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電子部品・材料研究会 (CPM) (検索条件: 2011年度)
「from:2011-10-26 to:2011-10-26」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM | 2011-10-26 13:00 |
福井 | 福井大学 産学官連携本部研修室 | 複合ターゲットを用いた反応性スパッタリング法によるCuAlO2薄膜の作製と構造評価 ○横本拓也・前田洋輔・宮澤 匠・山上朋彦・阿部克也（信州大）  CPM2011-109 |
複合ターゲットを用いた反応性スパッタリング法を用いてCuAlO2薄膜の作製と構造評価を行った。 本研究での複合ターゲッ... [more] |
CPM2011-109 pp.1-4 |
| CPM | 2011-10-26 13:25 |
福井 | 福井大学 産学官連携本部研修室 | 低電圧駆動フレキシブル有機EL素子のためのITO薄膜の検討 ○劉 暢・松井博章・木伏貴映・清水英彦・岩野春男・福嶋康夫・永田向太郎・坪井 望・野本隆宏（新潟大） CPM2011-110 |
本研究では，PENやアクリルなどのプラスチック基板上に，様々な条件でITO膜を作製するとともに，有機EL素子に及ぼす影響... [more] | CPM2011-110 pp.5-9 |
| CPM | 2011-10-26 13:50 |
福井 | 福井大学 産学官連携本部研修室 | RF-DC結合形スパッタ法による室温成膜AZO薄膜の特性 ○樫出 淳・名越克仁・富口祐輔・清水英彦・岩野春男・川上貴浩・永田向太郎・福嶋康夫・坪井 望・野本隆宏（新潟大） CPM2011-111 |
本研究では，低電圧でのスパッタが可能なRF-DC結合形スパッタ法（低電圧スパッタ法）に注目し，この方法により室温にてAZ... [more] | CPM2011-111 pp.11-15 |
| CPM | 2011-10-26 14:30 |
福井 | 福井大学 産学官連携本部研修室 | Bi2Sr2CaCu2Oxスタックからのテラヘルツ波検出法に関する研究 ○加藤孝弘・浅野武史・須永 悟（長岡技科大）・川上 彰（NICT）・安井寛治・濱崎勝義（長岡技科大） CPM2011-112 |
[more] | CPM2011-112 pp.17-22 |
| CPM | 2011-10-26 14:55 |
福井 | 福井大学 産学官連携本部研修室 | MOVPE法による中間組成域n-InAlN/p-InGaNヘテロ接合の作製 ○堀田 徹・杉田憲一・A. G. Bhuiyan・橋本明弘・山本あき勇（福井大） CPM2011-113 |
InGaNとInAlNによるヘテロ構造デバイス作製にむけて、MOVPE法を用いて単層でのInAlN、InGaNの成長条件... [more] | CPM2011-113 pp.23-26 |
| CPM | 2011-10-26 15:20 |
福井 | 福井大学 産学官連携本部研修室 | MOCVD法によるInGaN膜を被覆した高耐食性固体高分子形燃料電池用ステンレス鋼板製セパレータ ○嶋橋政徳（アイテック）・松井和也（福井大）・岡田晃治（アイテック）・杉田憲一（福井大）・佐々木 肇（アイテック）・山本アキ勇（福井大） CPM2011-114 |
固体高分子形燃料電池用金属セパレータとして、InGaN膜を被覆したステンレス鋼（SUS）板の適用を初めて検討した。MOC... [more] | CPM2011-114 pp.27-30 |
| CPM | 2011-10-26 16:00 |
福井 | 福井大学 産学官連携本部研修室 | 光化学堆積法による新たな混晶半導体CuxZnyS薄膜の作製 ○満 都拉・市村正也（名工大） CPM2011-115 |
[more] | CPM2011-115 pp.31-36 |
| CPM | 2011-10-26 16:25 |
福井 | 福井大学 産学官連携本部研修室 | 遷移金属を含有した低純度Si基板を用いた太陽電池の試作 ○武田大樹・都築 暁・籾山克章・鹿又健作・鈴木貴彦・廣瀬文彦（山形大） CPM2011-116 |
Si太陽電池のコスト削減のために、低コスト材料である低純度Siの利用が期待されている。本研究では、低純度Siの利用を想定... [more] | CPM2011-116 pp.37-39 |
| CPM | 2011-10-26 16:50 |
福井 | 福井大学 産学官連携本部研修室 | NiSi相の形成とCuコンタクトへの適用 ○武山真弓・佐藤 勝・野矢 厚（北見工大） CPM2011-117 |
[more] | CPM2011-117 pp.41-45 |
| CPM | 2011-10-27 09:30 |
福井 | 福井大学 産学官連携本部研修室 | SiCコーティングしたグラファイト触媒を用いたSiC薄膜の作製 ○坂口優也・牛草遼平・周 澤宇・山上朋彦・阿部克也（信州大） CPM2011-118 |
SiCコーティンググラファイト触媒を用いたHW-CVD法により、p-Si(001)及びガラス基板上へのSiC薄膜の低温形... [more] | CPM2011-118 pp.47-50 |
| CPM | 2011-10-27 09:55 |
福井 | 福井大学 産学官連携本部研修室 | TEOSを原料とするCVD法によるSiO2/SiC MOS構造の作製 ○逸見充則・井口裕哉・酒井崇史・杉田暁彦・山上朋彦・林部林平・上村喜一（信州大） CPM2011-119 |
TEOSを使用した熱CVD法により、SiC表面に酸化膜を堆積させた。酸化膜堆積後、N$_2$雰囲気中でアニールを行い、さ... [more] | CPM2011-119 pp.51-54 |
| CPM | 2011-10-27 10:20 |
福井 | 福井大学 産学官連携本部研修室 | MOVPE法によるSi(111)基板上への中間組成InGaN膜の成長 ○三原章宏・杉田憲一・Ashraful G. Bhuiyan・橋本明弘・山本あき勇（福井大）・渡邉則之・重川直輝（NTT） CPM2011-120 |
InGaN/Siタンデム太陽電池では、InGaNのIn組成が0.45の場合、両サブセルの電流整合が実現されるとともに、n... [more] | CPM2011-120 pp.55-58 |
| CPM | 2011-10-27 10:45 |
福井 | 福井大学 産学官連携本部研修室 | NH3分解触媒を用いたInNのMOVPE成長 ○廣長大造・杉田憲一・A.g. Bhuiyan・橋本明弘・山本あき勇（福井大） CPM2011-121 |
NH3 を窒素源とするInNのMOVPE成長において、NH3の分解率向上のためにPt触媒の導入を提案し検討した。Pt触媒... [more] | CPM2011-121 pp.59-62 |
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