研究会 - 電子部品・材料研究会 (CPM)

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電子部品・材料研究会 (CPM) (検索条件: 2006年度)

「from:2006-10-05 to:2006-10-05」による検索結果

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講演検索結果

登録講演（開催プログラムが公開されているもの） （日付・昇順）

研究会	発表日時	開催地		タイトル・著者	抄録	資料番号
ED, CPM, LQE (共催)	2006-10-05 13:00	京都	京都大学	X帯40W出力 AlGaN/GaN HEMTの開発 ○柏原　康・増田和俊・松下景一・桜井博幸・高塚眞治・高木一考・川崎久夫・高田賢治・津田邦男（東芝）	我々はＸ帯アプリケション向けにAlGaN/GaN HEMTを開発している。ゲート幅11.52mmのAlGaN/GaN H... [more]	ED2006-152 CPM2006-89 LQE2006-56 pp.1-5
ED, CPM, LQE (共催)	2006-10-05 13:25	京都	京都大学	AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化 ○中田　健・川崎　健・松田慶太・五十嵐武司・八重樫誠司（ユーディナデバイス）	AlGaN/GaN HEMTは電子濃度・移動度が大きく絶縁破壊電界が高い為ために、低オン抵抗・高耐圧特性を実現するパワー... [more]	ED2006-153 CPM2006-90 LQE2006-57 pp.7-12
ED, CPM, LQE (共催)	2006-10-05 13:50	京都	京都大学	Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性 ○大来英之・見田充郎・佐野芳明・丸井俊治・伊藤正紀・星　真一・戸田典彦・関　昇平（OKI）・江川孝志（名工大）	[more]	ED2006-154 CPM2006-91 LQE2006-58 pp.13-18
ED, CPM, LQE (共催)	2006-10-05 14:15	京都	京都大学	SiC基板上AlGaN/GaN HEMTの結晶成長に関する研究 ○岩崎天彦・石川博康・江川孝志（名工大）	AlGaN/GaN HEMTは次世代の高出力・高周波デバイスとして期待されている。今回、電子移動度の向上を目的としMOC... [more]	ED2006-155 CPM2006-92 LQE2006-59 pp.19-22
ED, CPM, LQE (共催)	2006-10-05 14:40	京都	京都大学	擬似スーパージャンクション構造を有するＧａＮ縦型ショットキーバリアダイオード ○中澤一志・上野弘明・松尾尚慶・柳原　学・上本康裕・上田哲三・田中　毅（松下電器）	窒化ガリウム（GaN）は、高い絶縁破壊電界と高移動度を有し、次世代ハイパワーデバイス用途に有望な材料である。パワースイッ... [more]	ED2006-156 CPM2006-93 LQE2006-60 pp.23-27
ED, CPM, LQE (共催)	2006-10-05 15:20	京都	京都大学	窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御 ○木村　健・小谷淳二・加藤寛樹・田島正文・小川恵理・水江千帆子・橋詰　保（北大）	[more]	ED2006-157 CPM2006-94 LQE2006-61 pp.29-34
ED, CPM, LQE (共催)	2006-10-05 15:45	京都	京都大学	XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価 ○小野島紀夫・東脇正高（NICT）・須田　淳・木本恒暢（京大）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT）	SiN保護膜(パッシベーション)の有無におけるAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ(HFET)のAlGaN表... [more]	ED2006-158 CPM2006-95 LQE2006-62 pp.35-38
ED, CPM, LQE (共催)	2006-10-05 16:10	京都	京都大学	マイクロラマン分光によるAlGaN/GaN HFET高電圧動作時の温度分布解析 ○小坂賢一・藤嶌辰也（立命館大）・井上　薫（素子協）・檜木啓宏（立命館大）・山田朋幸・土屋忠厳・城川潤二郎・神谷慎一（素子協）・鈴木　彰（立命館大/素子協）・荒木　努・名西ヤスシ（立命館大）	[more]	ED2006-159 CPM2006-96 LQE2006-63 pp.39-43
ED, CPM, LQE (共催)	2006-10-05 16:35	京都	京都大学	ECR-MBE法によるSi基板上GaN薄膜作製への窒素プラズマが及ぼす影響 ○淀　徳男・白石雄起・平田清隆・富田博之・西江紀明・堀部裕明・岩田圭吾・原田義之（阪工大）	[more]	ED2006-160 CPM2006-97 LQE2006-64 pp.45-49
ED, CPM, LQE (共催)	2006-10-06 09:30	京都	京都大学	470及び400 nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価 ○小島一信・船戸　充・川上養一（京大）・ウルリヒ T シュワルツ・ハラルドブラウン（レーゲンスブルグ大）・長濱慎一・向井孝志（日亜化学）	[more]	ED2006-161 CPM2006-98 LQE2006-65 pp.51-55
ED, CPM, LQE (共催)	2006-10-06 09:55	京都	京都大学	半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価 ○上田雅也・小島一信・船戸　充・川上養一（京大）・成川幸男・向井孝志（日亜化学）	半極性{11-22}GaN基板上にGaNおよびInGaN/GaN多重量子井戸(MQW)を有機金属気相成長し，その光学特性... [more]	ED2006-162 CPM2006-99 LQE2006-66 pp.57-61
ED, CPM, LQE (共催)	2006-10-06 10:20	京都	京都大学	Si(111)基板上GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムを用いた光通信波長帯光検出器の作製 ○内田裕行（上智大）・菊池昭彦・岸野克巳（上智大/JST）	GaN/AlN多重量子構造によるサブバンド間遷移(Intersubbabnd transition：ISBT)はフェムト... [more]	ED2006-163 CPM2006-100 LQE2006-67 pp.63-67
ED, CPM, LQE (共催)	2006-10-06 11:00	京都	京都大学	MOVPE成長GaN薄膜の高密度励起条件における励起子非弾性散乱過程による発光特性 ○中山正昭・田中浩康（阪市大）・安藤雅信・上村俊也（豊田合成）	[more]	ED2006-164 CPM2006-101 LQE2006-68 pp.69-73
ED, CPM, LQE (共催)	2006-10-06 11:25	京都	京都大学	InGaN微小バルク結晶からの電子線励起発光の特徴 ○蟹江　壽・瀬間勇二（東京理科大）	[more]	ED2006-165 CPM2006-102 LQE2006-69 pp.75-78
ED, CPM, LQE (共催)	2006-10-06 11:50	京都	京都大学	電流注入発光寿命によるGan系LEDにおける内部量子効率の評価 ○財満康太郎（東芝）・成田哲生（名大）・斎藤真司・橘　浩一・名古　肇・波多腰玄一・布上真也（東芝）	InGaN量子井戸を活性層とする発光ダイオード(Light Emitting Diode, LED)を試料として、電流注... [more]	ED2006-166 CPM2006-103 LQE2006-70 pp.79-82
ED, CPM, LQE (共催)	2006-10-06 13:15	京都	京都大学	有機金属気相成長法によるGaN系ユニポーラUV LEDの製作 ○小林俊章・小宮山重利・増山佳宏・本田　徹（工学院大）	[more]	ED2006-167 CPM2006-104 LQE2006-71 pp.83-86
ED, CPM, LQE (共催)	2006-10-06 13:40	京都	京都大学	様々な基板上への紫外発光素子の作製と評価 ○渡邉浩崇・飯田一喜・竹田健一郎・永松謙太郎・住井隆文・永井哲也・クリシュナンバラクリシュナン・岩谷素顕・上山　智・天野　浩・赤崎　勇（名城大）・坂東　章（昭和電工）	[more]	ED2006-168 CPM2006-105 LQE2006-72 pp.87-92
ED, CPM, LQE (共催)	2006-10-06 14:05	京都	京都大学	CS-MBD法によるGaN薄膜の製作におけるパルス状原料供給 ○新井雅俊・杉本浩一・江川慎一・馬場太一・澤田　勝・本田　徹（工学院大）	パルス状原料供給を行った化合物原料分子線堆積（CS-MBD）法を用いてGaN薄膜の製作を行った．パルス状原料供給により，... [more]	ED2006-169 CPM2006-106 LQE2006-73 pp.93-96
ED, CPM, LQE (共催)	2006-10-06 14:30	京都	京都大学	ジメチルヒドラジンを窒素源に用いたGaNのマスクレスELO成長 ○清水　順・瀧澤俊幸・上田哲三（松下電器）	[more]	ED2006-170 CPM2006-107 LQE2006-74 pp.97-101
ED, CPM, LQE (共催)	2006-10-06 14:55	京都	京都大学	GaN/InAlN/GaNヘテロ障壁型可変容量ダイオード ○田沼伸久・久保田　稔・鷹野致和（明星大）	ミリ波周波数逓培器用の素子としてヘテロ障壁型可変容量ダイオード(HBV)が注目されている．これまで障壁層にはGaAs系の... [more]	ED2006-171 CPM2006-108 LQE2006-75 pp.103-106

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