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電子デバイス研究会 (ED)  (検索条件: 2019年度)

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講演検索結果
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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, MW
(共催)
2020-01-31
09:05
東京 機械振興会館 地下3階6号室 リファレンスΔΣ変調器を用いたサイクルスリップによる複数PLL間の位相ずれの補正技術
池田 翔平井暁人堤 恒次津留正臣三菱電機ED2019-93 MW2019-127
 [more] ED2019-93 MW2019-127
pp.1-5
ED, MW
(共催)
2020-01-31
09:30
東京 機械振興会館 地下3階6号室 集中定数素子で構成した整合回路を用いたトリプレクサの基礎検討
大石元輝大島心平小山高専ED2019-94 MW2019-128
 [more] ED2019-94 MW2019-128
pp.7-10
ED, MW
(共催)
2020-01-31
09:55
東京 機械振興会館 地下3階6号室 SOM終端によるS11の校正に適する同軸給電型遮断円筒導波管の構造と各種液体の誘電率測定
柴田幸司八戸工大ED2019-95 MW2019-129
 [more] ED2019-95 MW2019-129
pp.11-16
ED, MW
(共催)
2020-01-31
10:30
東京 機械振興会館 地下3階6号室 [招待講演]5G基地局向けGaN HEMT開発の現状と展望
井上和孝住友電工ED2019-96 MW2019-130
 [more] ED2019-96 MW2019-130
pp.17-20
ED, MW
(共催)
2020-01-31
11:20
東京 機械振興会館 地下3階6号室 表面活性化常温接合法によるGaN-on-Diamond HEMTの作製
檜座秀一藤川正洋滝口雄貴西村邦彦柳生栄治三菱電機)・松前貴司倉島優一高木秀樹産総研)・山向幹雄三菱電機ED2019-97 MW2019-131
 [more] ED2019-97 MW2019-131
pp.21-24
ED, MW
(共催)
2020-01-31
11:45
東京 機械振興会館 地下3階6号室 コンタクトレス光電気化学(PEC)エッチングを用いたリセスゲートHEMTの作製
堀切文正福原 昇サイオクス)・渡久地政周三輪和希北大)・成田好伸市川 磨磯野僚多田中丈士サイオクス)・佐藤威友北大ED2019-98 MW2019-132
GaNは化学的に安定であるが、光電気化学(PEC)反応を用いる事で、低損傷な加工が可能である。通常、PEC反応を用いたエ... [more] ED2019-98 MW2019-132
pp.25-28
ED, MW
(共催)
2020-01-31
13:10
東京 機械振興会館 地下3階6号室 [特別講演]2019年ヨーロッパマイクロ波会議出席報告
半谷政毅三菱電機)・西川健二郎鹿児島大)・向井謙治村田製作所)・安部素実橘川雄亮幸丸竜太坂田修一神岡 純横溝真也三菱電機ED2019-99 MW2019-133
2019年9月から10月にかけてフランス・パリで開催されたEuMW(European Microwave Week)に参... [more] ED2019-99 MW2019-133
pp.29-34
ED, MW
(共催)
2020-01-31
14:10
東京 機械振興会館 地下3階6号室 [特別講演]THzイメージングに向けた高精度かつ高速な誘電率測定システム
徐 照男濱田裕史松崎秀昭野坂秀之NTTED2019-100 MW2019-134
テラヘルツ波の位相情報を用いた誘電率イメージングは非金属物を検出する有効な手段の一つであり、食品異物検査等の非破壊検査へ... [more] ED2019-100 MW2019-134
pp.35-40
ED, MW
(共催)
2020-01-31
14:35
東京 機械振興会館 地下3階6号室 [特別講演]周期配列誘電体球準零屈折率メタマテリアルによる散乱抑制
高野佑磨真田篤志阪大ED2019-101 MW2019-135
本研究では, 周期配列された誘電体球で構成される準零屈折率メタマテリアル(Near-Zero-Index Metamat... [more] ED2019-101 MW2019-135
pp.41-45
ED, MW
(共催)
2020-01-31
15:00
東京 機械振興会館 地下3階6号室 [特別講演]多入力多出力ワイヤレス給電システムの最大電力伝送効率
ズオン クアンタン岡田 実奈良先端大ED2019-102 MW2019-136
 [more] ED2019-102 MW2019-136
pp.47-51
ED, MW
(共催)
2020-01-31
15:35
東京 機械振興会館 地下3階6号室 TCADを用いたGaN HEMTの低周波Sパラメータに対するバッファトラップと自己発熱の影響に関する解析
大塚友絢山口裕太郎新庄真太郎三菱電機)・大石敏之佐賀大ED2019-103 MW2019-137
 [more] ED2019-103 MW2019-137
p.53
ED, MW
(共催)
2020-01-31
16:00
東京 機械振興会館 地下3階6号室 注入ゲート導入型ノーマリオフFloating Gate GaN HEMTの動作原理と構造
南雲謙志木本大幾諏訪智之東北大)・寺本章伸広島大)・白田理一郎高谷信一郎国立交通大)・黒田理人須川成利東北大ED2019-104 MW2019-138
ノーマリオフを達成する構造として従来のFloating Gate型に新たに電荷注入用の注入ゲートを設けた構造のGaN高電... [more] ED2019-104 MW2019-138
pp.55-58
ED, MW
(共催)
2020-01-31
16:35
東京 機械振興会館 地下3階6号室 [招待講演]ミリ波・サブミリ波帯無線通信に向けた化合物半導体電子デバイスおよび高周波計測技術
渡邊一世山下良美笠松章史NICTED2019-105 MW2019-139
窒化ガリウム(GaN)系高電子移動度トランジスタ(HEMT)等の化合物半導体電子デバイスは,周波数100 GHz以上で動... [more] ED2019-105 MW2019-139
pp.59-64
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