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電子部品・材料研究会 (CPM)  (検索条件: 2017年度)

「from:2017-05-25 to:2017-05-25」による検索結果

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講演検索結果
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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ED, CPM
(共催)
2017-05-25
13:30
愛知 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) フレキシブル基板上室内用有機薄膜太陽電池の作製と評価
川松祐介伊藤瑞起加藤慎也曽我哲夫岸 直希名工大ED2017-15 CPM2017-1 SDM2017-9
IoTの普及において、センサ群の電源確保が課題となっている。我々はその解決策として室内光を用いた発電に着目し、その中でも... [more] ED2017-15 CPM2017-1 SDM2017-9
pp.1-5
SDM, ED, CPM
(共催)
2017-05-25
13:55
愛知 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) 真空蒸着法によるSnS堆積に関する研究
高野 泰菅沼幸雄静岡大ED2017-16 CPM2017-2 SDM2017-10
 [more] ED2017-16 CPM2017-2 SDM2017-10
pp.7-10
SDM, ED, CPM
(共催)
2017-05-25
14:20
愛知 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) 電気化学堆積法によるNiO薄膜の作製
古山実季市村正也名工大ED2017-17 CPM2017-3 SDM2017-11
 [more] ED2017-17 CPM2017-3 SDM2017-11
pp.11-16
SDM, ED, CPM
(共催)
2017-05-25
14:45
愛知 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) ドロップ光化学堆積法によるn型AlOx薄膜の作製
梅村将成市村正也名工大ED2017-18 CPM2017-4 SDM2017-12
AlOxは大きなバンドギャップから可視光に対して透明であり、化学的、熱的に安定な物質である。本研究室より、基板に溶液を滴... [more] ED2017-18 CPM2017-4 SDM2017-12
pp.17-22
SDM, ED, CPM
(共催)
2017-05-25
15:25
愛知 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) 電気化学堆積法によるCu添加p型Fe-O薄膜半導体の作製
小林悟史市村正也名工大ED2017-19 CPM2017-5 SDM2017-13
 [more] ED2017-19 CPM2017-5 SDM2017-13
pp.23-28
SDM, ED, CPM
(共催)
2017-05-25
15:50
愛知 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) 多モード干渉を用いた表面プラズモン論理回路の開発
渡邊 領太田 雅菊地裕大平野智裕石井佑弥福田光男豊橋技科大ED2017-20 CPM2017-6 SDM2017-14
近年,表面プラズモンポラリトン(SPP)を信号キャリアとする,論理演算技術が報告され始めている.これまでに我々は,Au膜... [more] ED2017-20 CPM2017-6 SDM2017-14
pp.29-32
SDM, ED, CPM
(共催)
2017-05-25
16:15
愛知 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) ボウタイ型金属導波路を用いたプラズモニック保持回路の開発
古木崇裕太田 雅石井佑弥福田光男豊橋技科大ED2017-21 CPM2017-7 SDM2017-15
近年,光を用いた高速情報処理システムの研究が進められている.我々は,伝播光の回折限界を超える領域へ集光可能な表面プラズモ... [more] ED2017-21 CPM2017-7 SDM2017-15
pp.33-37
SDM, ED, CPM
(共催)
2017-05-25
16:40
愛知 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) 表面プラズモンポラリトンを用いた合分波器および信号反転器の開発
中山昂太郎住村あさひ外岡悠汰太田 雅石井佑弥福田光男豊橋技科大ED2017-22 CPM2017-8 SDM2017-16
近年,表面プラズモンポラリトン(SPP)を信号キャリアとする高密度集積可能な光電子集積回路の研究が報告され始めている.こ... [more] ED2017-22 CPM2017-8 SDM2017-16
pp.39-44
SDM, ED, CPM
(共催)
2017-05-26
09:30
愛知 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) GaSb/Si(111)-√3×√3-Ga表面相上へのInGaSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長
モハマド モンズール・○森 雅之下山浩哉前澤宏一富山大ED2017-23 CPM2017-9 SDM2017-17
 [more] ED2017-23 CPM2017-9 SDM2017-17
pp.45-49
SDM, ED, CPM
(共催)
2017-05-26
09:55
愛知 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) 水溶液浸漬による4H-SiC(0001)Si面における表面再結合の抑制
加藤正史市川義人市村正也名工大)・木本恒暢京大ED2017-24 CPM2017-10 SDM2017-18
表面再結合はバイポーラSiCデバイスおよびSiC光触媒の性能に影響する因子の一つであるが、その速度を制御する手法は十分に... [more] ED2017-24 CPM2017-10 SDM2017-18
pp.51-54
SDM, ED, CPM
(共催)
2017-05-26
10:20
愛知 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) GaN基板上GaNエピ層のマイクロ波光導電減衰法による評価
浅田貴斗市川義人名工大)・伊藤健治冨田一義成田哲生豊田中研)・加地 徹名大)・加藤正史名工大ED2017-25 CPM2017-11 SDM2017-19
 [more] ED2017-25 CPM2017-11 SDM2017-19
pp.55-58
SDM, ED, CPM
(共催)
2017-05-26
10:45
愛知 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) N-polar GaN MIS-HEMTs with Flat Interface Grown by Optimized MOVPE
Kiattiwut PrasertsukTomoyuki TanikawaTakeshi KimuraShigeyuki KuboyaTetsuya SuemitsuTakashi MatsuokaTohoku Univ.ED2017-26 CPM2017-12 SDM2017-20
 [more] ED2017-26 CPM2017-12 SDM2017-20
pp.59-64
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