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電子デバイス研究会 (ED) (検索条件: 2010年度)
「from:2010-06-17 to:2010-06-17」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2010-06-17 13:00 |
石川 | 北陸先端大 | InSb単分子層を介したV溝加工したSi(001)基板上へのInSb薄膜の成長 ○岩杉達矢・カマセ サラ・角田 梓・中谷公彦・森 雅之・前澤宏一（富山大）  ED2010-33 |
我々はこれまでに、Si(111)基板上へInSb単分子層を介してInSb薄膜を2段階成長させると、Siに対してInSbの... [more] | ED2010-33 pp.1-4 |
| ED | 2010-06-17 13:25 |
石川 | 北陸先端大 | フレキシブル基板上InAs超薄膜の作製と評価 ○滝田隼人・橋本紀彦・工藤昌宏・赤堀誠志・鈴木寿一（北陸先端大） ED2010-34 |
格子不整成長した狭ギャップ化合物半導体のエピタキシャルリフトオフ-van der Waals貼付(van der Waa... [more] | ED2010-34 pp.5-9 |
| ED | 2010-06-17 13:50 |
石川 | 北陸先端大 | 電気化学的手法によるInP多孔質構造の形成と高感度化学センサへの応用 ○佐藤威友・吉澤直樹・岡崎拓行・橋詰 保（北大） ED2010-35 |
電気化学的手法により自己組織化形成されるn-InP多孔質構造の形成条件を最適化し、孔径約100nmで深さ10ミクロン以上... [more] | ED2010-35 pp.11-15 |
| ED | 2010-06-17 14:25 |
石川 | 北陸先端大 | AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタにおける自己発熱による電子速度低下率の解析 ○鈴木寿一・田中成明（北陸先端大） ED2010-36 |
AlGaN/GaN ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET) は, 高電流駆動能力・高耐圧に基づく高出力動作が可能な能... [more] | ED2010-36 pp.17-20 |
| ED | 2010-06-17 14:50 |
石川 | 北陸先端大 | リセスゲートAlGaN/GaNヘテロ接合FETの電気的特性評価 ○向野美郷・山田直樹・徳田博邦・葛原正明（福井大） ED2010-37 |
BCl3ガスを用いたICP方式ドライエッチングを用いてリセスゲート構造AlGaN/GaN HEMTを試作した。ICPパワ... [more] | ED2010-37 pp.21-24 |
| ED | 2010-06-17 15:15 |
石川 | 北陸先端大 | 高周波・高出力AlGaN/GaN系HEMTの作製 ○山下良美・渡邊一世・遠藤 聡・広瀬信光・松井敏明（NICT）・三村高志（NICT/富士通研） ED2010-38 |
AlGaN/GaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)は高出力・高耐圧特性に優れるだけでなくミリ波帯(30-300 G... [more] | ED2010-38 pp.25-30 |
| ED | 2010-06-17 15:50 |
石川 | 北陸先端大 | AlGaN/GaN HFETの表面バリア高さに対するデバイスプロセス中表面酸化の影響 ○東脇正高（NICT/JST/カリフォルニア大）・Srabanti Chowdhury・Brian L. Swenson・Umesh K. Mishra（カリフォルニア大） ED2010-39 |
AlGaN/GaNヘテロ構造のAlGaN表面バリアハイトに対するアニールプロセス中に起こる表面酸化の影響を、ホール測定お... [more] | ED2010-39 pp.31-35 |
| ED | 2010-06-17 16:15 |
石川 | 北陸先端大 | AlGaN/GaN MIS構造におけるC-V特性の解釈 ○水江千帆子（北大）・橋詰 保（北大/JST） ED2010-40 |
[more] | ED2010-40 pp.37-40 |
| ED | 2010-06-17 16:40 |
石川 | 北陸先端大 | トップゲートカーボンナノチューブFETにおけるゲート絶縁膜界面電荷の影響 ○大野雄高・森山直希・北村隆光・鈴木耕佑・岸本 茂・水谷 孝（名大） ED2010-41 |
[more] | ED2010-41 pp.41-45 |
| ED | 2010-06-18 10:00 |
石川 | 北陸先端大 | InGaAs-Channel MOSFETのキャリア輸送に関する理論的解析 ○本間嵩広・渡邉久巨・原 紳介・藤代博記（東京理科大） ED2010-42 |
ポストSi MOSFETとして，Siよりも有効質量が小さく高い電子移動度を示すIII-V族化合物半導体をチャネル材料に用... [more] | ED2010-42 pp.47-52 |
| ED | 2010-06-18 10:25 |
石川 | 北陸先端大 | 微分負性抵抗領域にバイアスされた共鳴トンネルダイオードの緩和振動抑制条件の理論解析 ○板垣陽介・浅川澄人・新屋秀秋・斉藤光史・須原理彦（首都大東京） ED2010-43 |
共鳴トンネルダイオード(RTD)は、原理的にはTHz領域まで微分負性抵抗(NDR)を得られる能動デバイスである。しかし、... [more] | ED2010-43 pp.53-58 |
| ED | 2010-06-18 10:50 |
石川 | 北陸先端大 | 低純度シリコンを用いた太陽電池の高効率化 ○廣瀬文彦・佐野裕紀・都築 暁・鈴木貴彦（山形大） ED2010-44 |
[more] | ED2010-44 pp.59-61 |
| ED | 2010-06-18 11:25 |
石川 | 北陸先端大 | 欠陥消滅型半導体洗浄液によるシリコン材料表面の汚染銅除去 ○高橋昌男・東 裕子・成田比呂晃・岩佐仁雄・小林 光（阪大/JST） ED2010-45 |
1ppmの極めて稀薄なHCN水溶液を用いた5分間の洗浄で、SiO_{2}表面上の汚染銅（10^{12}－10^{13}原... [more] | ED2010-45 pp.63-68 |
| ED | 2010-06-18 11:50 |
石川 | 北陸先端大 | ウェトプロセスによるメタルゲートの光コロージョン ○渡辺大祐（ダイキン工業）・木村千春・青木秀充（阪大） ED2010-46 |
次世代の高誘電率材料（High-K）ゲート絶縁膜とメタルゲート電極の構造（High-K/メタルゲート構造） における H... [more] | ED2010-46 pp.69-74 |
| ED | 2010-06-18 12:15 |
石川 | 北陸先端大 | メチルBCN膜の低温ドライエッチング評価 ○青木秀充・原 誠・増住拓朗・呂 志明・九鬼知博・木村千春・杉野 隆（阪大） ED2010-47 |
[more] | ED2010-47 pp.75-80 |
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