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電子部品・材料研究会 (CPM) (検索条件: 2016年度)
「from:2016-05-19 to:2016-05-19」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2016-05-19 13:00 |
静岡 | 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) | ドライ転写技術によるナノキャビティ上へのCVD単層グラフェンダイアフラムの製作 ○石田隼斗・石田 誠（豊橋技科大）・澤田和明・高橋一浩（豊橋技科大/豊橋技科大EIIRIS）  ED2016-13 CPM2016-1 SDM2016-18 |
近年CVDグラフェンを任意基板上に転写する技術に関する研究は盛んに行われている。本研究では、グラフェンの共振器デバイスへ... [more] | ED2016-13 CPM2016-1 SDM2016-18 pp.1-4 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2016-05-19 13:25 |
静岡 | 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) | 熱化学気相成長法による合金基板上へのグラフェン合成 ○岸 直希・岩間一樹・水谷拓哉・加藤慎也・曽我哲夫（名工大） ED2016-14 CPM2016-2 SDM2016-19 |
グラフェンの熱化学気相成長法による合成では、その層数や質は基板に用いる金属の種類に依存することが知られている。これまでに... [more] | ED2016-14 CPM2016-2 SDM2016-19 pp.5-8 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2016-05-19 13:50 |
静岡 | 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) | ZnO nanostructures for the fabrication of photoanode towards energy applications ○Mani Navaneethan・Jayaram Archana・Santhana Harish・Tadanobu Koyama・Hiroya Ikeda・Yasuhiro Hayakawa（Shizuoka Univ.） ED2016-15 CPM2016-3 SDM2016-20 |
[more] | ED2016-15 CPM2016-3 SDM2016-20 pp.9-14 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2016-05-19 14:15 |
静岡 | 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) | ZnOナノ構造を用いたフレキシブル材料の熱電特性評価 ○和波雅也・セルバラジ シャンティ・鈴木悠平・ベルスワミィ パンディヤラサン（静岡大）・ファイズ サレ（マラヤ大）・下村 勝・村上健司・池田浩也（静岡大） ED2016-16 CPM2016-4 SDM2016-21 |
高効率ウェアラブル発電デバイスのためのフレキシブル熱電変... [more] | ED2016-16 CPM2016-4 SDM2016-21 pp.15-18 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2016-05-19 15:00 |
静岡 | 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) | 絶縁ゲート型トランジスタに向けた絶縁体/窒化物半導体界面形成プロセスの検討 ○近藤佑隆・篠原正俊・彦坂朋輝・馬場真人・岡田 浩・関口寛人・山根啓輔・若原昭浩（豊橋技科大） ED2016-17 CPM2016-5 SDM2016-22 |
[more] | ED2016-17 CPM2016-5 SDM2016-22 pp.19-23 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2016-05-19 15:25 |
静岡 | 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) | ダイヤモンドショットキーバリアダイオードによるレクテナ回路の作製 ○河野直士・嘉数 誠・大石敏之（佐賀大） ED2016-18 CPM2016-6 SDM2016-23 |
[more] | ED2016-18 CPM2016-6 SDM2016-23 pp.25-28 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2016-05-19 15:50 |
静岡 | 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) | パリレン薄膜を用いたアルミサブ波長格子によるプラズモニックカラーシートの製作 ○熊谷隼人（豊橋技科大）・本間浩章（豊橋技科大/学振）・石田 誠・澤田和明（豊橋技科大/豊橋技科大EIIRIS）・高橋一浩（豊橋技科大） ED2016-19 CPM2016-7 SDM2016-24 |
本研究は、フレキシブルな光透過フィルタを目的として、アルミサブ波長格子を内部に埋め込んだ自立構造を有する薄膜プラズモニッ... [more] | ED2016-19 CPM2016-7 SDM2016-24 pp.29-34 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2016-05-19 16:15 |
静岡 | 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) | セリウム置換イットリウム鉄ガーネットを用いた近赤外波長域用磁性フォトニック結晶の形成に関する研究 ○吉本拓矢・後藤太一・高木宏幸・中村雄一・内田裕久・井上光輝（豊橋技科大） ED2016-20 CPM2016-8 SDM2016-25 |
セリウム置換イットリウム鉄ガーネット（Cerium substituted yttrium iron garnet, C... [more] | ED2016-20 CPM2016-8 SDM2016-25 pp.35-38 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2016-05-20 09:30 |
静岡 | 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) | EDTAを錯化剤に用いた溶液成長法によるSnS薄膜堆積 ○神田祐作・高野 泰・石田明広（静岡大） ED2016-21 CPM2016-9 SDM2016-26 |
溶液成長法によりスライドガラス上にSnS薄膜を堆積させた。溶液は、塩化スズ、アセトン、エチレンジアミン四酢酸(EDTA)... [more] | ED2016-21 CPM2016-9 SDM2016-26 pp.39-42 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2016-05-20 09:55 |
静岡 | 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) | 光化学堆積法による透明なp型半導体薄膜CuxZnySの熱処理 ○トン バインガルディ・市村正也（名工大） ED2016-22 CPM2016-10 SDM2016-27 |
Zn-richなCuxZnySはp型で透明な半導体である。本研究では光化学堆積法によりCuxZnyS薄膜を作製し、熱処理... [more] | ED2016-22 CPM2016-10 SDM2016-27 pp.43-46 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2016-05-20 10:20 |
静岡 | 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) | Evaluation of electrical properties of HfS2 thin flakes obtained by mechanical exfoliation ○Vikrant Upadhyaya・Toru Kanazawa・Yasuyuki Miyamoto（TokyoTech） ED2016-23 CPM2016-11 SDM2016-28 |
[more] | ED2016-23 CPM2016-11 SDM2016-28 pp.47-50 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2016-05-20 11:05 |
静岡 | 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) | Si(111)-√3×√3－Ga表面相上へのGaSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長 下山浩哉・○森 雅之・前澤宏一（富山大） ED2016-24 CPM2016-12 SDM2016-29 |
Si(111)基板上のGa誘起表面再構成構造（Si(111)-√3×√3-Ga）を介したSi(111)基板上へのGaSb... [more] | ED2016-24 CPM2016-12 SDM2016-29 pp.51-54 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2016-05-20 11:30 |
静岡 | 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) | Gravity effect on the properties of InxGa1-xSb ternary alloys grown at the International Space Station ○Velu NirmalKumar（Shizuoka Univ）・Mukannan Arivanandhan（Anna Univ）・Govindasamy Rajesh・Tadanobu Koyama・Yoshimi Momose（Shizuoka Univ）・Kaoruho Sakata（Univ.Tokyo）・Tetsuo Ozawa（Shizuoka Insti.Sci.&Tech.）・Yasunori Okano（OsakaUniv.）・Yuko Inatomi（JAXA）・Yasuhiro Hayakawa（Shizuoka Univ） ED2016-25 CPM2016-13 SDM2016-30 |
[more] | ED2016-25 CPM2016-13 SDM2016-30 pp.55-59 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2016-05-20 11:55 |
静岡 | 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) | III-V/Siヘテロエピタキシーのための界面制御 ○山根啓輔・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2016-26 CPM2016-14 SDM2016-31 |
本稿では、GaP/SiヘテロエピタキシーのためのSi基板上第一原子層の形成行程に着目し、Si基板の表面状態とGaP成長層... [more] | ED2016-26 CPM2016-14 SDM2016-31 pp.61-65 |
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