お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催スケジュール
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
    [Japanese] / [English] 
研究会名/開催地/テーマ  )→
 
講演検索  検索語:  /  範囲:題目 著者 所属 抄録 キーワード )→

電子部品・材料研究会 (CPM)  (検索条件: 2014年度)

「from:2014-05-28 to:2014-05-28」による検索結果

[電子部品・材料研究会ホームページへ] 
講演検索結果
 登録講演(開催プログラムが公開されているもの)  (日付・昇順)
 29件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-28
10:50
愛知 名古屋大学VBL3階 GaInN/GaNヘテロ接合における緩和過程の転位密度依存性
石原耕史近藤保成松原大幸岩谷素顕上山 智竹内哲也名城大)・赤﨑 勇名城大/名大ED2014-18 CPM2014-1 SDM2014-16
GaInN/GaNヘテロ接合はLEDや半導体レーザ、さらには太陽電池など幅広い応用が可能である。これまで本ヘテロ接合の緩... [more] ED2014-18 CPM2014-1 SDM2014-16
pp.1-6
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-28
11:10
愛知 名古屋大学VBL3階 GaNSbのSb取り込みと表面形態に関する検討
小森大資笹島浩希鈴木智行竹内哲也上山 智岩谷素顕名城大)・赤崎 勇名城大/名大ED2014-19 CPM2014-2 SDM2014-17
窒化物半導体では成長温度の不一致と格子不整合により、広い組成範囲で高品質ヘテロ接合を形成するのが難しい。我々はSbを含む... [more] ED2014-19 CPM2014-2 SDM2014-17
pp.7-10
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-28
13:00
愛知 名古屋大学VBL3階 空気中で熱処理したTiN粉末の光触媒特性の評価
以西雅章山田良隆静岡大)・星 陽一東京工芸大ED2014-20 CPM2014-3 SDM2014-18
TiN粉末を空気中で熱処理して、その有機物分解能特性をメチレンブルーの分解特性で評価した。熱処理温度は、500、600、... [more] ED2014-20 CPM2014-3 SDM2014-18
pp.11-14
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-28
13:20
愛知 名古屋大学VBL3階 酸化チタンナノ構造の作製と色素増感太陽電池光電極への応用
岸 直希野崎雅之榊原将太都築拓也藤満新太曽我哲夫名工大ED2014-21 CPM2014-4 SDM2014-19
本稿では、真空蒸着法により成膜したチタン薄膜から形成した酸化チタンナノ細孔構造の作製とそれを光電極として用いた色素増感太... [more] ED2014-21 CPM2014-4 SDM2014-19
pp.15-18
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-28
13:40
愛知 名古屋大学VBL3階 マイクロ波表面波プラズマによるオールカーボンp-i-n太陽電池
ギミレ デリプスディープ アディカリ市村 進内田秀雄脇田紘一梅野正義中部大ED2014-22 CPM2014-5 SDM2014-20
 [more] ED2014-22 CPM2014-5 SDM2014-20
pp.19-26
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-28
14:00
愛知 名古屋大学VBL3階 LiMn2O4薄膜の生成条件の最適化
早川由洋以西雅章冨田靖正静岡大ED2014-23 CPM2014-6 SDM2014-21
 [more] ED2014-23 CPM2014-6 SDM2014-21
pp.27-32
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-28
14:35
愛知 名古屋大学VBL3階 積層界面数が異なる強磁性-強誘電複合体の電気磁気効果
岩水大樹籠宮 功柿本健一名工大ED2014-24 CPM2014-7 SDM2014-22
強磁性体と強誘電体を積層させた複合型の電気磁気効果材料は常温で高い出力を示すことが知られているが、各層の積層条件が電気磁... [more] ED2014-24 CPM2014-7 SDM2014-22
pp.33-34
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-28
14:55
愛知 名古屋大学VBL3階 パルスレーザー堆積法にてSrTiO3(100)基板上に作製したBiFe1-xMnxO3薄膜の結晶構造と電気的磁気的特性
稲葉隆哲・○岩田展幸渡部雄太大島佳祐高瀬浩一橋本拓也山本 寛日大ED2014-25 CPM2014-8 SDM2014-23
SrTiO3 (STO) (100)基板上に成膜したBiFeO3 (BFO)及びBiFe1-xMnxO3 (BFMO)... [more] ED2014-25 CPM2014-8 SDM2014-23
pp.35-40
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-28
15:15
愛知 名古屋大学VBL3階 超高密度ターゲットを用いたパルスレーザー堆積法によるFe系およびMn系ペロブスカイト型酸化物薄膜の作製
大島佳祐・○岩田展幸渡部雄太稲葉隆哲橋本拓也高瀬浩一山本 寛日大ED2014-26 CPM2014-9 SDM2014-24
LaFeO3 (LFO)およびCaFeOx (CFO)薄膜をパルスレーザ堆積(PLD)法により作製した。ターゲットは固相... [more] ED2014-26 CPM2014-9 SDM2014-24
pp.41-46
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-28
15:35
愛知 名古屋大学VBL3階 磁気抵抗メモリにおける電子散乱過程の第一原理シミュレーション
洗平昌晃名大)・山本貴博東京理科大)・白石賢二名大ED2014-27 CPM2014-10 SDM2014-25
磁気抵抗メモリは,不揮発性・高速動作・高書換え耐性というメモリに求められる全ての要素を併せ持っており,次世代のメモリデバ... [more] ED2014-27 CPM2014-10 SDM2014-25
pp.47-50
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-28
16:10
愛知 名古屋大学VBL3階 導波路を伝搬した表面プラズモン信号によるMOSFETの直流および交流動作
酒井宏基相原卓磨武田愛弓福原誠史太田 雅木村 優石井佑弥福田光男豊橋技科大ED2014-28 CPM2014-11 SDM2014-26
表面プラズモンポラリトン(SPP)は,回折限界の制約を超えた微小領域への光の局在を可能とするため,光電子集積回路(OEI... [more] ED2014-28 CPM2014-11 SDM2014-26
pp.51-54
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-28
16:30
愛知 名古屋大学VBL3階 表面波プラズマを用いたシリコン窒化膜の化学気相堆積とデバイス応用
川上恭平石丸貴博篠原正俊岡田 浩豊橋技科大)・古川雅一アリエースリサーチ)・若原昭浩関口寛人豊橋技科大ED2014-29 CPM2014-12 SDM2014-27
マイクロ波による表面波プラズマを応用した新しい化学気相堆積法を提案し、シリコン窒化膜の堆積を行った。ビス(ジメチルアミノ... [more] ED2014-29 CPM2014-12 SDM2014-27
pp.55-58
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-28
16:50
愛知 名古屋大学VBL3階 蒸気圧制御温度差液相成長法によるGaSe結晶の電気特性と差周波THz波発生特性
鈴木康平長井悠輝前田健作小山 裕東北大ED2014-30 CPM2014-13 SDM2014-28
ガリウムセレン(GaSe)結晶は高い複屈折性、広い透過波長範囲(0.6-20μm)と大きな非線形光学定数(d_{22} ... [more] ED2014-30 CPM2014-13 SDM2014-28
pp.59-63
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-29
09:00
愛知 名古屋大学VBL3階 窒化物系LED作製のレーザー加工による光取り出し効率向上の検討
花井 駿名城大)・鈴木敦志北野 司ELSEED)・飯田大輔加藤貴久竹内哲也岩谷素顕上山 智赤﨑 勇名城大ED2014-31 CPM2014-14 SDM2014-29
低コストでLEDデバイスを作製するには、個々のデバイスの間隔を狭くする必要がある。レーザーによるへき開のための溝形成は、... [more] ED2014-31 CPM2014-14 SDM2014-29
pp.65-68
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-29
09:20
愛知 名古屋大学VBL3階 酸素分光計測用760nm分布帰還形半導体レーザの開発
北島秀訓樋口 彰藤原淳志内藤秀幸前田純也浜松ホトニクスED2014-32 CPM2014-15 SDM2014-30
酸素分光計測用760nm帯分布帰還形半導体レーザ(DFBレーザ)において, 結晶構造・回折格子など素子構造の最適化により... [more] ED2014-32 CPM2014-15 SDM2014-30
pp.69-73
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-29
09:40
愛知 名古屋大学VBL3階 窒化物半導体LEDにおけるキャリア輸送への分極固定電荷の影響
勝野翔太林 健人安田俊輝岩谷素顕竹内哲也上山 智赤﨑 勇名城大)・天野 浩名大ED2014-33 CPM2014-16 SDM2014-31
窒化物半導体LEDにおけるキャリアオーバーフローの一因として、ヘテロ界面に誘起する分極電荷の影響が報告されている。本報告... [more] ED2014-33 CPM2014-16 SDM2014-31
pp.75-80
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-29
10:00
愛知 名古屋大学VBL3階 窒化物半導体HFET型紫外受光素子の火炎センサー応用
山本雄磨村瀬卓弥石黒真未山田知明岩谷素顕上山 智竹内哲也名城大)・赤﨑 勇名城大/名大ED2014-34 CPM2014-17 SDM2014-32
本研究では、ゲートにp型GaNを用いたAlGaN/AlNヘテロ構造電界効果トランジスタ型(HFET型)UV光センサーを作... [more] ED2014-34 CPM2014-17 SDM2014-32
pp.81-84
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-29
10:35
愛知 名古屋大学VBL3階 超狭帯域LED光源の開発とその皮膚医学応用
小笠原正弘ミニョンベルクリニック)・平尾 孝藤田静雄京大ED2014-35 CPM2014-18 SDM2014-33
 [more] ED2014-35 CPM2014-18 SDM2014-33
pp.85-90
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-29
10:55
愛知 名古屋大学VBL3階 絶縁ゲートGaAsナノワイヤFETのヒステリシス特性の評価と解析
黒田亮太殷 翔佐藤将来葛西誠也北大ED2014-36 CPM2014-19 SDM2014-34
SiNおよびAl2O3をゲート絶縁膜として絶縁ゲート型GaAsエッチングナノワイヤFETのヒステリシス特性とダイナミック... [more] ED2014-36 CPM2014-19 SDM2014-34
pp.91-96
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-29
11:15
愛知 名古屋大学VBL3階 AlN基板の表面処理とホモエピタキシャル成長
渡邉祥順三宅秀人平松和政三重大)・岩崎洋介JFEミネラルED2014-37 CPM2014-20 SDM2014-35
窒化アルミニウムは深紫外域の発光・受光デバイスや高出力・高周波パワーデバイスなどの基板として注目されている。近年のHVP... [more] ED2014-37 CPM2014-20 SDM2014-35
pp.97-100
 29件中 1~20件目  /  [次ページ]  
ダウンロード書式の初期値を指定してください NEW!!
テキスト形式 pLaTeX形式 CSV形式 BibTeX形式
著作権について : 以上の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会