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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 前澤 宏一 (富山大)
副委員長 津田 邦男 (東芝)
幹事 松永 高治 (NEC), 鈴木 寿一 (北陸先端大)
幹事補佐 新井 学 (新日本無線), 東脇 正高 (NICT)

電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 野毛 悟 (沼津高専)
副委員長 廣瀬 文彦 (山形大)
幹事 小舘 淳一 (NTT), 岩田 展幸 (日大)
幹事補佐 坂本 尊 (NTT), 中村 雄一 (豊橋技科大)

シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 大野 裕三 (筑波大)
副委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事 黒田 理人 (東北大)
幹事補佐 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス)

日時 2016年 5月19日(木) 13:00 - 16:40
2016年 5月20日(金) 09:30 - 12:20
議題 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 
会場名 静岡大学 工学部 浜松キャンパス 総合研究棟 10F会議室 
住所 浜松市中区城北 3-5-1
交通案内 遠鉄バスのりば等 JR浜松駅前北口 バスターミナル15,16番のりばから 全路線 「静岡大学」下車 (所要時間約20分、1時間に10本程度運行)
http://hama.shizuoka.ac.jp/pages/access/
会場世話人
連絡先
工学部 電子物質科学コース 高野 泰

5月19日(木) 午後 
13:00 - 16:40
(1) 13:00-13:25 ドライ転写技術によるナノキャビティ上へのCVD単層グラフェンダイアフラムの製作 ○石田隼斗・石田 誠(豊橋技科大)・澤田和明・高橋一浩(豊橋技科大/豊橋技科大EIIRIS)
(2) 13:25-13:50 熱化学気相成長法による合金基板上へのグラフェン合成 ○岸 直希・岩間一樹・水谷拓哉・加藤慎也・曽我哲夫(名工大)
(3) 13:50-14:15 ZnO nanostructures for the fabrication of photoanode towards energy applications ○Mani Navaneethan・Jayaram Archana・Santhana Harish・Tadanobu Koyama・Hiroya Ikeda・Yasuhiro Hayakawa(Shizuoka Univ.)
(4) 14:15-14:40 ZnOナノ構造を用いたフレキシブル材料の熱電特性評価 ○和波雅也・セルバラジ シャンティ・鈴木悠平・ベルスワミィ パンディヤラサン(静岡大)・ファイズ サレ(マラヤ大)・下村 勝・村上健司・池田浩也(静岡大)
  14:40-15:00 休憩 ( 20分 )
(5) 15:00-15:25 絶縁ゲート型トランジスタに向けた絶縁体/窒化物半導体界面形成プロセスの検討 ○近藤佑隆・篠原正俊・彦坂朋輝・馬場真人・岡田 浩・関口寛人・山根啓輔・若原昭浩(豊橋技科大)
(6) 15:25-15:50 ダイヤモンドショットキーバリアダイオードによるレクテナ回路の作製 ○河野直士・嘉数 誠・大石敏之(佐賀大)
(7) 15:50-16:15 パリレン薄膜を用いたアルミサブ波長格子によるプラズモニックカラーシートの製作 ○熊谷隼人(豊橋技科大)・本間浩章(豊橋技科大/学振)・石田 誠・澤田和明(豊橋技科大/豊橋技科大EIIRIS)・高橋一浩(豊橋技科大)
(8) 16:15-16:40 セリウム置換イットリウム鉄ガーネットを用いた近赤外波長域用磁性フォトニック結晶の形成に関する研究 ○吉本拓矢・後藤太一・高木宏幸・中村雄一・内田裕久・井上光輝(豊橋技科大)
5月20日(金) 午前 
09:30 - 12:20
(9) 09:30-09:55 EDTAを錯化剤に用いた溶液成長法によるSnS薄膜堆積 ○神田祐作・高野 泰・石田明広(静岡大)
(10) 09:55-10:20 光化学堆積法による透明なp型半導体薄膜CuxZnySの熱処理 ○トン バインガルディ・市村正也(名工大)
(11) 10:20-10:45 Evaluation of electrical properties of HfS2 thin flakes obtained by mechanical exfoliation ○Vikrant Upadhyaya・Toru Kanazawa・Yasuyuki Miyamoto(TokyoTech)
  10:45-11:05 休憩 ( 20分 )
(12) 11:05-11:30 Si(111)-√3×√3-Ga表面相上へのGaSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長 下山浩哉・○森 雅之・前澤宏一(富山大)
(13) 11:30-11:55 Gravity effect on the properties of InxGa1-xSb ternary alloys grown at the International Space Station ○Velu NirmalKumar(Shizuoka Univ)・Mukannan Arivanandhan(Anna Univ)・Govindasamy Rajesh・Tadanobu Koyama・Yoshimi Momose(Shizuoka Univ)・Kaoruho Sakata(Univ.Tokyo)・Tetsuo Ozawa(Shizuoka Insti.Sci.&Tech.)・Yasunori Okano(OsakaUniv.)・Yuko Inatomi(JAXA)・Yasuhiro Hayakawa(Shizuoka Univ)
(14) 11:55-12:20 III-V/Siヘテロエピタキシーのための界面制御 ○山根啓輔・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩(豊橋技科大)

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 松永 高治(日本電気)
TEL:044-435-8348 Fax :044-455-8253
E-: k-fpc
鈴木 寿一(北陸先端科学技術大学院大学)
TEL : 0761-51-1441 Fax : 0761-51-1455
E- : sijaist 
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先 中村 雄一 (豊橋技術科学大学)
TEL : 0532-44-6734 FAX : 0532-44-6757
e- : eetut 
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 黒田 理人(東北大)
Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834
E-: e3 


Last modified: 2016-03-23 10:38:10


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