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電子デバイス研究会（ED） [schedule] [select]
専門委員長 前澤 宏一 (富山大)
副委員長 津田 邦男 (東芝)
幹事 松永 高治 (NEC)， 鈴木 寿一 (北陸先端大)
幹事補佐 新井 学 (新日本無線)， 東脇 正高 (NICT)

日時 2016年 1月20日(水)　10:30 - 16:20
議題 パワーデバイスおよび超高周波デバイス/マイクロ波一般 
会場名 機械振興会館 地下3階1号室 
交通案内 http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/access.html

1月20日(水) 午前 
10:30 - 16:20
(1) 10:30-10:55 ［依頼講演］SiC基板の評価技術とデバイス特性 ○北畠　真（FUPET）
(2) 10:55-11:20 ［依頼講演］3.3kV耐圧SiC-MOSFETの低抵抗化技術と世界初鉄道車両用フルSiC適用インバータの実現 ○濱田憲治・日野史郎・三浦成久・渡邊　寛・中田修平・末川英介・海老池勇史・今泉昌之・梅嵜　勲・山川　聡（三菱電機）
(3) 11:20-11:45 ［依頼講演］酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術 ○東脇正高・ワン マンホイ・小西敬太（NICT）・佐々木公平（タムラ/NICT）・後藤　健（タムラ/東京農工大）・野村一城・ティユ クァン トゥ・富樫理恵・村上　尚・熊谷義直・Bo Monemar・纐纈明伯（東京農工大）・倉又朗人・増井建和・山腰茂伸（タムラ）
  11:45-13:30 休憩　（ 105分 ）
(4) 13:30-13:55 ［依頼講演］GaNパワーデバイスの特長とそれを活かす技術 ○中原　健・近松健太郎・山口敦司・黒田尚孝（ローム）
(5) 13:55-14:20 ［依頼講演］等価回路モデルを利用したレクテナRF-DC変換効率計算 ～ 大電力RFデバイスに適した半導体材料の検討 ～ ○大石敏之・嘉数　誠（佐賀大）
(6) 14:20-14:45 ［依頼講演］GaNショットキーバリアダイオードとマイクロ波無線電力伝送 ○大野泰夫（レーザーシステム）
  14:45-15:05 休憩　（ 20分 ）
(7) 15:05-15:30 ［依頼講演］テラヘルツIC用InP HEMTの高fmax化 ○高橋　剛・川野陽一・牧山剛三・芝　祥一・中舍安宏・原　直紀（富士通研）
(8) 15:30-15:55 GaN HEMTユニットセルにおけるミリ波発振の解析 ○渡辺伸介・今井翔平・桑田英悟・小山英寿・加茂宣卓・山本佳嗣（三菱電機）
(9) 15:55-16:20 ［依頼講演］高周波用GaN-HEMTの開発 ○川合貴久（SEDI）

講演時間
一般講演発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分
依頼講演発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会（ED）   [今後の予定はこちら]
問合先 松永 高治（日本電気)
TEL：044-435-8348 Fax :044-455-8253
E--mail： k-fpc
鈴木 寿一（北陸先端科学技術大学院大学）
TEL : 0761-51-1441 Fax : 0761-51-1455
E--mail : sijaist 


Last modified: 2016-01-18 14:20:41


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