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電子デバイス研究会 (ED)  (検索条件: 2011年度)

「from:2012-02-07 to:2012-02-07」による検索結果

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講演検索結果
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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, SDM
(共催)
2012-02-07
13:30
北海道 北海道大学 百年記念会館 [招待講演]Deterministicドープシリコンデバイスと量子輸送現象
品田賢宏堀 匡寛早大)・Filipo Guagliardoミラノ工科大)・小野行徳NTT)・熊谷国憲谷井孝至早大)・Enrico PratiCNRED2011-142 SDM2011-159
 [more] ED2011-142 SDM2011-159
pp.1-5
ED, SDM
(共催)
2012-02-07
14:10
北海道 北海道大学 百年記念会館 第一原理計算によるシリコンナノトランジスタ中の単一リン不純物の電子状態解析
葛屋陽平モラル ダニエル水野武志田部道晴静岡大)・水田 博北陸先端大/サザンプトン大ED2011-143 SDM2011-160
MOSFETの微細化に伴い、ランダムドーパントによる特性の揺らぎが大きな問題となってきている。これは、ナノメータ領域のチ... [more] ED2011-143 SDM2011-160
pp.7-11
ED, SDM
(共催)
2012-02-07
14:35
北海道 北海道大学 百年記念会館 KFM observation of individual dopant potentials and electron charging
Roland NowakMiftahul AnwarDaniel MoraruTakeshi MizunoShizuoka Univ.)・Ryszard JablonskiWarsaw Univ. of Tech.)・Michiharu TabeShizuoka Univ.ED2011-144 SDM2011-161
We utilize Kelvin probe force microscope (KFM) to measure su... [more] ED2011-144 SDM2011-161
pp.13-18
ED, SDM
(共催)
2012-02-07
15:15
北海道 北海道大学 百年記念会館 パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性
竹中浩人篠原迪人内田貴史有田正志北大)・藤原 聡NTT)・高橋庸夫北大ED2011-145 SDM2011-162
単電子トランジスタ(SET)は、低消費電力で動作するデバイスとして知られているが、その高速動作性に関しては、十分調べられ... [more] ED2011-145 SDM2011-162
pp.19-24
ED, SDM
(共催)
2012-02-07
15:40
北海道 北海道大学 百年記念会館 InAsナノワイヤMISFETの高周波特性評価
渡邉龍郎乙幡 温和保孝夫上智大)・Kai BlekkerWerner ProstFranz-Josef TegudeUniv. of Duisburg-EssenED2011-146 SDM2011-163
 [more] ED2011-146 SDM2011-163
pp.25-29
ED, SDM
(共催)
2012-02-07
16:05
北海道 北海道大学 百年記念会館 共鳴トンネル素子を装荷したアクティブ伝送線路を用いた高次高調波発振器の可能性
潘 ケツ早野一起森 雅之前澤宏一富山大ED2011-147 SDM2011-164
 [more] ED2011-147 SDM2011-164
pp.31-34
ED, SDM
(共催)
2012-02-07
16:30
北海道 北海道大学 百年記念会館 共振構造導入によるグラフェンテラヘルツ増幅器の高利得化
高塚裕也高萩和宏北大)・佐野栄一北大/JST)・Victor Ryzhii会津大/JST)・尾辻泰一東北大/JSTED2011-148 SDM2011-165
テラヘルツ(THz)領域を活用するためには,小型なTHz光源の開発が必須である.我々はTHz光源の元となるTHz増幅器の... [more] ED2011-148 SDM2011-165
pp.35-40
ED, SDM
(共催)
2012-02-07
16:55
北海道 北海道大学 百年記念会館 シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光
登坂仁一郎西口克彦影島博之藤原 聡NTTED2011-149 SDM2011-166
薄層SOI-MOSFETに対し電子トンネル分光を行うことでシリコン層の二次元状態形成を確認した。同様の薄層SOI-MOS... [more] ED2011-149 SDM2011-166
pp.41-46
ED, SDM
(共催)
2012-02-08
09:30
北海道 北海道大学 百年記念会館 SPMスクラッチ加工を用いた金属チャネル狭窄過程におけるコンダクタンスの量子化
須田隆太郎大山隆宏白樫淳一東京農工大ED2011-150 SDM2011-167
我々は,Auチャネルに対して走査型プローブ顕微鏡(SPM)を用いたスクラッチ加工のその場コンダクタンス測定を実行し,Au... [more] ED2011-150 SDM2011-167
pp.47-52
ED, SDM
(共催)
2012-02-08
09:55
北海道 北海道大学 百年記念会館 電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション法を用いた直列型ナノギャップの集積化と特性制御
伊藤光樹秋元俊介白樫淳一東京農工大ED2011-151 SDM2011-168
我々は,直列に接続された複数のナノギャップに対して,電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション(アクティベーション)を... [more] ED2011-151 SDM2011-168
pp.53-58
ED, SDM
(共催)
2012-02-08
10:20
北海道 北海道大学 百年記念会館 MgF_(2)/Feナノドット/MgF_(2)薄膜における電気伝導特性
石川琢磨佐藤栄太浜田弘一有田正志高橋庸夫北大ED2011-152 SDM2011-169
表面清浄化に注意して準備したSiO2/Si基板上に,室温の交互蒸着法によりMgF2/Feナノドット/MgF2グラニュラー... [more] ED2011-152 SDM2011-169
pp.59-64
ED, SDM
(共催)
2012-02-08
11:00
北海道 北海道大学 百年記念会館 外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数
ファイズ サレ静岡大/学振)・三輪一聡池田浩也静岡大ED2011-153 SDM2011-170
ナノ構造化によりゼーベック係数を増加するためには、フェルミエネルギーを不純物バンドの影響無しに制御する必要があることがわ... [more] ED2011-153 SDM2011-170
pp.65-69
ED, SDM
(共催)
2012-02-08
11:25
北海道 北海道大学 百年記念会館 急峻な電流特性のトランジスタを利用した確率共鳴
西口克彦藤原 聡NTTED2011-154 SDM2011-171
Subthreshold swing (S値)が小さいシリコンMOSFETを利用した確率共鳴について報告する.細線チャネ... [more] ED2011-154 SDM2011-171
pp.71-76
ED, SDM
(共催)
2012-02-08
13:00
北海道 北海道大学 百年記念会館 単層カーボンナノチューブネットワークにおける一次元伝導特性
田中 朋森 健一郎佐野栄一古月文志Hongwen Yu北大ED2011-155 SDM2011-172
孤立分散させた単層カーボンナノチューブ(SWNT)ネットワークにおける,界面活性剤および電気的破壊による電子伝導特性の変... [more] ED2011-155 SDM2011-172
pp.77-82
ED, SDM
(共催)
2012-02-08
13:25
北海道 北海道大学 百年記念会館 CNFETにおけるhigh-kゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響
鈴木耕佑大野雄高岸本 茂水谷 孝名大ED2011-156 SDM2011-173
カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタ(CNFET)のゲート絶縁膜界面に生ずる界面電荷について、ケルビンプローブフォ... [more] ED2011-156 SDM2011-173
pp.83-87
ED, SDM
(共催)
2012-02-08
13:50
北海道 北海道大学 百年記念会館 SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析
村松 徹・○葛西誠也谷田部然治北大ED2011-157 SDM2011-174
FETの微細化がすすむと素子自身が発する雑音が増加するといわれており,系統的評価や理解が必要である.本研究では次世代集積... [more] ED2011-157 SDM2011-174
pp.89-93
ED, SDM
(共催)
2012-02-08
14:15
北海道 北海道大学 百年記念会館 光照射局所コンダクタンス変調法を用いたGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形伝達特性評価と動作機構の検討
佐藤将来村松 徹葛西誠也北大ED2011-158 SDM2011-175
半導体ナノワイヤ3分岐接合(TBJ)デバイスは,単純な構造ながら室温において特異な非線形特性を示し,アナログ回路やディジ... [more] ED2011-158 SDM2011-175
pp.95-99
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