お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2020年10月開催~)
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催プログラム
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップ  戻る   前のED研究会 / 次のED研究会 [HTML] / [HTML(simple)] / [TEXT]  [Japanese] / [English] 


電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 前澤 宏一 (富山大)
副委員長 津田 邦男 (東芝)
幹事 鈴木 寿一 (北陸先端大), 新井 学 (新日本無線)
幹事補佐 東脇 正高 (NICT), 大石 敏之 (佐賀大)

日時 2016年12月19日(月) 13:55 - 19:30
2016年12月20日(火) 09:00 - 15:30
議題 ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム 
会場名 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム 
お知らせ ◎協賛: テラヘルツ応用システム時限研究専門委員会
◎現地世話人: 東北大通研 尾辻泰一 教授
◎12/19(月)研究会終了後,懇親会を予定していますので御参加ください.

12月19日(月) 午後 
13:55 - 19:30
  13:55-14:00 開会の挨拶 ( 5分 )
(1) 14:00-14:40 [招待講演]Evaluation of transistor performance in single and double δ-doping in InP-based high-electron-mobility transistors with MOVPE-grown InAs/In0.8Ga0.2As quantum-well ○Amine El Moutaouakil・Hiroki Sugiyama・Hideaki Matsuzaki(NTT)
(2) 14:40-15:05 InP HEMTの低温DC・RF特性に関するドレイン側リセス長の影響 ○遠藤 聡・渡邊一世・笠松章史(NICT)・高橋 剛・芝 祥一・中舍安宏・岩井大介(富士通研)・三村高志(富士通研/NICT)
(3) 15:05-15:45 [招待講演]InPデバイス、CMOSデバイスによるミリ波・テラヘルツ波回路技術 ○川野陽一(富士通研)
  15:45-16:05 休憩 ( 20分 )
(4) 16:05-16:30 180 nmCMOSプロセスを用いたテラヘルツ検出器の設計と評価 ○脇田幸典・池辺将之(北大)・Stevanus Arnold・尾辻泰一(東北大)・瀧田佑馬・南出泰亜(理研)・佐野栄一(北大)
(5) 16:30-16:55 直列アレイ化とレンズ集積による非対称二重格子ゲート高電子移動度トランジスタのテラヘルツ波受光効率向上 ○細谷友崇・糟谷文月・谷口弘樹・渡辺隆之・末光哲也・尾辻泰一(東北大)・瀧田佑馬・伊藤弘昌・南出泰亜(理研)・石橋忠夫(NTTエレクトロニクステクノ)・清水 誠(NEL)・佐藤 昭(東北大)
(6) 16:55-17:20 高効率THz波発生のための両性不純物Ge添加GaSe結晶の液相成長 ○佐藤陽平・趙 枢・田邉匡生・前田建作・小山 裕(東北大)
(7) 17:20-17:45 テラヘルツ波源応用を目指した自己補対ボウタイアンテナの広帯域特性モデリングと放射特性解析 ○山倉裕和・須原理彦(首都大東京)
  18:00-19:30 懇親会 ( 90分 )
12月20日(火) 午前 
09:00 - 15:30
(8) 09:00-09:25 中空光ファイバを用いた時間領域分光イメージングの試み ○伊藤公聖・片桐崇史・松浦祐司(東北大)
(9) 09:25-09:50 テラヘルツ光源による紙幣の変造・損傷の非接触検査 ○田邉匡生・木村 隆・前田健作(東北大)・五井広一(ローレルバンクマシン)・小山 裕(東北大)
(10) 09:50-10:15 ナノカーボン材料のテラヘルツ応答特性 ○宮島卓也(北大)・杉目恒志(早大)・菅原健太・渡辺隆之・尾辻泰一(東北大)・佐野栄一(北大)
  10:15-10:35 休憩 ( 20分 )
(11) 10:35-11:00 波長可変レーザーテラヘルツ放射顕微鏡によるタンデム型太陽電池の個別セル観察 ○濱内翔太・川山 巌・酒井裕司・梅垣俊仁(阪大)・伊藤 明・中西英俊(SCREEN)・村上博成(阪大)・Charles Schmuttenmaer(イェール大/阪大)・斗内政吉(阪大)
(12) 11:00-11:25 ヒト培養細胞における70-300 GHz照射の影響 ○八重柏典子・大槻 聖・林 伸一郎(理研)・川瀬晃道(名大/理研)
(13) 11:25-11:50 被覆Al素線の非破壊欠陥状態検査に向けたテラヘルツ分光応用 ○黒尾健太・木村 隆・田邉匡生・小山 裕(東北大)
  11:50-13:15 昼食休憩 ( 85分 )
(14) 13:15-13:55 [招待講演]Input Power Optimization of a Tripler-Base 300-GHz CMOS Up-Conversion Mixer ○Ruibing Dong(NICT)・Kosuke Katayama(Hiroshima Univ.)・Shinsuke Hara(NICT)・Kyoya Takano(Hiroshima Univ.)・Issei Watanabe・Norihiko Sekine・Akifumi Kasamatsu(NICT)・Takeshi Yoshida・Shuhei Amakawa・Minoru Fujishima(Hiroshima Univ.)
(15) 13:55-14:20 大気観測装置用ミリ波帯超伝導SISミクサのリニアリティ測定 ○秋山直輝・中島 拓・水野 亮・長浜智生・鈴木和司(名大)・藤井泰範(国立天文台)
(16) 14:20-15:00 [招待講演]Modeling of Resonant Tunneling Diodes and their Application to Short Distance Terahertz Wireless Communications ○Sebastian Diebold・Masayuki Fujita・Tadao Nagatsuma(Osaka Univ.)
(17) 15:00-15:25 共鳴トンネルダイオード発振器を用いた周波数偏波多重テラヘルツ無線通信 ○大島直到・橋本和秀・鈴木左文・浅田雅洋(東工大)
  15:25-15:30 閉会の挨拶 ( 5分 )

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 35 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 鈴木 寿一(北陸先端科学技術大学院大学)
TEL : 0761-51-1441 Fax : 0761-51-1455
E- : sijaist

新井 学(新日本無線株式会社)
TEL: 049-278-1441 Fax : 049-278-1269
E- : injr 


Last modified: 2016-11-02 16:34:00


ご注意: 迷惑メール対策のためメールアドレスの一部の文字を置換しております.ご了承ください.

[この開催に関する講演論文リストをダウンロードする] ※ こちらのページの最下にあるダウンロードボタンを押してください
 

[技術研究報告冊子体販売対象研究会向け:技報の当日価格一覧] ※ 開催2週間前頃に掲載されます
 
[研究会発表・参加方法,FAQ] ※ ご一読ください
 
[研究会資料インデックス(vol. no.ごとの表紙と目次)]
 

[ED研究会のスケジュールに戻る]   /  
 
 トップ  戻る   前のED研究会 / 次のED研究会 [HTML] / [HTML(simple)] / [TEXT]  [Japanese] / [English] 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会