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電子デバイス研究会 (ED) (検索条件: 2016年度)
「from:2016-10-25 to:2016-10-25」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2016-10-25 13:00 |
三重 | 三重大学 新産業創成研究拠点（旧VBL） | トリウム被覆されたW電界放射陰極の電流放出特性 ○山梨遼太郎・根尾陽一郎（静岡大）・大野輝昭（テクネックス工房）・三村秀典（静岡大）  ED2016-43 |
タングステン電界放射陰極(W-FE)は，タングステン熱放射陰極と比較して放出電子のエネルギー分布が狭く高い輝度を有するカ... [more] | ED2016-43 pp.1-4 |
| ED | 2016-10-25 13:25 |
三重 | 三重大学 新産業創成研究拠点（旧VBL） | エックス線照射下におけるフィールドエミッタアレイの動作特性とその解析 ○後藤康仁・辻 博司（京大）・長尾昌善（産総研）・秋吉優史（阪府大）・高木郁二（京大） ED2016-44 |
[more] | ED2016-44 pp.5-8 |
| ED | 2016-10-25 13:50 |
三重 | 三重大学 新産業創成研究拠点（旧VBL） | 真空トランジスタを用いた増幅器の性能評価のための計算機実験 ○後藤康仁（京大） |
[more] | |
| ED | 2016-10-25 14:15 |
三重 | 三重大学 新産業創成研究拠点（旧VBL） | テラヘルツ波帯における真空デバイスへの取組み（その2） ○吉田 満・小林潤一・藤下祐亮・増田則夫（NECネットワーク・センサ）・関根徳彦・菅野敦史・山本直克・笠松章史・寳迫 巌（NICT） ED2016-45 |
真空デバイスと光デバイスの狭間付近には、テラヘルツギャップと呼ばれる有益なデバイスのない領域が存在している。現在、真空デ... [more] | ED2016-45 pp.9-12 |
| ED | 2016-10-25 14:40 |
三重 | 三重大学 新産業創成研究拠点（旧VBL） | シリコンフィールドエミッタの光応答性の評価（その2） ○嶋脇秀隆（八戸工大）・長尾昌善（産総研）・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大）・若家冨士男・高井幹夫（阪大） ED2016-46 |
p型シリコンフィールドエミッタにバンドギャップ以上の光を照射するとエミッション電流が増大する。この特性を利用すると光パル... [more] | ED2016-46 pp.13-15 |
| ED | 2016-10-25 15:20 |
三重 | 三重大学 新産業創成研究拠点（旧VBL） | 層間反強磁性Cr(001)を用いた電界放出電子のスピン偏極度の安定化 ○宮崎健人・阪井那央哉（三重大）・永井滋一・岩田達夫・梶原和夫・畑 浩一（三重大/三重大極限ナノエレセ） ED2016-47 |
電子の持つ電荷とスピンの両方の自由度を応用するスピントロニクスの発展には、磁性体表面・界面のスピン状態を、原子分解能で評... [more] | ED2016-47 pp.17-20 |
| ED | 2016-10-25 15:45 |
三重 | 三重大学 新産業創成研究拠点（旧VBL） | 時間依存密度汎関数法によるカーボン系エミッタのフィールドエミッション電流の計算(第2報) ○樋口敏春，佐々木正洋・山田洋一（筑波大） ED2016-48 |
カーボンナノチューブのエミッション電流を時間依存密度汎関数法(TD-DFT)を用いて計算する方法の検討を行っている. 第... [more] | ED2016-48 pp.21-26 |
| ED | 2016-10-25 16:10 |
三重 | 三重大学 新産業創成研究拠点（旧VBL） | NEA-GaAsホトカソードからのパルスビーム診断 ○吉武 亮・光野圭悟・増澤智昭・畑中義式・細田 誠・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大） ED2016-49 |
100GHzより高い周波数帯の電磁波はサブミリ波帯と呼ばれる．高出力のサブミリ波はデータ通信技術やセキュリティなどさまざ... [more] | ED2016-49 pp.27-30 |
| ED | 2016-10-25 16:35 |
三重 | 三重大学 新産業創成研究拠点（旧VBL） | ミニマルファブを活用した微小電子源の作製 ○長尾昌善・村上勝久・辰巳憲之・クンプアン ソマワン・原 史朗（産総研）・後藤康仁（京大） ED2016-50 |
[more] | ED2016-50 pp.31-36 |
| ED | 2016-10-26 09:30 |
三重 | 三重大学 新産業創成研究拠点（旧VBL） | グラフェンをゲート電極に用いた平面型電子放出素子 ○村上勝久（産総研）・田中駿丞（筑波大）・長尾昌善（産総研）・根本善弘・竹口雅樹（物質・材料研究機構）・藤田淳一（筑波大） ED2016-51 |
[more] | ED2016-51 pp.37-40 |
| ED | 2016-10-26 09:55 |
三重 | 三重大学 新産業創成研究拠点（旧VBL） | Ⅲ族酸化物で修飾したW(100)面からの電子放射 ～ Sc酸化物, Pr酸化物, Nd酸化物による仕事関数低下現象 ～ ○川久保貴史（香川高専）・中根英章（室蘭工大） ED2016-52 |
高融点金属の一つであるタングステンは，電子源の材料として用いられている．W(100)面は仕事関数が4.6eVと比較的高い... [more] | ED2016-52 pp.41-46 |
| ED | 2016-10-26 10:20 |
三重 | 三重大学 新産業創成研究拠点（旧VBL） | コロジオンに分散させた二酸化パラジウムを貴金属供給源とするナノ電子源の作製 ○浅井泰尊・熊谷成輝・村田英一・六田英治（名城大） ED2016-53 |
貴金属で被覆されたタングステン(W)の原子スケールのピラミッドを，タングステン(W)針の先端に自発的に成長させることがで... [more] | ED2016-53 pp.47-50 |
| ED | 2016-10-26 11:00 |
三重 | 三重大学 新産業創成研究拠点（旧VBL） | 電界誘起酸素エッチングによるナノ突起エミッタの形成過程の検証 ○若本 実・永井滋一・岩田達夫・梶原和夫・畑 浩一（三重大） ED2016-54 |
集束イオンビーム装置に搭載されている液体金属イオン源は、照射イオンによる試料汚染と色収差によるビーム径の拡がりの問題を持... [more] | ED2016-54 pp.51-56 |
| ED | 2016-10-26 11:25 |
三重 | 三重大学 新産業創成研究拠点（旧VBL） | 炭素系材料からの電子放出の機構解明の試み ～ アーク炭素膜とC60分子からの電界放出計測を通じて ～ ○佐々木正洋・山田洋一・樋口敏春・麻薙 健・安達 学・西山裕二・明神拓真（筑波大） ED2016-55 |
炭素系材料から、しばしば、その仕事関数、幾何形状で予想されるよりも遥かに低い電界で電子放出が観測されることがあるが、その... [more] | ED2016-55 pp.57-62 |
| ED | 2016-10-26 11:50 |
三重 | 三重大学 新産業創成研究拠点（旧VBL） | CdTe/CdS光電変換膜の耐放射線性評価 ○増澤智昭・根尾陽一郎（静岡大）・後藤康仁（京大）・岡本 保（木更津高専）・長尾昌善（産総研）・佐藤信浩（京大）・秋吉優史（阪府大）・高木郁二（京大）・三村秀典（静岡大） ED2016-56 |
福島第一原発の廃炉に向けて，高い放射線耐性を持つ撮像素子の開発が求められている．本研究では耐放射線FEA撮像素子に組み込... [more] | ED2016-56 pp.63-66 |
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