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電子デバイス研究会 (ED) (検索条件: 2009年度)
「from:2010-02-22 to:2010-02-22」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, SDM (共催) |
2010-02-22 13:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Si中のP原子核スピン配列に基づくニューロ様断熱的量子計算について ○金城光永（琉球大）・佐藤茂雄（東北大）  ED2009-196 SDM2009-193 |
[more] | ED2009-196 SDM2009-193 pp.1-3 |
| ED, SDM (共催) |
2010-02-22 13:25 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 高不純物濃度SOI基板のゼーベック係数 ○池田浩也・ファイズ サレ（静岡大） ED2009-197 SDM2009-194 |
シリコンナノ構造の熱電特性について調べている．リンをドープしたn 型の極薄SOI（silicon-on-insulato... [more] | ED2009-197 SDM2009-194 pp.5-9 |
| ED, SDM (共催) |
2010-02-22 13:50 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた確率共鳴素子 ○袴田靖文・大野恭秀・前橋兼三（阪大）・葛西誠也（北大）・井上恒一・松本和彦（阪大） ED2009-198 SDM2009-195 |
微弱信号の応答を増幅することを目的として，カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ (CNT-FETs) を用いた確率共... [more] | ED2009-198 SDM2009-195 pp.11-15 |
| ED, SDM (共催) |
2010-02-22 14:15 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 量子ドットにおける単電子確率共鳴の解析 ○葛西誠也（北大/JST）・白鳥悠太・三浦健輔（北大） ED2009-199 SDM2009-196 |
量子ドットの単電子充放電プロセスにおける確率共鳴的挙動を理論的に解析した．確率共鳴とはゆらぎによって系の応答が高まる現象... [more] | ED2009-199 SDM2009-196 pp.17-21 |
| ED, SDM (共催) |
2010-02-22 14:50 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 選択MOVPE法を用いた極性・非極性GaNストライプ上へのInGaN/GaN MQW構造の作製 ○谷川智之・本田善央・山口雅史（名大） ED2009-200 SDM2009-197 |
選択MOVPE法により非極性面上InGaN/GaN多重量子井戸の膜厚分布および発光の空間分布について検討を行った。無極性... [more] | ED2009-200 SDM2009-197 pp.23-28 |
| ED, SDM (共催) |
2010-02-22 15:15 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | SiOx薄膜への熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用 ○岡田竜弥（琉球大）・東 清一郎・牧原克典・広重康夫・宮崎誠一（広島大） ED2009-201 SDM2009-198 |
プラズマCVDにより成膜したSiOx膜(1.0 < x < 1.9)に熱プラズマジェット(TPJ)を照射しミリ秒熱処理を... [more] | ED2009-201 SDM2009-198 pp.29-33 |
| ED, SDM (共催) |
2010-02-22 15:40 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーションによる単電子トランジスタの集積化 ○上野俊介・友田悠介・久米 彌・花田道庸・滝谷和聡・白樫淳一（東京農工大） ED2009-202 SDM2009-199 |
プレナー型ナノスケールトンネルデバイスの簡便な作製手法である，電界放射電流によって誘起・発現されるエレクトロマイグレーシ... [more] | ED2009-202 SDM2009-199 pp.35-39 |
| ED, SDM (共催) |
2010-02-22 16:05 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション法によるプレナー型強磁性トンネル接合の作製 ○滝谷和聡・友田悠介・渡邉敬登・久米 彌・上野俊介・白樫淳一（東京農工大） ED2009-203 SDM2009-200 |
我々は簡便なナノスケールトンネルデバイスの作製手法として，エレクトロマイグレーション（EM）を利用した電界放射電流誘起型... [more] | ED2009-203 SDM2009-200 pp.41-45 |
| ED, SDM (共催) |
2010-02-22 16:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 強磁性リード電極を有する単一電子トランジスタでの磁気抵抗比増大効果の観測 ○田村伸行・菊池健人・守屋雅隆・小林忠行・島田 宏・水柿義直（電通大） ED2009-204 SDM2009-201 |
我々は，強磁性体(FM)のリード電極を持つ単一電子トランジスタ(SET)の磁気抵抗比($MRR$)に関する報告を行う． ... [more] |
ED2009-204 SDM2009-201 pp.47-52 |
| ED, SDM (共催) |
2010-02-23 09:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタの電気的特性に及ぼす界面特性の影響とその制御 ○大野雄高・森山直希・北村隆光・鈴木耕介・岸本 茂・水谷 孝（名大） ED2009-205 SDM2009-202 |
カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタ(CNFET)の特性を制御する上で，各種界面の特性を理解し，制御することが重要... [more] | ED2009-205 SDM2009-202 pp.53-58 |
| ED, SDM (共催) |
2010-02-23 10:10 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | SiNx保護膜を有するCNT-FETを用いたCMOSインバータの開発 ○岸本貴臣・大野恭秀・前橋兼三・井上恒一・松本和彦（阪大） ED2009-206 SDM2009-203 |
SiNx 保護膜を有するCNT-FET を用いて、CMOS インバータの作製に成功した。SiNx 保護膜の形成によってn... [more] | ED2009-206 SDM2009-203 pp.59-63 |
| ED, SDM (共催) |
2010-02-23 10:35 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ラップゲート制御GaAsナノワイヤ3分岐接合を用いた順序回路の試作 ○柴田 啓・中田大輔・白鳥悠太（北大）・葛西誠也（北大/JST） ED2009-207 SDM2009-204 |
ゲート制御したナノワイヤ3分岐接合（TBJ）集積による新しい順序回路について述べる。TBJは３本のナノワイヤを接合しただ... [more] | ED2009-207 SDM2009-204 pp.65-70 |
| ED, SDM (共催) |
2010-02-23 11:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | GaAsナノワイヤネットワークを主体としたコンパクトな再構成可能BDD論理回路の検討 ○白鳥悠太・三浦健輔（北大）・葛西誠也（北大/JST） ED2009-208 SDM2009-205 |
半導体ナノワイヤネットワークを主体とした，再構成可能な二分決定グラフ(BDD)論理回路について述べる．この回路では，シャ... [more] | ED2009-208 SDM2009-205 pp.71-76 |
| ED, SDM (共催) |
2010-02-23 11:35 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | p-i-n単層/多層グラフェン構造を用いたテラヘルツ波および赤外線検出器 ○Victor Ryzhii・Maxim Ryzhii（会津大）・Taiichi Otsuji（東北大）・Vladimir Mitin（ニューヨーク州立大） ED2009-209 SDM2009-206 |
Detectors of terahertz and infrared radiation based on p-i-n... [more] | ED2009-209 SDM2009-206 pp.77-80 |
| ED, SDM (共催) |
2010-02-23 12:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | CNT分散紙の電気的特性 ○田中 朋・佐野栄一（北大）・秋山宏介・今井将徳（特種製紙） ED2009-210 SDM2009-207 |
カーボンナノチューブ(CNT)は物理的および応用の観点から注目されている新材料である。我々はCNTを紙に分散させたCNT... [more] | ED2009-210 SDM2009-207 pp.81-85 |
| ED, SDM (共催) |
2010-02-23 12:25 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた不揮発性メモリの開発 ○前橋兼三・大堀貴大・永曽悟史・井上恒一・松本和彦（阪大） ED2009-211 SDM2009-208 |
トップゲートを有するカーボンナノチューブ電界効果トランジスタ(CNT-FET)を用いて不揮発性メモリデバイスを作製した。... [more] | ED2009-211 SDM2009-208 pp.87-91 |
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