お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催スケジュール
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
    [Japanese] / [English] 
研究会名/開催地/テーマ  )→
 
講演検索  検索語:  /  範囲:題目 著者 所属 抄録 キーワード )→

電子デバイス研究会 (ED)  (検索条件: 2018年度)

「from:2018-05-24 to:2018-05-24」による検索結果

[電子デバイス研究会ホームページへ] 
講演検索結果
 登録講演(開催プログラムが公開されているもの)  (日付・昇順)
 7件中 1~7件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, CPM, SDM
(共催)
2018-05-24
13:30
愛知 豊橋技科大VBL フレキシブル有機系熱電変換材料の作製と評価
岸 直希日比 聡吉田祐太小野恵輔沢田優真國枝泰希近藤雄哉名工大ED2018-14 CPM2018-1 SDM2018-9
 [more] ED2018-14 CPM2018-1 SDM2018-9
pp.1-3
ED, CPM, SDM
(共催)
2018-05-24
13:55
愛知 豊橋技科大VBL Fabrication of Cu-O Thin Films by Galvanostatic Electrochemical Deposition from Weakly Acidic Solutions
mansoureh keikhaeiMasaya IchimuraNITED2018-15 CPM2018-2 SDM2018-10
Cu-O thin films are deposited at low pH (< 6), low and high ... [more] ED2018-15 CPM2018-2 SDM2018-10
pp.5-10
ED, CPM, SDM
(共催)
2018-05-24
14:20
愛知 豊橋技科大VBL 減圧ドライ転写法によるサスペンデッドグラフェンを用いたMEMSバイオセンサ
喜種 慎石田隼斗澤田和明豊橋技科大)・高橋一浩豊橋技科大/JSTさきがけED2018-16 CPM2018-3 SDM2018-11
本研究では減圧ドライ転写法によって作製したサスペンデッドグラフェン上に溶液処理によって抗体を固定化して,抗原抗体反応によ... [more] ED2018-16 CPM2018-3 SDM2018-11
pp.11-14
ED, CPM, SDM
(共催)
2018-05-24
14:45
愛知 豊橋技科大VBL Growth of high quality InSb channel layer with InxGa1-xSb heteroepitaxial films on Si(111)
A. A. Mohammad Monzur-Ul-AkhirMasayuki MoriKoichi MaezawaUniversity of ToyamaED2018-17 CPM2018-4 SDM2018-12
InSb has met the requirements of high-performance channel ma... [more] ED2018-17 CPM2018-4 SDM2018-12
pp.15-18
ED, CPM, SDM
(共催)
2018-05-24
15:25
愛知 豊橋技科大VBL GaN基板上GaNエピ層のFT-IRによる評価
堀切文正成田好伸吉田丈洋サイオクスED2018-18 CPM2018-5 SDM2018-13
フーリエ変換赤外分光(FT-IR)を用いて、自立GaN基板上GaNホモエピタキシャル層の非破壊膜厚測定を行った。FT-I... [more] ED2018-18 CPM2018-5 SDM2018-13
pp.19-22
ED, CPM, SDM
(共催)
2018-05-24
15:50
愛知 豊橋技科大VBL FZ-Siウエハにおける水素ドナーのアニール温度依存性
清井 明中村勝光三菱電機ED2018-19 CPM2018-6 SDM2018-14
水素ドナー(HD)の発生機構を明らかにするために,HDおよび格子間Si対の発生,消滅挙動のアニール温度依存性を調べた。水... [more] ED2018-19 CPM2018-6 SDM2018-14
pp.23-28
ED, CPM, SDM
(共催)
2018-05-24
16:15
愛知 豊橋技科大VBL トンネル状空隙の導入によるSi上Ge層の貫通転位密度低減
八子基樹東大)・石川靖彦豊橋技科大)・和田一実マサチューセッツ工科大ED2018-20 CPM2018-7 SDM2018-15
 [more] ED2018-20 CPM2018-7 SDM2018-15
pp.29-32
 7件中 1~7件目  /   
ダウンロード書式の初期値を指定してください NEW!!
テキスト形式 pLaTeX形式 CSV形式 BibTeX形式
著作権について : 以上の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会