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電子部品・材料研究会 (CPM) (検索条件: 2015年度)
「from:2015-11-26 to:2015-11-26」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 10:30 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | RF窒素プラズマを用いた表面窒化によるα-(AlGa)2O3上AlGaN形成に関する検討 ○荒木 努・武馬 輝・増田 直・名西やす之（立命館大）・織田真也・人羅俊実（FLOSFIA）  ED2015-68 CPM2015-103 LQE2015-100 |
[more] | ED2015-68 CPM2015-103 LQE2015-100 pp.1-4 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 10:55 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | 微傾斜角度の異なるc面サファイア基板上へのAlN成長とN2-COアニール ○鈴木周平・林 家弘・三宅秀人・平松和政（三重大）・福山博之（東北大） ED2015-69 CPM2015-104 LQE2015-101 |
AlNはワイドギャップ半導体で，熱及び化学的特性が安定であることから，深紫外光デバイス材料として注目されている．高効率な... [more] | ED2015-69 CPM2015-104 LQE2015-101 pp.5-9 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 11:20 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | AlN/Sapphire基板を用いたRF加熱式HVPEによるAlN成長 ○安井大貴・三宅秀人・平松和政（三重大）・岩谷素顕・赤崎 勇（名城大）・天野 浩（名大） ED2015-70 CPM2015-105 LQE2015-102 |
AlN（窒化アルミニウム）はワイドバンドギャップ半導体であり，熱及び化学的特性が安定であることから，深紫外域の発光・受光... [more] | ED2015-70 CPM2015-105 LQE2015-102 pp.11-14 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 11:45 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | 酸性アモノサーマル法合成GaN種結晶上にハイドライド気相エピタキシャル成長させたm面自立GaN基板の電気的・光学的特性 ○小島一信（東北大）・塚田悠介（三菱化学）・古川えりか・斉藤 真（東北大）・三川 豊・久保秀一・池田宏隆・藤戸健史（三菱化学）・上殿明良（筑波大）・秩父重英（東北大） ED2015-71 CPM2015-106 LQE2015-103 |
[more] | ED2015-71 CPM2015-106 LQE2015-103 pp.15-19 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 13:10 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | ホール効果測定による低濃度Mgドープp型GaNの正孔キャリア密度および移動度の解析 ○堀田昌宏（京大）・高島信也・田中 亮・松山秀昭・上野勝典・江戸雅晴（富士電機）・須田 淳（京大） ED2015-72 CPM2015-107 LQE2015-104 |
低濃度Mgドープp型GaN (Mg濃度$6.5times 10^{16}~mbox{cm}^{-3}$)に対してホール効... [more] | ED2015-72 CPM2015-107 LQE2015-104 pp.21-25 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 13:35 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | ホール効果測定によるホモエピタキシャル成長低Siドープn型GaNの電気的特性評価 ○澤田直暉（京大）・成田哲生・加地 徹・上杉 勉（豊田中研）・堀田昌宏・須田 淳（京大） ED2015-73 CPM2015-108 LQE2015-105 |
[more] | ED2015-73 CPM2015-108 LQE2015-105 pp.27-32 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 14:00 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | ホモエピタキシャル成長n型GaNショットキーバリアダイオードの光電流の波長依存性 ○前田拓也（京大）・岡田政也・山本喜之・上野昌紀（住友電工）・堀田昌宏・須田 淳（京大） ED2015-74 CPM2015-109 LQE2015-106 |
[more] | ED2015-74 CPM2015-109 LQE2015-106 pp.33-37 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 14:25 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | 1.6kV大電流GaNトレンチ型ハイブリッドジャンクションダイオードの開発 ○梶谷 亮・半田浩之・宇治田信二・柴田大輔・小川雅弘・田中健一郎・石田秀俊・田村聡之・石田昌宏・上田哲三（パナソニック） ED2015-75 CPM2015-110 LQE2015-107 |
低立ち上がり電圧・大電流を有するGaNトレンチ型ハイブリッドジャンクションダイオード（THD: Trench Hybri... [more] | ED2015-75 CPM2015-110 LQE2015-107 pp.39-42 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 15:05 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | ［招待講演］AlNテンプレート上Si添加高AlNモル分率AlxGa1-xN多重量子井戸の時間空間分解陰極線蛍光分光評価 ○秩父重英（東北大）・三宅秀人・平松和政（三重大） ED2015-76 CPM2015-111 LQE2015-108 |
[more] | ED2015-76 CPM2015-111 LQE2015-108 pp.43-48 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 15:30 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | 光音響・発光同時計測法及び時間分解発光計測によるGaNの輻射・非輻射再結合寿命の測定 ○河上航平・中納 隆・山口敦史（金沢工大） ED2015-77 CPM2015-112 LQE2015-109 |
半導体の輻射・非輻射再結合寿命は、発光(PL)寿命とPL強度の温度変化から、極低温での内部量子効率(IQE)を100％と... [more] | ED2015-77 CPM2015-112 LQE2015-109 pp.49-52 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 15:55 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | 光音響・発光同時計測法を用いたGaNの内部量子効率の測定 ○中納 隆・河上航平・山口敦史（金沢工大） ED2015-78 CPM2015-113 LQE2015-110 |
窒化物半導体の内部量子効率は、発光 (PL)強度の温度依存性から、極低温における内部量子効率を100%と仮定して、求めら... [more] | ED2015-78 CPM2015-113 LQE2015-110 pp.53-58 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 16:30 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | 多波長励起発光分離法を用いたInGaN薄膜のラマン散乱分光 ○石戸亮祐・石井良太・船戸 充・川上養一（京大） ED2015-79 CPM2015-114 LQE2015-111 |
共鳴ラマン散乱分光法は，発光素子の活性層の評価法として高いポテンシャルを有している．しかし，ラマン信号に発光スペクトルが... [more] | ED2015-79 CPM2015-114 LQE2015-111 pp.59-62 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 16:55 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | アルミニウムを用いたプラズモニクスの発光増強応用 ○岡本晃一・立石和隆・川元 駿・西田知句・玉田 薫（九大）・船戸 充・川上養一（京大） ED2015-80 CPM2015-115 LQE2015-112 |
プラズモニクスの利用は，高効率発光ダイオード（LED）の発光効率を改善する有効な方法のひとつである．我々は2004年に，... [more] | ED2015-80 CPM2015-115 LQE2015-112 pp.63-68 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-27 10:00 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | 伝導型の違いからみたGaN中プラズマ照射誘起欠陥の挙動解明 ○古賀祐介・中村成志・奥村次徳（首都大東京） |
[more] | |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-27 10:25 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | Temperature-controlled atomic layer deposition of GaN using plasma-excited nitrogen source ○P.Pungboon Pansila・Kensaku Kanomata・Bashir Ahammad・Shigeru Kubota・Fumihiko Hirose（Yamagata Univ） ED2015-81 CPM2015-116 LQE2015-113 |
[more] | ED2015-81 CPM2015-116 LQE2015-113 pp.69-72 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-27 10:50 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | Interface analysis of Ti/Al-based ohmic contact on AlGaN/GaN structure grown on GaN substrate ○Dariush H. Zadeh・Tanabe Shinichi・Watanabe Noriyuki・Matsuzaki Hideaki（NTT） |
[more] | |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-27 11:15 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | ALDにより成膜したHfO2を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの界面準位とデバイス特性 ○西野剛介・久保俊晴・江川孝志（名工大） ED2015-82 CPM2015-117 LQE2015-114 |
AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク電流を抑えるためには、ゲート部分を金属/絶縁膜/半導体(MIS)とした構造が有... [more] | ED2015-82 CPM2015-117 LQE2015-114 pp.73-76 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-27 11:40 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造における縦方向リーク電流の初期AlN層依存性 ○山岡優哉（大陽日酸）・伊藤和宏（名工大）・生方映徳・田渕俊也・松本 功（大陽日酸）・江川孝志（名工大） ED2015-83 CPM2015-118 LQE2015-115 |
本調査では、成長条件が異なる２種類のSi基板上AlNを製作し、scanning electron microscope(... [more] | ED2015-83 CPM2015-118 LQE2015-115 pp.77-80 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-27 13:05 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | GaN系THz-QCLの最近の進展 ○寺嶋 亘・平山秀樹（理研） ED2015-84 CPM2015-119 LQE2015-116 |
[more] | ED2015-84 CPM2015-119 LQE2015-116 pp.81-84 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-27 13:30 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | 無極性a面AlGaN/AlNの高温成長と深紫外発光特性 ○定 昌史・平山秀樹（理研） ED2015-85 CPM2015-120 LQE2015-117 |
[more] | ED2015-85 CPM2015-120 LQE2015-117 pp.85-88 |
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