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電子デバイス研究会 (ED)  (検索条件: 2017年度)

「from:2017-12-18 to:2017-12-18」による検索結果

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講演検索結果
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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, THz
(共催)
2017-12-18
13:00
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 [招待講演]コヒーレントテラヘルツ波発生に向けた半導体光集積デバイス技術
加藤和利九大ED2017-72
テラヘルツ波は大容量無線通信や高分解能のイメージングへの応用が期待されている。特にコヒーレントなテラヘルツ波によりこれら... [more] ED2017-72
pp.1-4
ED, THz
(共催)
2017-12-18
13:40
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 THz波光源用GaSe結晶の実用化に向けたGe添加GaSe結晶とGaSe1-xTex混晶の低温液相成長
佐藤陽平唐 超田邉匡生小山 裕東北大ED2017-73
本研究ではTHz波光源用非線形光学結晶として使用するGaSe結晶を溶液成長により作製している.今回はGaSe結晶からの低... [more] ED2017-73
pp.5-8
ED, THz
(共催)
2017-12-18
14:05
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 二次元層状半導体InSe結晶の低温液相成長
唐 超佐藤陽平田邉匡生小山 裕東北大ED2017-74
 [more] ED2017-74
pp.9-11
ED, THz
(共催)
2017-12-18
14:30
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 摩擦プロセスを活用するカルコゲナイド系2D層状半導体MoS2薄膜の形成
伊藤孝郁・○田邉匡生松永晃典小山 裕東北大ED2017-75
半導体デバイスプロセスにおける新規成膜技術として、我々は摩擦を活用する簡便なプロセスを提案している。非線形光学デバイスに... [more] ED2017-75
pp.13-14
ED, THz
(共催)
2017-12-18
15:15
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 [招待講演]共鳴トンネル発振器の安定性改善とセンサ応用
前澤宏一富山大ED2017-76
RTD 発振器はTHz 信号源として有望であり,すでに1.92THz の発振も報告されている.しかし,RTD は直流から... [more] ED2017-76
pp.15-18
ED, THz
(共催)
2017-12-18
15:55
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 塗膜鋼板表面腐食生成物に対するテラヘルツ分光分析
長谷川 涼田邉匡生小山 裕東北大ED2017-77
我々の研究グループではテラヘルツ波の非極性物質に対する高い透過率、金属表面に対する高い反射特性を利用し被覆内部の金属に対... [more] ED2017-77
pp.19-20
ED, THz
(共催)
2017-12-18
16:20
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 バイオ応用に向けた反射型レーザー走査近接場テラヘルツ分光・イメージングシステムの開発
岡田航介芹田和則川山 巌村上博成斗内政吉阪大ED2017-78
テラヘルツ(THz)波を用いたバイオセンシングは、生体関連分子のラベルフリーかつ非侵襲な測定を実現する可能性があるとして... [more] ED2017-78
pp.21-24
ED, THz
(共催)
2017-12-18
16:45
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 テラヘルツ波の社会インフラ健全度診断応用
黒尾健太金井智哉田邉匡生小山 裕東北大ED2017-79
 [more] ED2017-79
pp.25-27
ED, THz
(共催)
2017-12-18
17:10
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 光誘起キャリヤによるテラヘルツ導波路内変調に関する基礎検討
島貫泰斗慶大)・渡邊一世笠松章史NICT)・田中敏幸門内靖明慶大ED2017-80
テラヘルツ帯で低損失な高抵抗シリコン結晶に励起光を照射し,導電率を変化させることによってテ ラヘルツ波を変調する方法につ... [more] ED2017-80
pp.29-32
ED, THz
(共催)
2017-12-19
09:00
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 [招待講演]アンチモン系トランジスタの開発
藤代博記磯野恭佑高橋択斗原田義彬岡 直希竹内 淳藤澤由衣東京理科大)・藤川紗千恵東京電機大)・町田龍人東京理科大)・渡邊一世山下良美遠藤 聡原 紳介笠松章史NICTED2017-81
量子補正モンテカルロ法を用いた解析により,InSb HEMTは電子有効質量m*が小さいために電子移動度μと電子速度vdが... [more] ED2017-81
pp.33-36
ED, THz
(共催)
2017-12-19
09:40
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 InGaAs/InAs/InGaAsコンポジットチャネルHEMTの低温DC・RF特性
遠藤 聡渡邊一世笠松章史NICT)・三村高志NICT/富士通研ED2017-82
In0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3AsコンポジットチャネルHEMT及びIn0.7Ga0.3Asチャ... [more] ED2017-82
pp.37-40
ED, THz
(共催)
2017-12-19
10:05
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 InP-HEMTによる光-ミリ波帯キャリア周波数下方変換
大森雄也細谷友崇尾辻泰一岩月勝美末光哲也東北大)・日隈 薫市川潤一郎住友大阪セメント)・坂本高秀山本直克NICT)・佐藤 昭東北大ED2017-83
 [more] ED2017-83
pp.41-45
ED, THz
(共催)
2017-12-19
10:45
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 チェレンコフ位相整合方式を利用した非線形光学結晶からのテラヘルツ波発生
竹家 啓名大)・内田裕久アークレイ)・太田健吾興村晃太朗川瀬晃道名大ED2017-84
非線形光学結晶LiNbO3およびDASTを用いたプリズム結合チェレンコフ位相整合方式により、結晶による吸収を軽減し、シン... [more] ED2017-84
pp.47-50
ED, THz
(共催)
2017-12-19
11:10
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 サブテラヘルツ波光源による液体試料の反射測定
鳥居輝明田邉匡生小山 裕東北大ED2017-85
 [more] ED2017-85
pp.51-53
ED, THz
(共催)
2017-12-19
11:35
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 コヒーレントテラヘルツ光源を用いる繊維構造評価
弓達慎太郎田邉匡生小山 裕東北大ED2017-86
本研究ではGaP結晶を用いたCr:Forsteriteレーザ励起パルステラヘルツ光源および、テラヘルツ時間領域分光(TH... [more] ED2017-86
pp.55-56
ED, THz
(共催)
2017-12-19
13:30
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 中空光ファイバガスセルを用いたテラヘルツガス分光分析
鈴木貴敬片桐崇史松浦祐司東北大ED2017-87
テラヘルツ時間領域分光法を用いたガス計測システムに,中空光ファイバを超低容量かつ長光路ガスセルとして導入することを提案し... [more] ED2017-87
pp.57-60
ED, THz
(共催)
2017-12-19
13:55
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 円偏波放射が可能なラジアルラインスロットアンテナ集積共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器
鈴木左文堀川大輔陳 雲超小池拓哉浅田雅洋東工大ED2017-88
 [more] ED2017-88
pp.61-64
ED, THz
(共催)
2017-12-19
14:20
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 Terahertz emission from a well-aligned, chirality-enriched (6,5) carbon nanotube film
Filchito Renee BagsicanIwao KawayamaOsaka Univ.)・Weilu GaoNatsumi KomatsuRice Univ.)・Hironaru MurakamiOsaka Univ.)・Frank A. HegmannUniv. of Alberta)・Junichiro KonoRice Univ.)・Masayoshi TonouchiOsaka Univ.ED2017-89
We report on the THz emission from a well-aligned, chirality... [more] ED2017-89
pp.65-67
ED, THz
(共催)
2017-12-19
14:45
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 Simulation on the optical gain of GaN-based THz-QCLs
Yun JoosunWang KeHideki HirayamaRIKENED2017-90
We investigated GaN-based THz quantum cascade laser (THz-QCL... [more] ED2017-90
pp.69-72
ED, THz
(共催)
2017-12-19
15:10
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 デュアルゲートグラフェンFETの相互コンダクタンスの温度依存性
菅原健太渡辺隆之ヤダフ ディピカ込山貴大布施吉貴東北大)・リジー マキシム会津大)・リジー ヴィクトール吹留博一末光眞希尾辻泰一東北大ED2017-91
デュアルゲートグラフェンFET(DG-GFET)の相互コンダクタンスの温度特性に関する実験結果を報告する.SiC基板の熱... [more] ED2017-91
pp.73-76
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