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電子デバイス研究会 (ED) (検索条件: 2010年度)
「from:2010-06-30 to:2010-06-30」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 09:40 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | ［基調講演］Challenge for electromechanical logic systems using compound semiconductor heterostructures ○Hiroshi Yamaguchi・Imran Mahboob・Hajime Okamoto・Koji Onomitsu（NTT）  ED2010-48 SDM2010-49 |
[more] | ED2010-48 SDM2010-49 pp.1-4 |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 10:30 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | ［招待講演］Nano-Electromechanical (NEM) Nonvolatile Memory for Low-Power Electronics ○Woo Young Choi（Sogang Univ.） ED2010-49 SDM2010-50 |
[more] | ED2010-49 SDM2010-50 pp.5-6 |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 10:55 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | ［招待講演］Dual-gate ZnO thin-film transistors with SiNx as Dielectric Layer Young Su Kim・Min Ho Kang（National Nanofab Center）・Kang Suk Jeong（Chungnam National Univ.）・Jae Sub Oh・Dong Eun Yoo（National Nanofab Center）・Hi Deok Lee・○Ga-Won Lee（Chungnam National Univ.） ED2010-50 SDM2010-51 |
[more] | ED2010-50 SDM2010-51 pp.7-8 |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 11:20 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | ［招待講演］Piezoelectric material based passive RFID tags ○Hyunchul Bae・Jaekwon Kim・Jinwook Burm（Sogang Univ.） ED2010-51 SDM2010-52 |
[more] | ED2010-51 SDM2010-52 pp.9-10 |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 12:00 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | ［招待講演］強磁性シリサイドの低温エピタキシャル成長とSiGe系スピントランジスタ ○宮尾正信（九大）・浜屋宏平（九大/JST） ED2010-52 SDM2010-53 |
SiGe上における強磁性シリサイドのエピタキシャル成長、ショットキー接合を用いたスピン注入等の実験結果を述べ、SiGe系... [more] | ED2010-52 SDM2010-53 pp.11-13 |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 12:25 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | ［招待講演］シリサイド半導体を用いた薄膜結晶太陽電池を目指して ○末益 崇・齋藤隆允・岡田淳史・藤 克昭・アジマル カーン（筑波大）・宇佐美徳隆（東北大） ED2010-53 SDM2010-54 |
[more] | ED2010-53 SDM2010-54 pp.15-19 |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 12:50 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | ［招待講演］Applications of Smart Cut(TM) Technologies to III-V Based Engineered Substrates ○Makoto Yoshimi（Soitec） ED2010-54 SDM2010-55 |
[more] | ED2010-54 SDM2010-55 pp.21-22 |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 14:25 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | A New Cone-Type 1T DRAM Cell ○Gil Sung Lee・Doo-Hyun Kim・Jang-Gn Yun・Jung Hoon Lee・Yoon Kim・Jong-Ho Lee・Hyungcheol Shin・Byung-Gook Park（Seoul National Univ.） ED2010-55 SDM2010-56 |
[more] | ED2010-55 SDM2010-56 pp.23-25 |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 14:40 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Dependence of Ag film thickness on Formation of Ag Nano-crystals to Fabricate Polymer Nonvolatile Memory ○Jong-Dae Lee・Hyun-Min Seung・Kyoung-Cheol Kwon・Jea-Gun Park（Hanyang Univ.） ED2010-56 SDM2010-57 |
[more] | ED2010-56 SDM2010-57 pp.27-30 |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 14:55 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | The Impact of H2 Anneal on Resistive Switching in Pt/TiO2/Pt Structure ○Guobin Wei・Yuta Goto・Akio Ohta・Katsunori Makihara・Hideki Murakami・Seiichiro Higashi・Seiichi Miyazaki（Hiroshima Univ.） ED2010-57 SDM2010-58 |
[more] | ED2010-57 SDM2010-58 pp.31-36 |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 15:10 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Threshold Voltage Roll-off Mechanisms in SONOS Flash Memory in Retention Mode Including Trapped Charge Redistribution Effect ○Doo-Hyun Kim・Gil Sung Lee・Seongjae Cho・Jung Hoon Lee・Jang-Gn Yun・Dong Hua Li・Yoon Kim・Se Hwan Park・Won Bo Shim・Wandong Kim・Byung-Gook Park（Seoul National Univ.） ED2010-58 SDM2010-59 |
[more] | ED2010-58 SDM2010-59 pp.37-40 |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 15:40 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Vertical Organic Field Effect Transistors with an Additional Gate Insulation Structure between Active Layer and Gate Electrode ○Donghyun Kim・Jaewook Jeong・Yongtaek Hong（Seoul National Univ.） ED2010-59 SDM2010-60 |
[more] | ED2010-59 SDM2010-60 pp.41-42 |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 15:55 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Investigation of n-type pentacene based MOS diodes with ultra-thin metal interface layer ○Young uk Song・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.） ED2010-60 SDM2010-61 |
[more] | ED2010-60 SDM2010-61 pp.43-46 |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 16:10 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Fundamental oscillations at ~900 GHz with low bias voltages in RTDs having spike-doped structures ○Safumi Suzuki・Kiyohito Sawada・Atsushi Teranishi・Masahiro Asada（Tokyo Inst. of Tech.）・Hiroki Sugiyama・Haruki Yokoyama（NTT） ED2010-61 SDM2010-62 |
[more] | ED2010-61 SDM2010-62 pp.47-48 |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 16:25 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Analysis of low loss and wideband characteristics for monolithic isolators using resonant tunneling diodes ○Nobuhiko Tanaka・Mitsufumi Saito・Michihiko Suhara（Tokyo Metro. Univ.） ED2010-62 SDM2010-63 |
[more] | ED2010-62 SDM2010-63 pp.49-53 |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 16:40 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Investigation of Abnormal Drain Current Increase of Tunneling Field-Effect Transistors ○Min Jin Lee・Woo Younhg Choi（Sogang Univ.） ED2010-63 SDM2010-64 |
[more] | ED2010-63 SDM2010-64 pp.55-56 |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 16:55 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | A design of Novel IGBT with Oblique Trench Gate Juhyun Oh・Dae Hwan Chun（Koria Univ.）・Eui Bok Lee（Koria Univ./KIST）・○Young Hwan Kim・Chun Keun Kim（KIST）・Byeong Kwon Ju・Man Young Sung（Koria Univ.）・Yong Tae Kim（KIST） ED2010-64 SDM2010-65 |
[more] | ED2010-64 SDM2010-65 pp.57-59 |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 17:10 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Electrical Characteristics of Atomic Layer Deposited Tungsten Nitride Diffusion Barrier for Cu Interconnects ○Yong Tae Kim（KIST）・Eui Bok Lee（Koria Univ./KIST）・Young Hwan Kim・Chun Keun Kim（KIST）・Byeong Kwon Ju（Koria Univ.） ED2010-65 SDM2010-66 |
[more] | ED2010-65 SDM2010-66 pp.61-63 |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 14:25 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | ［招待講演］Synthesis of wafer scale graphene layer for future electronic devices ○Byung Jin Cho・Jeong Hun Mun（KAIST） ED2010-66 SDM2010-67 |
[more] | ED2010-66 SDM2010-67 pp.65-67 |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 14:50 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | ［招待講演］グラフェンチャネルFET：新たな高速デバイスの可能性 ○末光哲也（東北大） ED2010-67 SDM2010-68 |
グラフェンとは単層のグラファイトを意味し，現在最も盛んである研究領域の一つである．これはグラフェンが高いキャリア移動度を... [more] | ED2010-67 SDM2010-68 pp.69-72 |
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