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電子デバイス研究会 (ED) (検索条件: 2008年度)
「from:2008-06-13 to:2008-06-13」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2008-06-13 13:00 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | SiN/AlN積層構造によるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション ○田中成明（北陸先端大）・住田行常・河合弘治（パウデック）・鈴木寿一（北陸先端大）  ED2008-22 |
サファイア基板上のAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタに対して, AlN単層, SiN単層, さらにSiN超... [more] | ED2008-22 pp.1-4 |
| ED | 2008-06-13 13:25 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | p-GaNショットキー接触のI-V,C-V特性 ～ キャリア濃度,金属仕事関数依存性 ～ ○福島慶広・荻須啓太・葛原正明・塩島謙次（福井大） ED2008-23 |
4種類のMgドーピング濃度の異なるp-GaN上に10種類の電極金属を用いてショットキー接触を形成し、I-V、C-V特性か... [more] | ED2008-23 pp.5-10 |
| ED | 2008-06-13 13:50 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | AlGaNの深い準位とAlGaN/GaN HEMTの動作安定性の評価 ○田島正文・小谷淳二・菅原克也・橋詰 保（北大） ED2008-24 |
[more] | ED2008-24 pp.11-16 |
| ED | 2008-06-13 14:15 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | ワイドバンドギャップ半導体用NドープAlSiO膜の特性評価 ○小松直佳・田中裕崇・青木秀充・松之内恵子・木村千春（阪大）・奥村幸彦（舞鶴高専）・杉野 隆（阪大） ED2008-25 |
現在のパワーデバイスは主にSiで作製されているが、Siパワーデバイスは物性で決まる理論的性能限界に近づいており、この限界... [more] | ED2008-25 pp.17-22 |
| ED | 2008-06-13 14:40 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | MOCVD成長によるInP/InGaAs HBTの信頼性 ○荻須啓太・福島慶広・塩島謙次（福井大）・荒木賀行・横浜秀雄（NTT-AT） ED2008-26 |
炭素ドープInP/InGaAs HBT のMOCVD成長においてエチル基原料ガスを用いてベース層への水素混入低減を試み、... [more] | ED2008-26 pp.23-28 |
| ED | 2008-06-13 15:20 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | Wet Cleaning Processing of VLSI Devices by Functional Waters ○Masako Kodera・Yoshitaka Matsui・Naoto Miyashita（Toshiba） ED2008-27 |
[more] | ED2008-27 pp.29-34 |
| ED | 2008-06-13 15:45 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | 枚葉洗浄装置の次世代レベルパーティクル性能向上 ○佐野謙一・宮 勝彦・泉 昭・・永徳篤郎（スクリーン） ED2008-28 |
3X-nmレベルのパーティクル測定が可能になってきた。本研究ではその微小パーティクル付着に及ぼす装置起因問題、また、微小... [more] | ED2008-28 pp.35-40 |
| ED | 2008-06-13 16:10 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | SPM洗浄法におけるレジスト剥離能力の劣化と電解硫酸液を用いたレジスト剥離技術の実証 ○永井達夫・山川晴義・内田 稔・大津 徹・池宮範人（栗田工業） ED2008-29 |
SPM洗浄法は使用に伴いレジスト剥離性能が低下することが知られている．その原因が硫酸濃度の低下にあることを理論的に解明し... [more] | ED2008-29 pp.41-46 |
| ED | 2008-06-13 16:35 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | マランゴニ乾燥における残留液膜・液滴の乾燥挙動 ○宮本泰治・鴨志田隼司・山田 純（芝浦工大） ED2008-30 |
ウェーハの大口径化に伴い，これまで、半導体製造の洗浄・乾燥技術において有効とされてきたマランゴニ乾燥についても，ウォータ... [more] | ED2008-30 pp.47-50 |
| ED | 2008-06-13 17:00 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | スピンエッチングによるφ300mmウェハのステイン膜形成 ○増本哲己・渡辺正晴・佐藤啓介（日本エスイーゼット） ED2008-31 |
従来、浸漬式によるステイン膜（ポーラスシリコン）形成が報告されている。スピンエッチングを用いた表面処理技術としてステイン... [more] | ED2008-31 pp.51-54 |
| ED | 2008-06-14 09:00 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | 超高速MMIC作製のためのInP HEMTデバイス技術 ○原 直紀・高橋 剛・牧山剛三（富士通）・多木俊裕（富士通研） ED2008-32 |
ミリ波帯で動作可能な超高速MMIC作製のために，トランジスタ高速化とデバイス集積化を両立するInP系HEMTデバイス技術... [more] | ED2008-32 pp.55-60 |
| ED | 2008-06-14 09:25 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | 化合物半導体三重障壁共鳴トンネルダイオードの非線形等価回路パラメタの評価 ○井城悠一（首都大東京）・品田唱秋（都立大）・直井 護（首都大東京）・朝岡直哉（都立大）・須原理彦・奥村次徳（首都大東京） ED2008-33 |
化合物半導体三重障壁共鳴トンネルダイオード（TBRTD）の非線形小信号等価回路の同定と回路素子成分のバイアス電圧依存性を... [more] | ED2008-33 pp.61-66 |
| ED | 2008-06-14 09:50 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | Fluidic Self-AssemblyのためのInGaAs系共鳴トンネルデバイスブロック作製技術 ○前澤宏一（富山大）・亀谷直樹・岸本 茂・水谷 孝（名大）・赤松和弘（日鉱金属） ED2008-34 |
Fluidic Self-Assembly(FSA)は数十ミクロン程度の大きさのデバイスブロックを溶液中で散布し，任意の... [more] | ED2008-34 pp.67-72 |
| ED | 2008-06-14 10:15 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | エピタキシャルリフトオフ-van der Waals貼付によるInAs薄膜の異種材料融合集積 ○滝田隼人・工藤昌宏・田中成明・鈴木寿一（北陸先端大） ED2008-35 |
InAsの異種材料融合集積に向けて,InAs薄膜のエピタキシャルリフトオフ(ELO)およびSiO$_2$/Si基板上への... [more] | ED2008-35 pp.73-76 |
| ED | 2008-06-14 10:55 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | 高In組成InGaAs/InAlAsヘテロ接合のMBE成長と蓄積2次元電子ガスのスピン軌道相互作用 ○崔 賢光・新田峻介・山田省二（北陸先端大） ED2008-36 |
[more] | ED2008-36 pp.77-80 |
| ED | 2008-06-14 11:20 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | Si(111)-√7×√3-In再構成構造を介したInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長 ○森 雅之・斉藤光史・長島恭兵・上田広司・吉田達雄・前澤宏一（富山大） ED2008-37 |
Si(111)基板上にInSb単分子層を介してInSb薄膜を成長させると、Si基板に対して30°回転し、結晶性や電気的特... [more] | ED2008-37 pp.81-84 |
| ED | 2008-06-14 11:45 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | Si(111)基板上での30°回転InSb薄膜層形成に対するIn及びSb層の効果 ○斉藤光史・森 雅之・上田広司・前澤宏一（富山大） ED2008-38 |
我々はSi(111)基板上にInSb単分子層を介してInSb薄膜をヘテロエピタキシャル成長させる新しい手法を提案している... [more] | ED2008-38 pp.85-90 |
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