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電子デバイス研究会 (ED)  (検索条件: 2016年度)

「from:2016-12-19 to:2016-12-19」による検索結果

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講演検索結果
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 17件中 1~17件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2016-12-19
14:00
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 [招待講演]Evaluation of transistor performance in single and double δ-doping in InP-based high-electron-mobility transistors with MOVPE-grown InAs/In0.8Ga0.2As quantum-well
Amine El MoutaouakilHiroki SugiyamaHideaki MatsuzakiNTTED2016-80
 [more] ED2016-80
pp.1-5
ED 2016-12-19
14:40
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 InP HEMTの低温DC・RF特性に関するドレイン側リセス長の影響
遠藤 聡渡邊一世笠松章史NICT)・高橋 剛芝 祥一中舍安宏岩井大介富士通研)・三村高志富士通研/NICTED2016-81
InP系75-nmゲートIn0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTの温度300及び16 Kにお... [more] ED2016-81
pp.7-12
ED 2016-12-19
15:05
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 [招待講演]InPデバイス、CMOSデバイスによるミリ波・テラヘルツ波回路技術
川野陽一富士通研ED2016-82
 [more] ED2016-82
pp.13-16
ED 2016-12-19
16:05
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 180 nmCMOSプロセスを用いたテラヘルツ検出器の設計と評価
脇田幸典池辺将之北大)・Stevanus Arnold尾辻泰一東北大)・瀧田佑馬南出泰亜理研)・佐野栄一北大ED2016-83
近年、テラヘルツ波を用いたイメージングが注目を集めている。本研究では、イメージングアレイへの搭載に向けて、イメージングピ... [more] ED2016-83
pp.17-22
ED 2016-12-19
16:30
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 直列アレイ化とレンズ集積による非対称二重格子ゲート高電子移動度トランジスタのテラヘルツ波受光効率向上
細谷友崇糟谷文月谷口弘樹渡辺隆之末光哲也尾辻泰一東北大)・瀧田佑馬伊藤弘昌南出泰亜理研)・石橋忠夫NTTエレクトロニクステクノ)・清水 誠NEL)・佐藤 昭東北大ED2016-84
室温動作可能、高速応答可能なテラヘルツ受光デバイスとして、非対称二重格子ゲート高電子移動度トランジスタ(ADGG-HEM... [more] ED2016-84
pp.23-28
ED 2016-12-19
16:55
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 高効率THz波発生のための両性不純物Ge添加GaSe結晶の液相成長
佐藤陽平趙 枢田邉匡生前田建作小山 裕東北大ED2016-85
我々は蒸気圧制御温度差液相成長法によりTHz波光源用GaSeの結晶成長を行っている。GaSe結晶は高い非線形光学定数と複... [more] ED2016-85
pp.29-33
ED 2016-12-19
17:20
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 テラヘルツ波源応用を目指した自己補対ボウタイアンテナの広帯域特性モデリングと放射特性解析
山倉裕和須原理彦首都大東京ED2016-86
サブミリ波・テラヘルツ波の無線通信応用を目指した研究は,光電変換素子と高指向性アンテナとを用いた固定端末間の大容量無線通... [more] ED2016-86
pp.35-40
ED 2016-12-20
09:00
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 中空光ファイバを用いた時間領域分光イメージングの試み
伊藤公聖片桐崇史松浦祐司東北大ED2016-87
テラヘルツ時間領域分光法とテラヘルツ伝送用中空光ファイバとを組み合わせた分光測定系を構築し,リモート分光によるイメージン... [more] ED2016-87
pp.41-45
ED 2016-12-20
09:25
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 テラヘルツ光源による紙幣の変造・損傷の非接触検査
田邉匡生木村 隆前田健作東北大)・五井広一ローレルバンクマシン)・小山 裕東北大ED2016-88
紙幣の変造や損傷状態の検出は主に接触式の段差計測によって行われているが、接触検査は速度の制限や紙幣に対する損傷を招くなど... [more] ED2016-88
pp.47-48
ED 2016-12-20
09:50
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 ナノカーボン材料のテラヘルツ応答特性
宮島卓也北大)・杉目恒志早大)・菅原健太渡辺隆之尾辻泰一東北大)・佐野栄一北大ED2016-89
テラヘルツ(THz)半導体デバイス実現のためには新素材や新構造の研究が重要であり、その中でもナノカーボン材料は近年注目を... [more] ED2016-89
pp.49-54
ED 2016-12-20
10:35
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 波長可変レーザーテラヘルツ放射顕微鏡によるタンデム型太陽電池の個別セル観察
濱内翔太川山 巌酒井裕司梅垣俊仁阪大)・伊藤 明中西英俊SCREEN)・村上博成阪大)・Charles Schmuttenmaerイェール大/阪大)・斗内政吉阪大ED2016-90
半導体材料・デバイスにフェムト秒パルスレーザーを照射すると、内部の電界、結晶粒界や欠陥等を反映したテラヘルツ (THz)... [more] ED2016-90
pp.55-60
ED 2016-12-20
11:00
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 ヒト培養細胞における70-300 GHz照射の影響
八重柏典子大槻 聖林 伸一郎理研)・川瀬晃道名大/理研ED2016-91
ミリ波・テラヘルツ波の早期実用化が見込まれているため、生体へのばく露による影響評価が必要となっている。総務省では電波の安... [more] ED2016-91
pp.61-65
ED 2016-12-20
11:25
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 被覆Al素線の非破壊欠陥状態検査に向けたテラヘルツ分光応用
黒尾健太木村 隆田邉匡生小山 裕東北大ED2016-92
被覆等の非極性物質に対して高い透過性を持つテラヘルツ波は電力用被覆電線の非破壊検査に強い適正を持つことから応用に期待され... [more] ED2016-92
pp.67-70
ED 2016-12-20
13:15
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 [招待講演]Input Power Optimization of a Tripler-Base 300-GHz CMOS Up-Conversion Mixer
Ruibing DongNICT)・Kosuke KatayamaHiroshima Univ.)・Shinsuke HaraNICT)・Kyoya TakanoHiroshima Univ.)・Issei WatanabeNorihiko SekineAkifumi KasamatsuNICT)・Takeshi YoshidaShuhei AmakawaMinoru FujishimaHiroshima Univ.ED2016-93
 [more] ED2016-93
pp.71-74
ED 2016-12-20
13:55
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 大気観測装置用ミリ波帯超伝導SISミクサのリニアリティ測定
秋山直輝中島 拓水野 亮長浜智生鈴木和司名大)・藤井泰範国立天文台ED2016-94
地球大気中に存在する微量分子は回転遷移によって微弱なミリ波帯の電波を発しており、その観測には大気ミリ波分光計を用いる。名... [more] ED2016-94
pp.75-79
ED 2016-12-20
14:20
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 [招待講演]Modeling of Resonant Tunneling Diodes and their Application to Short Distance Terahertz Wireless Communications
Sebastian DieboldMasayuki FujitaTadao NagatsumaOsaka Univ.ED2016-95
We present an empirical, equivalent circuit model of a reson... [more] ED2016-95
pp.81-86
ED 2016-12-20
15:00
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 共鳴トンネルダイオード発振器を用いた周波数偏波多重テラヘルツ無線通信
大島直到橋本和秀鈴木左文浅田雅洋東工大
周波数偏波多重可能な共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器を作製し、500 GHz帯の偏波多重通信及び500 GHzと8... [more]
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