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電子ディスプレイ研究会 (EID) (検索条件: 2014年度)
「from:2014-12-12 to:2014-12-12」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 10:00 |
京都 | 京都大学 | 長方形断面Geナノワイヤの正孔移動度の断面形状およびサイズ依存性 ○田中 一・森 誠悟・森岡直也・須田 淳・木本恒暢（京大）  EID2014-13 SDM2014-108 |
原子論的な手法である強束縛（Tight Binding）近似法と原子価力場（Valence Force Field）モデ... [more] | EID2014-13 SDM2014-108 pp.1-6 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 10:15 |
京都 | 京都大学 | pチャネルSiナノワイヤMOSFETの移動度の結晶方位および断面形状依存性 ○藤原寛朗・森岡直也・田中 一・須田 淳・木本恒暢（京大） EID2014-14 SDM2014-109 |
幅の異なる長方形断面を持つ $langle$100$rangle$，$langle$110$rangle$，$langl... [more] | EID2014-14 SDM2014-109 pp.7-11 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 10:30 |
京都 | 京都大学 | B+およびB10H14+注入Si基板の軟X線照射による活性化 ○部家 彰・草壁 史・平野翔大・松尾直人・神田一浩（兵庫県立大） EID2014-15 SDM2014-110 |
[more] | EID2014-15 SDM2014-110 pp.13-16 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 10:45 |
京都 | 京都大学 | DNAメモリトランジスタの電荷保持機構と伝導機構 ○中村昇平・松尾直人・部家 彰・山名一成・高田忠雄（兵庫県立大）・福山正隆・横山 新（広島大） EID2014-16 SDM2014-111 |
[more] | EID2014-16 SDM2014-111 pp.17-20 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 11:00 |
京都 | 京都大学 | 炭素系多原子分子イオンのシリコンへの照射効果 ○竹内光明・林 恭平・龍頭啓充・高岡義寛（京大）・永山 勉・松田耕自（日新イオン機器） EID2014-17 SDM2014-112 |
炭化水素多原子分子イオンC$_{n}$H$_{n}^{+}$($n$=3, 7, 14)及びC$_{n}$H$_{2n+... [more] | EID2014-17 SDM2014-112 pp.21-24 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 11:15 |
京都 | 京都大学 | エレクトロルミネッセンス（EL）発光強度を用いたシリコン太陽電池モジュールの機能解析 ○富本剛史・都築翔太・谷 あゆみ（奈良先端大） EID2014-18 SDM2014-113 |
太陽光発電モジュールの評価において、電圧を印加し発光強度の濃淡を撮像することで欠陥を発見できるエレクトロルミネッセンスイ... [more] | EID2014-18 SDM2014-113 pp.25-29 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 11:30 |
京都 | 京都大学 | ボロン含有シリコンナノインクを用いたレーザードーピングによる高効率シリコン太陽電池への応用 ○真鍋満顕・阪川秀紀・西村英紀（奈良先端大）・富澤由香・池田吉紀（帝人）・冬木 隆（奈良先端大） EID2014-19 SDM2014-114 |
BSG (ボロンシリケートガラス) を用いたレーザードーピングでは、基板との溶融・再結晶が難しいため、高濃度なボロンドー... [more] | EID2014-19 SDM2014-114 pp.31-35 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 11:45 |
京都 | 京都大学 | 電界効果型マイクロウォール太陽電池 ○大木康平・若宮彰太・小林孝裕・部家 彰・松尾直人（兵庫県立大） EID2014-20 SDM2014-115 |
[more] | EID2014-20 SDM2014-115 pp.37-40 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 13:00 |
京都 | 京都大学 | n-ch, p-ch, pin-ch poly-Si TFPTの光伝導性の評価 ○渕矢剛宏・前田善春・門目尭之・田中 匠・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2014-21 SDM2014-116 |
フォトセンサ応用を目指して、n-ch, p-ch, pin-ch poly-Si TFPT の光伝導性を評価した．ゲート... [more] | EID2014-21 SDM2014-116 pp.41-44 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 13:15 |
京都 | 京都大学 | N型・P型・PIN型薄膜フォトトランジスタを用いた周波数変調型フォトセンサの特性比較 ○前田善春・渕矢剛宏・門目尭之・田中 匠・春木翔太・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2014-22 SDM2014-117 |
N型・P型・PIN型薄膜フォトトランジスタを用いた周波数変調型フォトセンサの，出力周波数の照度依存性を比較した．N型・P... [more] | EID2014-22 SDM2014-117 pp.45-50 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 13:30 |
京都 | 京都大学 | スパッタリングにより形成したHfO2膜をゲート絶縁膜とするCLC低温Poly-Si TFT ○目黒達也・原 明人（東北学院大） EID2014-23 SDM2014-118 |
高い電流駆動能力を有する低温（LT）多結晶Si（poly-Si）薄膜トランジスタ（TFT）の実現に向け，連続波レーザラテ... [more] | EID2014-23 SDM2014-118 pp.51-54 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 13:45 |
京都 | 京都大学 | Poly-Si TFTを用いたハイブリッド型温度センサの特性比較 ○木藤克哉・林 久志・北島秀平・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2014-24 SDM2014-119 |
我々は，Poly-Si TFTのオフ電流の温度依存性を利用した温度センサの研究開発を行っている．N型・P型・PIN型Po... [more] | EID2014-24 SDM2014-119 pp.55-59 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 14:00 |
京都 | 京都大学 | Poly-Si TFTを用いた同期回路と非同期回路の特性評価 ○永瀬洋介（龍谷大）・松田時宜・木村 睦（阪大）・松本健俊・小林 光（龍谷大） EID2014-25 SDM2014-120 |
我々はPoly-Si TFTを用いて2入力，3入力のNAND回路を作製し，動作検証を行った．3入力は2入力と比較して出力... [more] | EID2014-25 SDM2014-120 pp.61-65 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 14:15 |
京都 | 京都大学 | レーザーアニールによる非晶質基板上への(111)面配向多結晶ゲルマニウム薄膜の形成 ○高尾 透・堀田昌宏・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） EID2014-26 SDM2014-121 |
フレキシブル・システムオンパネルディスプレイ実現の上で単結晶Geを200℃未満の低温プロセスで非晶質基板上へ作製する技術... [more] | EID2014-26 SDM2014-121 pp.67-71 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 14:30 |
京都 | 京都大学 | ゲート付きPoly-Si Hall素子と IGZO Hall素子による磁場センサの研究開発 ○松本貴明・吉川朗登・宮村祥吾・志賀春紀・松田時宜・木村 睦（龍谷大）・小澤徳郎・青木幸司・郭 志徹（エーユーオージャパン） EID2014-27 SDM2014-122 |
[more] | EID2014-27 SDM2014-122 pp.73-77 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 14:45 |
京都 | 京都大学 | GaSnO薄膜の特性評価 ○加藤雄太・西本大樹・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2014-28 SDM2014-123 |
RFマグネトロンスパッタリング法により組成比の異なる2種類のGaSnO(GTO)薄膜をそれぞれ成膜圧力を変えて作製し、特... [more] | EID2014-28 SDM2014-123 pp.79-82 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 15:00 |
京都 | 京都大学 | IGZO薄膜に対する成膜条件による影響 ○西野克弥・高橋宏太・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2014-29 SDM2014-124 |
[more] | EID2014-29 SDM2014-124 pp.83-87 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 15:15 |
京都 | 京都大学 | ITZO TFTを用いたタッチパネル回路の特性解析 ○古我祐貴・松田時宜（龍谷大）・古田 守（高知工科大）・木村 睦（龍谷大） EID2014-30 SDM2014-125 |
ITZOを活性層に使用した酸化物TFT（ITZO TFT）はフラットパネルディスプレイの駆動素子として注目されている。本... [more] | EID2014-30 SDM2014-125 pp.89-93 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 15:45 |
京都 | 京都大学 | 空孔率制御によるポーラスシリコン膜の自己組織的3次元微細構造形成 ○石黒敬太・出野上真樹・青木画奈・藤井 稔（神戸大） EID2014-31 SDM2014-126 |
シリコン (Si) は電子デバイスの根幹を担うだけでなく、プロジェクタに内蔵されるDigital Mirror Devi... [more] | EID2014-31 SDM2014-126 pp.95-98 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 16:00 |
京都 | 京都大学 | 軟X線源を用いたSiOx中nc-Siの形成 ○草壁 史・平野翔大・部家 彰・松尾直人・神田一浩・望月孝晏・宮本修治（兵庫県立大）・小濱和之・伊藤和博（阪大） EID2014-32 SDM2014-127 |
[more] | EID2014-32 SDM2014-127 pp.99-102 |
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