 翔上沼睦典・○浦岡行治奈良先端大EID2020-9 SDM2020-43
 [more] EID2020-9 SDM2020-43
pp.35-36
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
14:30
ONLINE オンライン開催 [特別招待講演]酸化物半導体の低温欠陥制御とフレキシブルデバイス応用
曲 勇作古田 守高知工科大EID2020-10 SDM2020-44
非晶質酸化物半導体であるIn–Ga–Zn–O(IGZO)は室温スパッタ成膜可能なことからフレキシブルデバイスの半導体材料... [more] EID2020-10 SDM2020-44
pp.37-41
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
15:00
ONLINE オンライン開催 TiN電極を用いたTa2O5-ReRAM素子におけるデジタルおよびアナログ抵抗変化の共存
山田和尚木本恒暢京大)・西 佑介京大/舞鶴高専EID2020-11 SDM2020-45
本研究では、Ni/Ta2O5/TiN積層構造を有する素子の抵抗変化現象について調べた.同一の素子において、異なる二種類の... [more] EID2020-11 SDM2020-45
pp.42-45
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
15:20
ONLINE オンライン開催 Ga-Sn-O薄膜を用いた二層構造ReRAMの最適化
倉崎彩太橋本快斗角田 涼赤根詩穂里牧岡大輔杉崎澄生木村 睦龍谷大EID2020-12 SDM2020-46
 [more] EID2020-12 SDM2020-46
pp.46-49
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
15:35
ONLINE オンライン開催 Cu2GeTe3を用いた相変化メモリ
赤根詩穂里龍谷大)・堀内 功KOA)・木村 睦龍谷大EID2020-13 SDM2020-47
我々は「Cu2GeTe3:銅・ゲルマニウム・テルル(CGT)」を用いた相変化メモリ(PCRAM)についての研究を行なって... [more] EID2020-13 SDM2020-47
pp.50-53
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
16:30
ONLINE オンライン開催 酸化物半導体Ga-Sn-Oを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタ
福井智貴中川滉貴木村 睦龍谷大EID2020-14 SDM2020-48
本研究では半導体層にアモルファスの酸化物半導体Ga-Sn-O(GTO)、絶縁膜層に強誘電体である(Bi,La)₄Ti₃O... [more] EID2020-14 SDM2020-48
pp.54-57
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