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電子部品・材料研究会 (CPM) (検索条件: 2013年度)
「from:2013-11-28 to:2013-11-28」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 10:35 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | InGaN半導体レーザのワット級高出力化とその応用展開 ○萩野裕幸・左文字克哉・吉田真治・瀧川信一・森本 廉・瀧澤俊幸・春日井秀紀・山中一彦・片山琢磨（パナソニック）  ED2013-64 CPM2013-123 LQE2013-99 |
プロジェクタや車載照明などの固体光源への応用を想定し，ワット級の高い光出力が得られる青紫色半導体レーザアレイを開発した．... [more] | ED2013-64 CPM2013-123 LQE2013-99 pp.1-4 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 11:00 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | m面GaNの異方性ドライエッチングによるテクスチャーの形成とこれによるLED光取り出し効率の向上 ○藤田稔之・山田篤志・井上 彰・加藤 亮・横川俊哉（パナソニック） ED2013-65 CPM2013-124 LQE2013-100 |
[more] | ED2013-65 CPM2013-124 LQE2013-100 pp.5-9 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 11:25 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | 350nm紫外LED光取り出し効率改善に関する研究 ○中嶋 翼・竹田健一郎・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也・赤﨑 勇（名城大）・天野 浩（名大） ED2013-66 CPM2013-125 LQE2013-101 |
我々はITO/Al反射電極、レーザリフトオフ、シリコーン封止を組み合わせることで350nm紫外LED光取り出し効率改善を... [more] | ED2013-66 CPM2013-125 LQE2013-101 pp.11-16 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 11:50 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | 内部集光レーザを用いた窒化物半導体デバイス用基板のそり制御 ～ シリコン基板への応用 ～ ○青田奈津子・会田英雄・武田秀俊（並木精密宝石） ED2013-67 CPM2013-126 LQE2013-102 |
シリコン基板上への窒化物半導体のヘテロエピタキシャル成長においては、成膜中および成膜後に基板のそりが生じるため、基板のそ... [more] | ED2013-67 CPM2013-126 LQE2013-102 pp.17-20 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 13:30 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | 表面活性化ボンディング法により形成したSi/SiCヘテロ接合の電気特性 ○西田将太・梁 剣波・森本雅史・重川直輝（阪市大）・新井 学（新日本無線） ED2013-68 CPM2013-127 LQE2013-103 |
表面活性化ボンディング法（SAB法）により形成されたp+-Si/n-4H-SiCヘテロ接合（アニール処理なし、アニール処... [more] | ED2013-68 CPM2013-127 LQE2013-103 pp.21-25 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 13:55 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | 表面活性化ボンディング法によるタンデム太陽電池の作成 ○梁 剣波・西田将太・森本雅史・重川直輝（阪市大） ED2013-69 CPM2013-128 LQE2013-104 |
[more] | ED2013-69 CPM2013-128 LQE2013-104 pp.27-30 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 14:20 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | InGaN/GaN MQW太陽電池におけるMQW構造最適化に関する考察 ○渡邉則之・満原 学・横山春喜（NTT）・梁 剣波・重川直輝（阪市大） ED2013-70 CPM2013-129 LQE2013-105 |
InGaN/GaN MQW太陽電池の短絡電流とMQW構造の相関について考察した。GaNバリア層厚が薄いほど、また、MQW... [more] | ED2013-70 CPM2013-129 LQE2013-105 pp.31-34 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 14:45 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | GaN自立基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触の評価 ○塩島謙次・木原雄平・青木俊周（福井大）・金田直樹・三島友義（日立金属） ED2013-71 CPM2013-130 LQE2013-106 |
GaN自立基板を用いた低濃度厚膜ショットキーダイオードを作製し、電気的特性を評価した結果を報告する。厚さ12μmの低Si... [more] | ED2013-71 CPM2013-130 LQE2013-106 pp.35-38 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 15:10 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | 低Mgドープp-GaNショットキー接触のAC動作 ○塩島謙次・青木俊周（福井大）・金田直樹・三島友義（日立金属） ED2013-72 CPM2013-131 LQE2013-107 |
電圧掃引速度、掃引方向を変化させたI-V測定、及び交流測定を低Mgドープｐ－GaNショットキー接触に対して行った。I-V... [more] | ED2013-72 CPM2013-131 LQE2013-107 pp.39-42 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 15:50 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | 高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率 ○前川拓也・本田善央・天野 浩・西谷智博（名大） ED2013-73 CPM2013-132 LQE2013-108 |
我々は、負の電子親和力を持つ半導体表面を用いた電子源（NEA半導体フォトカソード電子源）の高輝度、高耐久化を目指して、p... [more] | ED2013-73 CPM2013-132 LQE2013-108 pp.43-46 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 16:15 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究 ○若杉侑矢・本田善央・天野 浩（名大） ED2013-74 CPM2013-133 LQE2013-109 |
MOVPE法を用いてGaN及びAlGaNへのMgとCの同時ドーピングを行い、電気的、光学的特性を評価した。GaNへの同時... [more] | ED2013-74 CPM2013-133 LQE2013-109 pp.47-50 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 16:40 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | A novel method for crystallizations of aluminum nitride ○PeiTsen Wu・Mitsuru Funato・Yoichi Kawakami（Kyoto Univ.） ED2013-75 CPM2013-134 LQE2013-110 |
In this work, a new method of AlN crystal growth is proposed... [more] | ED2013-75 CPM2013-134 LQE2013-110 pp.51-55 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 17:05 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | トンネル接合を用いた多接合窒化物半導体の検討 ○黒川泰視・合田智美・加賀 充・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤﨑 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大） ED2013-76 CPM2013-135 LQE2013-111 |
[more] | ED2013-76 CPM2013-135 LQE2013-111 pp.57-61 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-29 09:30 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | 赤色発光Eu添加GaN/AlGaN多重量子井戸構造のOMVPE成長と発光特性 ○荒居孝紀・若松龍太・李 東建・小泉 淳・藤原康文（阪大） ED2013-77 CPM2013-136 LQE2013-112 |
Eu添加GaN/AlGaN多重量子井戸(MQW:Eu)構造を有機金属気相エピタキシャル法により作製し、その発光特性を調べ... [more] | ED2013-77 CPM2013-136 LQE2013-112 pp.63-66 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-29 09:55 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | 有機金属気相エピタキシャル法により作製したEu,Si共添加GaNにおける欠陥準位の深準位過渡応答測定 ○桒田宗一郎・小泉 淳・藤原康文（阪大） ED2013-78 CPM2013-137 LQE2013-113 |
[more] | ED2013-78 CPM2013-137 LQE2013-113 pp.67-70 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-29 10:20 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | 加圧MOVPE法によるInGaN厚膜成長に関する研究 ○山下康平・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大） |
[more] | |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-29 11:00 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | 薄膜3C-SiC緩衝層を用いたSi基板上GaN成長 ○片桐正義・泉 健太・三宅秀人・平松和政（三重大）・奥 秀彦・浅村英俊・川村啓介（エア・ウォーターR&D） ED2013-79 CPM2013-138 LQE2013-114 |
Si 基板上のGaN 成長においては，熱膨張係数差に起因する基板の反りやクラックの発生，SiとGa との反応によるメルト... [more] | ED2013-79 CPM2013-138 LQE2013-114 pp.71-74 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-29 11:25 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | サファイア上AlN緩衝層のN2-COアニールとMOVPE法による高温成長 ○西尾 剛・鈴木周平・三宅秀人・平松和政（三重大）・福山博之（東北大） ED2013-80 CPM2013-139 LQE2013-115 |
AlNはワイドギャップ半導体であり，熱及び化学的特性が安定であることから，深紫外光デバイス材料として注目されている．本研... [more] | ED2013-80 CPM2013-139 LQE2013-115 pp.75-78 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-29 11:50 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | 減圧HVPE成長を用いた6H-SiC基板上へのAlN成長における核形成制御 ○北川 慎・三宅秀人・平松和政（三重大） ED2013-81 CPM2013-140 LQE2013-116 |
窒化アルミニウムは禁制帯幅が約6.2eVのため深紫外域の光デバイス用の基板として期待されているが、高品質AlN自立基板の... [more] | ED2013-81 CPM2013-140 LQE2013-116 pp.79-82 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-29 13:30 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | 270nm帯深紫外LEDの大面積形成 ○美濃卓哉（理研/パナソニック）・平山秀樹（理研）・野口憲路・高野隆好・椿 健治（理研/パナソニック） ED2013-82 CPM2013-141 LQE2013-117 |
AlGaN系深紫外LEDの低コスト化を狙い，2インチ×3枚サイズのサセプタを用いた大面積形成技術を開発した．アンモニアパ... [more] | ED2013-82 CPM2013-141 LQE2013-117 pp.83-86 |
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